基于发光机理提高掺铒硅基材料发光效率的几条途径

掺铒硅基发光材料可以用于制备光通信用光源、光纤放大器，更重要的是可能成为实现硅基光电子集成技术的重要途径，已成为研究的热点之一．文章讨论了掺铒硅及掺铒硅基材料的发光机理，指出了制约实用化方面存在的问题．从不同方面着重探讨了共掺氧对提高掺铒硅发光效率的作用．最后介绍了基于掺铒硅发光机理提高掺铒硅基材料发光效率的几种途径、目前存在的主要问题及研究进展．     

对多组态微扰理论的一些改进

在GVB-MP2的原型理论中,GVB-MP2不能正确退化回相应的单参考态微扰(SR-MP2)极限.通过在0中恰当引入有限数目的单双激发之间的耦合项,使在趋于极限情况下,保证了GVB-MP2具有正确的收敛行为,改正了原有的理论框架中存在的缺陷.改进后的GVB-MP2方法在单点能量的数值计算中的修正很小.     

三项混合共轭梯度算法及其收敛性

本文对求解无约束优化问题提出一类三项混合共轭梯度算法,新算法将Hestenes- stiefel算法与Dai-Yuan方法相结合,并在不需给定下降条件的情况下,证明了算法在Wolfe线搜索原则下的收敛性,数值试验亦显示出这种混合共轭梯度算法较之HS和PRP的优势．     

金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管以及栅控型轻掺杂漏极结构的研究

提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT-MIUC poly-Si TFT) 的技术 . 使用该技术可在大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率、低漏电电流、具有较好均匀性的 多晶硅器件. 在进一步的研究中，设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区(GM-LDD)结构，有效地 解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题. 使得LT-MIUC poly-Si TFT 更适用于高质量的 有源矩阵显示器. 关键词： 金属单向诱导横向晶化 多晶硅薄膜晶体管 新型栅控轻掺杂漏区结构     

局部Lipschitz条件下的布朗运动和泊松过程混合驱动的正倒向随机微分方程

本文得到在局部Lipschiz条件下的布朗运动和泊松过程混合驱动的倒向随机微分方程的存在唯一性；同时也证明了布朗运动和泊松过程混合驱动的完全藕合的正倒向随机微分方程在局部Lipschitz条件下的解的存在唯一性。     

多项式回归在等厚干涉实验中的应用

用多项式回归处理等厚干涉的实验数据，可将等厚干涉的检测范围从球面拓展到任意二次旋转曲面。     

松香基甜菜碱两亲分子构筑多维Ni(OH)2/NiOOH微纳米复合材料

采用自制脱氢松香基甜菜碱功能性两亲分子构筑得到3种形貌均匀的Ni(OH)_2/NiOOH微纳米复合材料,分别为孔径约2μm的三维珊瑚状、花状空心微球和宽度约100 nm的二维纳米片,对复合材料的物相组成和形貌结构采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)等技术手段分析表征。结合自制松香基甜菜碱两亲分子红外光谱(FT-IR)、核磁(NMR)结构表征和优异的表面活性推测得到松香基甜菜碱两亲分子构筑3种不同形貌微纳米复合材料的机理;研究表明,在松香基甜菜碱两亲分子稳定刚性结构的作用下,通过反应温度控制其吸附能力可构筑出3种形貌分散性较好的氢氧化镍复合材料。     

沿[1 ■00]方向升华法生长6H-SiC单晶

本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1 ■00]方向生长6H-SiC单晶。利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1 ■00]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错(微管)缺陷。     

乌梅二氯甲烷提取物化学成分的GC/MS分析

采用GC-MS联用方法对乌梅二氯甲烷超声提取物和索氏提取物的化学成分分别进行分析。索氏提取物分离了16个峰,经数据库鉴定出13种成分。超声提取物分离了16个峰,经数据库签定出12种成分。     

ICP–AES测定铌铪合金中的铪、钛、锆、钨、钽

采用氢氟酸–硝酸溶解铌铪合金样品,建立电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP–AES)测定铌铪合金中铪、钛、锆、钨、钽元素的分析方法。铪、钛、锆、钨、钽的分析谱线分别为232.247,368.519,339.197,224.876,248.870nm,通过基体匹配法消除基体铌的干扰。在优化条件下对铌铪合金样品进行测定,各元素的质量浓度在其线性范围内与其光谱强度呈良好的线性关系,线性相关系数大于0.998,定量限为0.003 6%~0.007 4%。测定结果的相对标准偏差(n=11)小于1%,回收率为96.8%~105.0%。该方法快速、准确,可以满足实际生产中铌铪合金样品的测定要求。