稀土掺杂ZnS纳米晶中稀土离子与纳米基质之间的能量传递

以甲基丙烯酸为表面包覆剂在水／醇溶液中合成了ZnS:Eu^3 ,ZnS:Tb^3 纳米晶,用傅里叶变换红外光谱和X射线粉末衍射谱表征了样品的表面与晶型,样品均为立方闪锌矿型,没有出现与稀土离子相关的相;用光致发光和激发谱研究了样品中的发光过程,其中ZnS:Tb^3 纳米晶中存在纳米基质与Tb^3 之间的能量传递,并引起Tb^3 的特征发射。     

吸附钌吡啶类配合物染料分子对氧化多孔硅光致 发光性质的影响

化学氧化多孔硅经cis-Ru(bpy)~2(CN)~2的乙醇溶液浸泡后,发光峰位红移,强度减弱,激发态寿命缩短。而在trans-Ru(py)~4(CN)~2溶液中浸泡的氧化多孔硅的发光峰位,强度和寿命几乎没有变化。对比两个染料分子的氧化还原电位和光吸收性质得出：与trans-Ru(py)~4(CN)~2相比,cis-Ru(bpy)~2(CN)~2有一个与多孔硅发光能量接近的低能级吸收带,使得多孔硅纳米粒子向该染料分子传递能量成为可能,能量传递的发生引起了发光峰位的红移和激发态寿命的缩短,虽然伴随着发光效率的损耗,但对有目的地选择染料分子来改变多孔硅的发光峰位和获得激发态寿命尽可能小的多孔硅提供了思路,也为深入理解多孔硅的光致发光机制提供了更多的实验事实。     

InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱

我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽.我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构,从而影响了光学吸收特性.而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源.     

铒掺杂富硅热氧化SiO2/Si发光薄膜的显微结构

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5 4μm附近光致发光光谱     

氢化非晶硅薄膜退火形成的纳米硅及其光致发光

本文报道对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜在600～620℃温度下快速退火10s可以形成纳米晶硅(nc-Si),其Raman散射表明,在所形成的nc-Si在薄膜中的分布是随机的,直径在1.6～15nm范围内,并且在强激光辐照下观察了nc-Si在薄膜中的结晶和生长情况.经退火所形成的nc-Si可见光辐射较弱,不能检测到它们的光致发光(PL),但用氢氟酸腐蚀钝化后则可检测到较强的红PL,并且钝化后的nc-Si在空气中暴露一定的时间后,其辐射光波长产生了蓝移.文中就表面钝化和量子限制对可见光辐射的重要性作了讨论.     

（LaO）3BO3基质中Tb^3的发光特性

在254nm紫外光（UV）激发下,研究了（LaO)3BO3基质中Tb^3 的激发光谱、发射光谱、发光寿命与Tb^3 浓度的关系,并探讨了Tb^3 的^5D3→^7D3→F4。跃迁发射的自身浓度猝灭机理,在阴极射线（CD）激发下,研究了（LaO)3BO3:Tb^3 的发光强度与Tb^3 浓度、加速电压及电流密度的关系,发现在UV事CR两种激发条件下,试样均能发出明亮的绿色荧光,有望成为一种有发展前途的绿粉。     

杂化化合物(C7H11N2)2[CdCl4]·0.5H2O的晶体结构、光谱表征和光学性质

开发了标题化合物（C₇H₁₁N₂）₂[CdCl₄]·0.5H₂O （C₇H₁₁N₂=4-（二甲基氨基）吡啶鎓）的制备程序,并得到良好的收率和纯度。Cd（Ⅱ）离子在略微扭曲的四面体环境中与4个氯离子配位。晶体排列显示出层状结构,有机层和无机层交替排列,平行于（001）平面,位于x=n+1/2（n∈Z）。在晶体中,有机层和无机层通过C—H…Cl、C—H…O、N—H…Cl和N—H…O氢键相互作用连接。Hirshfeld表面分析和结构的指纹图表明分子堆积受氢键和π堆积的控制。UV-Vis漫反射光谱使我们能够用Tauc外推法确定具有半导体特性的3.596 eV的直接带隙。观察到的在562 nm处具有最大值的光致发光带归属于4-（二甲基氨基）吡啶鎓阳离子中的激发π-π^*态。     

侧基发光性单体与无机纳米颗粒的组装及其光学性质

发光二极管可广泛应用于计算机、电视以及公共场所大型平板显示器等领域 .其所用的发光材料包括无机材料、有机小分子材料和高分子材料等几类 .作为发光材料要具有高的发光效率,良好的稳定性,以及为了实现全色显示其发光波长要能调节 .发光波长的调节,一般是通过能带的变化来实现 .通常使能带变化的方法有掺杂、改变共轭长度（有机材料） [1－ 4]、和改变颗粒大小（半导体纳米材料） [5, 6]等 .我们在进行无机半导体纳米材料与有机分子材料的组装复合时发现有机发光分子在无机颗粒表面的有序排列也能使发光波长显著变化,这可望成为调…     

新型功能材料有机钌络合物和有机钌聚合物

有机钌络合物和有机钌聚合物具有特殊的光、电性能,是一种新型功能材料,正在形成一个新的研究领域。本文介绍有机钌络合物和有机钌聚合物的光致电子转移、光致发光和电致发光等现象以及它们在发光二极管、发光电池、氧化传感器等方面的应用。     

C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜) 的光致发光性质研究

用直流辉光溅射法结合真空镀膜法制备出了一种“多层三明治结构”的光致发光材料—C(膜 ) /Si(SiO2 ) (纳米微粒 ) /C(膜 )夹层膜 ,然后分别在 40 0、6 5 0和 75 0℃退火 1h .在波长为 2 5 0nm的紫外光激发下 ,刚制备出来未经退火处理的样品具有一个在 398nm (3.12eV)处的紫光宽带PL1峰 .在 6 5 0℃退火后 ,又出现了一个在 36 0nm (3.44eV)附近的PL2 峰 .PL1和PL2 峰形状和峰位与退火温度和激发波长无关 ,但强度却与退火温度和激发波长密切相关 .结合形态结构分析可知 ,紫光PL1峰可用量子限制 -发光中心 (QC LCs)模型进行解释 :即光激发发生在SiO2 微粒内部 ,而光发射源于SiO2 与Si界面上的缺陷中心 .紫外荧光PL2 峰则源自SiC内部的电子 空穴复合发光