High dV/dt immunity MOS controlled thyristor using a double variable lateral doping technique for capacitor discharge applications

An analysis model of the dV/dt capability for a metal-oxide-semiconductor （MOS） controlled thyristor （MCT） is developed. It is shown that, in addition to the P-well resistance reported previously, the existence of the OFF-FET channel resistance in the MCT may degrade the dV/dt capability. Lower P-well and N-well dosages in the MCT are useful in getting a lower threshold voltage of OFF-FET and then a higher dV/dt immunity. However, both dosages are restricted by the requirements for the blocking property and the forward conduction capability. Thus, a double variable lateral doping （DVLD） technique is proposed to realize a high dV/dt immunity without any sacrifice in other properties. The accuracy of the developed model is verified by comparing the obtained results with those from simulations. In addition, this DVLD MCT features mask-saving compared with the conventional MCT fabrication process. The excellent device performance, coupled with the simple fabrication, makes the proposed DVLP MCT a promising candidate for capacitor discharge applications.     

块对偶Toeplitz算子的乘积

本文刻画了向量值Bergman空间上块对偶Toeplitz算子有界性和紧性,给出了块对偶Toeplitz算子的乘积是块对偶Toeplitz算子的充要条件.     

有机高分子负载的Sonogashira反应的研究进展

综述了有机高分子负载钯催化剂或反应底物的Sonogashira反应的研究进展;天然高分子壳聚糖负载钯(CS-Pd)作为非均相催化剂,表现出较高的催化活性,可以实现无碱水相反应,正被人们广泛关注.     

微波消解-ICP-AES同时测定不同产地红枣中的微量元素

采用HNO3-H2O2作消解剂进行微波消解,利用ICP-AES同时测定不同产地红枣中Fe、Mg、Mn、Cu、Al、Zn等元素,对样品的前处理条件进行了探讨,通过加标回收实验,验证了分析数据的可靠性,在最佳测定条件下,方法检出限为0.0005—0.0100μg.mL-1,加标回收率为90.0%—103.6%,相对标准偏差≤4.2%。结果表明,该方法快速、简便、数据准确可靠,结果令人满意,适合常规分析。     

基于SOI技术的单层多晶EEPROM和SONOS EEPROM抗总剂量辐照特性研究

在自行研发的0.8 μm SOI工艺平台上开发了基于SOI技术的单层多晶硅EEPROM(electrically erasable programmable read only memory)和SONOS (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon)EEPROM,并进行了抗总剂量辐照实验研究,分析了各种EEPROM结构在抗总剂量辐照下的失效机理.结果表明基于SOI 技术的SONOS EEPROM具有良好的抗总剂量辐照性能,为抗辐照EEPROM电路中的存储单元结构选取提供了依据. 关键词： EEPROM SOI SONOS 辐照 浮栅     

氢氧化钠水溶液体系中金属铬的电化学氧化过程

铬铁电氧化溶出技术是一种全新的制备铬酸钠的方法,具有反应条件温和、过程可控、工艺环保等优点,然而金属铬在NaOH水溶液中的电化学氧化过程尚不明确. 本文采用循环伏安法（CV）和阳极极化法（LSV）对金属铬在NaOH水溶液中的电化学氧化过程进行研究. 使用EDS、SEM、XRD和XPS对电解前后的金属铬表征,判断中间物的产生,使用紫外可见分光光度计验证电解液中生成了铬酸钠. 结果表明,金属铬和中间产物Cr(OH)₃可能依次发生电化学氧化直接生成Na₂CrO₄,阳极极化为金属铬的活化. 随着NaOH溶液浓度的增加,Cr(OH)₃和Na₂CrO₄的生成量在增加,金属铬电化学氧化制备铬酸钠的适宜条件为碱浓度≥ 2 mol·L^-1,阳极电势≥ 1.6 V（vs. SCE）.     

载人登月转移轨道偏差传播机理分析与稳健性设计

载人登月转移轨道具有飞行时间长, 动力学模型复杂, 非线性强且变系数的特点, 而载人登月工程对转移轨道可靠性要求极高, 研究地月转移轨道偏差传播机理和轨道稳健性设计不仅具有工程意义, 更具有探索地月空间复杂引力场对轨道偏差作用的科学意义. 本文首先分析了日地月中心引力和地球J₂项摄动等主要作用力对转移轨道偏差的作用范围与影响大小, 其次提出了一种基于标称轨道数据的变系数非线性动力学系统偏差传播机理解析分析方法, 最后构建了基于偏差传播矩阵的转移轨道稳健性评价指标, 并基于NSGA-II (Nondominated Sorting Genetic Algorithms)算法求解了载人登月转移轨道稳健性优化设计问题. 仿真结果表明, 本文提出的偏差传播机理分析方法能快速准确地求解出载人登月转移轨道偏差传播矩阵, 利用偏差传播矩阵进行协方差分析和中途修正脉冲计算是简单准确的, 考虑稳健性的转移轨道优化设计可以提高标称轨道品质. 关键词： 载人登月 转移轨道 偏差分析 稳健性设计     

基于互联网+和人工智能技术的吸毒人员公共卫生管理模式研究

文章围绕当前吸毒人员康复过程中存在的问题和不足,提出依托互联网+技术沟通整合政府、家庭和社工等多领域多部门资源,利用人工智能(AI)和区块链技术实现吸毒人员情绪辨识和戒断康复证据链的构建,实现风险预警,减少和降低复吸.该管理模式打破吸毒人员常规司法强制性干预的理念,将吸毒人员需求作为管理的核心,部署相关服务和支持资源,为吸毒人员培养康复信心回归社会提供了新的思路.     

TiO2颗粒表面无机包覆的研究进展

从表面处理的作用、过程、方法、种类、机理、影响因素等方面综述了二氧化钛颗粒无机包覆的研究进展,着重阐述了二氧化钛包硅、包铝的原理及工艺条件。     

细胞色素C551在ITO电极上的直接电化学

在不加任何电子转移促进剂的条件下,用循环伏安法(CV)和微分脉冲伏安法(DPV)观察到细胞色素C551在ITO导电玻璃上的直接电化学行为.结果显示电极反应过程为准可逆性质,计算得到细胞色素C551的扩散系数、式电位和异相电子转移标准速率常数,并对其在ITO导电玻璃电极上的电子转移机制进行了初步分析.