费里尔型重排反应及其在活性分子合成应用中的最新进展

对近10年来费里尔型重排反应(包括Ⅰ型费里尔重排、Ⅱ型费里尔重排和费里尔-皮塔西斯重排反应)的研究进展作了简要综述,并介绍了近来费里尔型重排反应应用于复杂的活性分子合成中的研究所取得的进展.     

多铁材料BaCoF$lt;sub$gt;4$lt;/sub$gt;电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的广义梯度近似方法和赝势平面波法，对多铁材料BaCoF₄的铁电反铁磁相和可能的顺电相的电子结构进行了第一性原理研究.研究表明，反铁磁态很可能有利于低温下的铁电稳定性，F的强负电性使得体系内原子间主要是离子键相互作用.Co离子与在bc面上的F（2），F（3）离子间完全是离子键作用，而与F（4）间有较弱的共价作用，与F（1）间作用介于两者之间.铁电畸变主要来源于Ba离子与F（1）, F（2）, F（3）离子沿着c轴方向的相对位移，F（4）对铁电性的贡献最少.铁电相中F（2）, F（3）离子的能量低于中心对称相，最大位移贡献者F（1）的化学键性由弱共价作用到离子键的变化也是最大的，这均有利于体系的稳定. 关键词： 第一性原理 铁电性 铁电畸变 反铁磁性     

多铁材料BaCoF4电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的广义梯度近似方法和赝势平面波法,对多铁材料BaCoF4的铁电反铁磁相和可能的顺电相的电子结构进行了第一性原理研究.研究表明,反铁磁态很可能有利于低温下的铁电稳定性,F的强负电性使得体系内原子间主要是离子键相互作用.Co离子与在bc面上的F(2),F(3)离子间完全是离子键作用,而与F(4)间有较弱的共价作用,与F(1)间作用介于两者之间.铁电畸变主要来源于Ba离子与F(1),F(2),F(3)离子沿着c轴方向的相对位移,F(4)对铁电性的贡献最少.铁电相中F(2),F(3)离子的能量低于中心对称相,最大位移贡献者F(1)的化学键性由弱共价作用到离子键的变化也是最大的,这均有利于体系的稳定.     

水-有机两相体系中Pd(OAc)_2催化的Suzuki反应与2-(4-氯苯基)苯胺的合成

本文报道水-有机两相体系中Pd(OAc)2催化的Suzuki反应与新型农药啶酰菌胺的关键中间体2-(4-氯苯基)苯胺的一种新的合成方法。考察了无机碱和相转移催化剂对反应的影响。考虑到生产效率与生产成本的因素,发现以K3PO4·7H2O为无机碱,四丁基溴化铵(TBAB)为相转移催化剂,在110℃下反应14h为反应条件,Pd(OAc)2能很好地催化4-氯苯硼酸与2-乙酰氨基溴苯的Suzuki反应,并在相同的条件下考察水相循环使用的情况,发现水相循环使用6次后,水相中的Pd(OAc)2的催化性能没有明显下降。     

1英寸Cs2LiLaBr6∶Ce闪烁晶体的生长及性能研究

Cs₂LiLaBr₆∶Ce(CLLB∶Ce)晶体n/γ双读出闪烁性能优异,其实用化瓶颈在于大尺寸、高光学质量晶体的生长。本研究采用非化学计量比配比,避开CLLB∶Ce非一致熔融组分区域,通过改进研制坩埚下降法晶体生长炉,并优化温度场和降低坩埚下降速度等晶体生长工艺,从而克服组分过冷,保持生长界面稳定,得到了直径1英寸(1英寸=2.54 cm)的CLLB∶Ce晶体毛坯,等径透明部分长度达40 mm,单晶比例由52%提高至79%,可见光区光学透过率达到70%以上。在¹³⁷Cs激发下能量分辨率达3.7%,在²⁵²Cf激发下晶体的品质因子达到1.42,可以很好地甄别中子和γ射线。     

国际工程承包风险的模糊综合评价

风险是客观存在的,并与利益共存.作为国际工程承包商要想在竞争日益激烈国际市场上寻求发展,就必须迎着风险前进.为了达到利用、回避、防范或转移风险的目的,运用专家调查法及AHP法设计了国际工程承包风险的综合评价指标体系,并确定了指标权重.最后用模糊评价方法对国际工程承包风险进行了综合评定,并进行了实证分析.     

极紫外多层膜残余应力初步研究

 针对极紫外多层膜在激光等离子体诊断、极紫外光刻等方面的应用，进行了Mo/Si多层膜残余应力的实验研究，讨论了多层膜残余应力的成因。实验结果表明：Mo单层膜表现为张应力， Si单层膜表现为压应力；通过传统方法制备的13.0 nm处高反射率的40对Mo/Si多层膜会产生-500 MPa左右的压应力，其压应力主要是由膜层之间的贯穿扩散引起的；通过改变膜层比率可以在一定程度上补偿因贯穿扩散产生的压应力，但是以牺牲多层膜反射率为代价。     

Electrical properties of MOCVD-grown GaN on Si （111） substrates with low-temperature AIN interlayers

The electrical properties of the structure of GaN grown on an Si （111） substrate with low-temperature （LT） A1N interlayers by metal-organic chemical-vapour deposition are investigated. An abnormal P-type conduction is observed in our GaN-on-Si structure by Hall effect measurement, which is mainly due to the A1 atom diffusing into the Si substrate and acting as an acceptor dopant. Meanwhile, a constant n-type conduction channel is observed in LT-A1N, which causes a conduction-type conversion at low temperature （50 K） and may further influence the electrical behavior of this structure.     

Electrical properties of MOCVD-grown GaN on Si (111) substrates with low-temperature AlN interlayers

The electrical properties of the structure of GaN grown on an Si (111) substrate with low-temperature (LT) AlN interlayers by metal-organic chemical-vapour deposition are investigated. An abnormal P-type conduction is observed in our GaN-on-Si structure by Hall effect measurement, which is mainly due to the Al atom diffusing into the Si substrate and acting as an acceptor dopant. Meanwhile, a constant n-type conduction channel is observed in LT-AlN, which causes a conduction-type conversion at low temperature (50 K) and may further influence the electrical behavior of this structure.     

Performance improvement of Ga N-based light-emitting diodes transferred from Si(111) substrate onto electroplating Cu submount with embedded wide p-electrodes

Crack-free Ga N/In Ga N multiple quantum wells(MQWs) light-emitting diodes(LEDs) are transferred from Si substrate onto electroplating Cu submount with embedded wide p-electrodes. The vertical-conducting n-side-up configuration of the LED is achieved by using the through-hole structure. The widened embedded p-electrode covers almost the whole transparent conductive layer(TCL), which could not be applied in the conventional p-side-up LEDs due to the electrodeshading effect. Therefore, the widened p-electrode improves the current spreading property and the uniformity of luminescence. The working voltage and series resistance are thereby reduced. The light output of embedded wide p-electrode LEDs on Cu is enhanced by 147% at a driving current of 350 m A, in comparison to conventional LEDs on Si.