全文获取类型
收费全文 | 82篇 |
免费 | 30篇 |
国内免费 | 44篇 |
专业分类
化学 | 67篇 |
力学 | 19篇 |
综合类 | 1篇 |
数学 | 13篇 |
物理学 | 56篇 |
出版年
2023年 | 2篇 |
2022年 | 5篇 |
2021年 | 2篇 |
2020年 | 5篇 |
2019年 | 6篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 6篇 |
2016年 | 8篇 |
2015年 | 7篇 |
2014年 | 8篇 |
2013年 | 6篇 |
2012年 | 8篇 |
2011年 | 2篇 |
2010年 | 6篇 |
2009年 | 5篇 |
2008年 | 8篇 |
2007年 | 1篇 |
2006年 | 7篇 |
2005年 | 5篇 |
2004年 | 3篇 |
2003年 | 7篇 |
2002年 | 5篇 |
2001年 | 2篇 |
2000年 | 6篇 |
1999年 | 8篇 |
1998年 | 2篇 |
1995年 | 1篇 |
1990年 | 7篇 |
1989年 | 7篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有156条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
利用abinitio方法,在UHF,UMP2及不同基组3-21G,6-31G^*,6-311+G^*和UMP2(full)/6-311+G^*水平上,研究了O~2/O~2^.^-自交换电子转移反应。优化了电子转移前后反应物和产物的结构,研究了体系能量的变化,计算了自交换电子转移反应的内重组能。对UHF方法和UMP2方法的计算结果进行了比较,并与实验结果进行了对照。结果表明UHF方法由于没有考虑组态相互作用,计算结果存在较大偏差,UMP2(full)/6-311+G^*水平上的计算结果与实验值吻合较好。在UMP2(full)/6-311+G^*水平上计算了气相自交换电子转移反应速率常数。在优化了电子转移复合物结构的基础上考虑了溶剂效应的影响,计算了水溶液中的溶剂重组能。研究结果表明O~2/O~2^.^-体系电子转移反应的活化能主要来源于溶剂重组能的贡献。最后计算了该反应在水溶液中的反应速率常数。理论计算结果与实验值吻合得很好。 相似文献
92.
93.
本文用自旋捕捉技术与ESR相结合的方法,研究了六种有机锡化合物的光解反应历程。结果表明:有机锡化合物紫外光照时,碳-锡键发生均裂,产生碳中心和锡中心自由基。其中碳中心自由基易被捕捉剂α-苯基-N-特丁基氮氧化物(PBN)或2,3,5,6-四甲基亚硝基苯(ND)所捕获;而锡中心自由基可与菲醌形成稳定的环状加合物。由于环状加合物中配体的不同,产生的空间效应也不同,从而导致加合物中的未偶电子云密度发生变化,给出相异的ESR信号。 相似文献
94.
甲基汞与无机汞在体外与免疫球蛋白IgG反应,经X小角散射检测后发现,汞可以影响IgG的分子构象。检测后数据经过S.exe软件包处理计算,得出反应分子构象的Kratky plot图、distance distribution function和蛋白质形状数据。综合各个参数,发现不同的反应时间和不同的汞形态均可以引起IgG发生折叠和去折叠现象,这些结果表明汞可以影响免疫球蛋白的结构。 相似文献
95.
由于各种荷载及风、雨、雪等不利环境因素的持续作用,桥面平整度在运营期内不断降低,加剧了移动车辆对在役桥梁的冲击效应,因此有必要基于现有桥面平整度及交通量状况,提出一种能预测在役桥梁冲击系数的分析方法。本文依据国内外公认的桥面平整度指数与时间、交通量及环境等参数之间的关系,分析了20年运营期内桥面平整度系数随这些参数变化的规律,得到了相应的桥面平整度系数退化值;基于三维车桥耦合振动模型,统计分析了桥面退化模型对冲击系数的影响,并修正了现有桥规冲击系数公式,获得了在役桥梁冲击系数随时间的变化规律,为评估在役桥梁使用阶段受力性能提供理论基础。 相似文献
96.
酸溶碱融溶解铍铀伴生矿石中的铍,加入的焦硫酸钾对ICP-OES法测定存在基体干扰。本研究主要阐述消除基体干扰的一些措施。从实验数据可知,控制称样量、焦硫酸钾加入量、定容体积和加标稀释倍数,能够有效消除焦硫酸钾对ICP-OES法测定结果的基体干扰,测定结果的相对标准偏差为3%-5%。 相似文献
97.
报道了利用聚(3-己基噻吩)(P3HT)作为前置缓冲层来弥补(4,8-双-(2-乙基己氧基)-苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩)-(4-氟代噻并[3,4-b]噻吩(PBDT-TT-F):[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PC61BM)共混体相异质结(BHJ)电池对450-600 nm处光谱响应不足的新的器件结构设计思路. 光谱带隙为1.8 eV的PBDT-TT-F 在550-700 nm处有很强的光谱吸收, 在有机太阳电池器件上有很好的应用潜能. 但其在350-550 nm处的吸收不强, 影响了器件对太阳光谱的利用效率. 与此相比, P3HT薄膜的光谱吸收主要在450-600 nm范围内, 同PBDT-TT-F 形成良好的互补关系. 新设计的器件外量子效率(EQE)研究结果表明, 利用P3HT 作为前置缓冲层可以与PBDT-TT-F:PC61BM薄膜中的PC61BM形成平面异质结, 从而拓展了器件在450-600 nm处的光谱响应范围,实现光谱增感作用. 优化P3HT的厚度为20 nm左右, 器件对外输出的短路光电流密度从11.42 mA·cm-2提高到12.15 mA·cm-2, 达到了6.3%的提升. 相似文献
98.
99.
Electrical properties of MOCVD-grown GaN on Si (111) substrates with low-temperature AIN interlayers 下载免费PDF全文
The electrical properties of the structure of GaN grown on an Si (111) substrate with low-temperature (LT) A1N interlayers by metal-organic chemical-vapour deposition are investigated. An abnormal P-type conduction is observed in our GaN-on-Si structure by Hall effect measurement, which is mainly due to the A1 atom diffusing into the Si substrate and acting as an acceptor dopant. Meanwhile, a constant n-type conduction channel is observed in LT-A1N, which causes a conduction-type conversion at low temperature (50 K) and may further influence the electrical behavior of this structure. 相似文献
100.