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1.
InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽.我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构,从而影响了光学吸收特性.而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源.  相似文献   
2.
在采用MOCVD技术生长的GaN膜上制备出MSM紫外光探测器,分别在室温下和94K低温下,测量了探测器对不同光波长的响应、同一光波长下对不同偏压的响应、不同斩波频率下的响应。结果表明,在94K下响应有了很大的改善。当光波长从360nm增加到450nm时,响应下降了3个数量级,而常温下只下降两个数量级,但探测器的时间响应常数变长了。  相似文献   
3.
In0.5(Ga1-xAlx)0.5P合金的掺杂生长特性   总被引:1,自引:1,他引:0  
利用LP-MOCVD分别生长Zn和S掺杂的In0.5(Ga1-xAlx)0 5P外延层,研究生长温度、掺杂源流量、V/Ⅲ比、Al组分以及衬底晶向偏离等生长条件对外延层掺杂浓度的影响.实验结果表明:降低生长温度和Al含量、增加DEZn流量、选择由(100)向(111)A偏6~15的衬底都有利于增加IRGaAlP合金中Zn的掺杂浓度;提高生长温度和增加SIH4流量、减小Al含量和V/Ⅲ比,都有助于增加Si掺杂浓度,而衬底晶向对Si掺杂浓度无影响.  相似文献   
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