| 基于SOI技术的单层多晶EEPROM和SONOS EEPROM抗总剂量辐照特性研究 |
| |
| 引用本文： | 肖志强,李蕾蕾,张波,徐静,陈正才.基于SOI技术的单层多晶EEPROM和SONOS EEPROM抗总剂量辐照特性研究[J].物理学报,2011,60(2):28502-028502. |
| |
| 作者姓名： | 肖志强 李蕾蕾 张波 徐静 陈正才 |
| |
| 作者单位： | (1)电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054; (2)电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054;中国电子科技集团公司第五十八研究所,无锡 214035; (3)中国电子科技集团公司第五十八研究所,无锡 214035; (4)中国电子科技集团公司第五十八研究所,无锡 214035;西安电子科技大学微电子学院,西安 710071 |
| |
| 基金项目： | 国家科技重大专项(批准号:2009ZX02306-04)资助的课题. |
| |
| 摘 要： | 在自行研发的0.8 μm SOI工艺平台上开发了基于SOI技术的单层多晶硅EEPROM(electrically erasable programmable read only memory)和SONOS (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon)EEPROM,并进行了抗总剂量辐照实验研究,分析了各种EEPROM结构在抗总剂量辐照下的失效机理.结果表明基于SOI 技术的SONOS EEPROM具有良好的抗总剂量辐照性能,为抗辐照EEPROM电路中的存储单元结构选取提供了依据.
关键词：
EEPROM
SOI SONOS
辐照
浮栅
|
| 关 键 词： | EEPROM SOI SONOS 辐照 浮栅 |
| 收稿时间： | 4/6/2010 12:00:00 AM |
Total dose characteristics of single poly EEPROM and SONOS EEPROM on SOI |
| |
| Xiao Zhi-Qiang,Li Lei-Lei,Zhang Bo,Xu Jing,Chen Zheng-Cai.Total dose characteristics of single poly EEPROM and SONOS EEPROM on SOI[J].Acta Physica Sinica,2011,60(2):28502-028502. |
| |
| Authors: | Xiao Zhi-Qiang Li Lei-Lei Zhang Bo Xu Jing Chen Zheng-Cai |
| |
| Institution: | 1)(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China) 2)(The 58th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation,Wuxi 214035,China) 3)(School of Microelectronics,Xidian University,Xi’an 710071,China) |
| |
| Abstract: | Devices of single poly electrically ersable programmable read only memory (EEPROM) and silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) EEPROM on silicon on insulator (SOI) are fabricated on self-built 0.8 μm SOI process. And through a set of experiments on EEPROMs of these configurations and comparisons, SOI SONOS EEPROM is successfully developed with good and stable total dose radiation hardened characteristics. These provide stronger proofs to choose EEPROM in radiation hardened circuits. |
| |
| Keywords: | electrically ersable programmable read only memory silicon on insulator silicon-oxide-nitride-oxide-silicon radiation floating gate |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
