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1.
用直流磁控溅射技术在石英基片上制备不同厚度(5 nm~114 nm之间)的铬膜.使用X射线衍射仪和分光光度计分别检测薄膜的结构和光学性质,利用德鲁特模型和薄膜的透射、反射光谱计算铬膜的厚度和光学常量,并采用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质.结果表明:制备的铬薄膜为体心立方的多晶态,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性能提高,晶粒尺寸增大;在可见光区域,当膜厚小于32 nm时,随着膜厚的增加,折射率快速减小,消光系数快速增大,当膜厚大于32 nm时,折射率和消光系数均缓慢减小并逐渐趋于稳定;薄膜电阻率随膜厚的增加为一次指数衰减.  相似文献   
2.
赖发春  林丽梅  瞿燕 《光子学报》2006,35(10):1551-1554
利用反应磁控溅射技术在BK-7基片上制备了二氧化钛和五氧化二铌均匀混合的光学薄膜.薄膜的内部微结构、表面形貌、化学成分比例以及光学性质等用X射线衍射、高分辨扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱和紫外可见近红外分光光度计进行研究;发现制备的薄膜为非晶结构,薄膜的表面平整、内部结构致密,不存在柱状结构或结晶颗粒的缺陷,TiO2与Nb2O5的成分比例大致是1∶1.54.从光学透射光谱计算的折射率和消光系数显示,在550 nm波长处的折射率为2.34,消光系数为2.0×10-4.结果表明制备的薄膜是TiO2和Nb2O5均匀混合的高质量光学薄膜.  相似文献   
3.
惠斯通电桥的灵敏度是影响其测量精度的关键因素。对电压法和电流法惠斯通电桥测电阻实验进行了理论探讨和实验验证,发现电桥灵敏度与桥臂电阻密切相关。提出最佳桥臂电阻的计算公式,为惠斯通电桥的精确测量提供便利。  相似文献   
4.
在500 oC大气条件下热氧化0.5 mm厚的铜箔0.5~10 h有起皱现象,且皱的大小随氧化时间的增加而增大,在皱的侧面和顶部均有生长CuO纳米线,皱侧面生长纳米线的长度比皱顶部的纳米线的长,密度也高;CuO纳米线的生长方向垂直于纳米线的生长表面. 通过计算波动阶段中皱内部的局部电场,发现皱的侧面和顶部的电场强度的数值相差很小,表明在CuO纳米线生长过程中驱动铜离子扩散的主要驱动力不是局部的电场力而是内应力.  相似文献   
5.
采用低温热蒸发法在铜箔衬底上制备了大量ZnO纳米带、空心微米球和“海胆”状球.采用XRD、激光拉曼光谱仪、SEM和荧光光谱仪分别对ZnO纳米结构的微结构、形貌和光致发光性质进行研究.分析表明,纳米带的宽度大约为500 nm且长度超过10μm,而空心微米球的直径为5~10μm;ZnO纳米结构的发光主要是较强的蓝绿缺陷态发光,以及弱的紫外带隙态发光.铜衬底上ZnO纳米结构的制备使得ZnO纳米结构和导电衬底之间具有良好黏着性和电接触性.  相似文献   
6.
吴晓萍  刘金养  林丽梅  郑卫峰  瞿燕  赖发春 《物理学报》2015,64(20):207802-207802
利用化学气相沉积法, 在铜箔上成功制备出形似自然界中刺球花的ZnO纳米花结构. 实验进一步研究了氧气和氩气流量比例分别为1:150, 1:200, 1:250和1:400时对ZnO纳米花结构和性能的影响. 结果表明, ZnO纳米花上的ZnO纳米棒的长径比随氧气氛的减少而减小; 在氧气和氩气流量比例为1:250时制备出的ZnO纳米花尺寸均匀、形貌均一、花型结构最完美. ZnO 纳米花的室温光致发光谱表明, 随着氧气氛的减少, 可见区域的发光从一个波包变成一个宽峰, 且与锌空位相关的缺陷发光峰在减弱, 与氧空位相关的缺陷发光峰在增强. 基于实验结果, 提出了一种在铜箔上制备ZnO纳米花结构的生长模型.  相似文献   
7.
用直流磁控溅射技术在石英基片上制备不同厚度(5nm~114nm之间)的铬膜.使用X射线衍射仪和分光光度计分别检测薄膜的结构和光学性质,利用德鲁特模型和薄膜的透射、反射光谱计算铬膜的厚度和光学常量,并采用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质.结果表明:制备的铬薄膜为体心立方的多晶态,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性能提高,晶粒尺寸增大;在可见光区域,当膜厚小于32nm时,随着膜厚的增加,折射率快速减小,消光系数快速增大,当膜厚大于32nm时,折射率和消光系数均缓慢减小并逐渐趋于稳定;薄膜电阻率随膜厚的增加为一次指数衰减.  相似文献   
8.
用van der Pauw方法测量磁控溅射制备的掺锡氧化铟(ITO)薄膜的电学性能,研究了在室温和冰水混合条件下测量电流大小对电阻率测量结果的影响;在室温条件下测量电流和磁场的大小对载流子浓度和迁移率测量结果的影响.实验结果显示,测量电流为5 mA和测量磁场为0.5 T时,测量结果最佳.  相似文献   
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