ICP-AES法直接测定阳极泥中的金和银

使用ICP－AES法同时测定了多个阳极泥样品中的金和银。加标回收率为95．4％－103．2％,10次测定的RSD为0．8％－4．8％。方法简便,速度快,结果准确。     

ICP-AES法测定萘磺酸系染料中间体中无机元素的含量

本文用ICP-AES法测定了萘磺酸系染料中间体中的无机元素含量。结果表明,该类产品含有较多种类的无机元素,含量高低与产品品质存在一定关系。本法为适时控制产品质量提供了一种切实可行的分析手段。     

铸造锌合金中铝、铜、镁、铁、硅、镉的 ICP-AES法测定

采用ICP-AES法测定了铸造锌合金的铝、铜、镁、铁、硅、镉6种元素。并研究了基体对6种被测元素以及被测元素间的干扰。进行了酸度与内标用量试验,以及精密度、准确度、回收率试验,获得了满意的结果。     

ICP-MS 法直接测定冰芯样品中超痕量镉

采用 ICP- MS法对冰芯样品中超痕量 Cd的直接测定进行了研究。确定了直接测定浓度为 pg/m L 级的 Cd的最佳仪器参数、载气流速、进样速度等与灵敏度之间的关系以及浓度和扫描参数对分析精度的影响。本方法对浓度 5～2 0 0 pg/m L Cd的分析 ,RSD<1 0 % ,回收率在 88%～ 1 0 5%之间 ,检测限为0 .1 5pg/m L     

ICP—AES法测定生铁中硅锰磷的研究

通过正交试验选择出最佳溶样条件,用电感耦合等离子体发射光谱（ICP－AES）法测定生铁中硅,锰,磷,方法简便可靠,具有良好的精密度和准确性,相对标准偏差不大于3．8％。     

微波消解氢化物发生ICP—AES法测定川山紫中痕量硒

建立了微波消解连续氢化物发生ICP AES法测定川山紫中痕量硒的方法 ,系统地研究了微波消解、氢化物发生的最佳条件 ,方法简便快速 ,检出限为 0 .0 0 38μg·ml- 1,RSD为 1.13% (n =10 ,0 .5 4 7μg·g- 1Se) ,样品加标回收率为 99.2 4 %。     

Inductively Coupled Plasma Etching in ICl- and IBr-Based Chemistries. Part I: GaAs, GaSb, and AlGaAs

High-density plasma etching of GaAs, GaSb, and AlGaAs was performed inICl/Ar and IBr/Ar chemistries using an Inductively Coupled Plasma (ICP)source. GaSb and AlGaAs showed maxima in their etch rates for both plamachemistries as a function of interhalogen percentage, while GaAs showedincreased etch rates with plasma composition in both chemistries. Etchrates of all materials increased substantially with increasing rf chuckpower, but rapidly decreased with chamber pressure. Selectivities >10 forGaAs and GaSb over AlGaAs were obtained in both chemistries. The etchedsurfaces of GaAs showed smooth morphology, which were somewhat better withICl/Ar than with IBr/Ar discharge. Auger Electron Spectroscopy analysisrevealed equirate of removal of group III and V components or thecorresponding etch products, maintaining the stoichiometry of the etchedsurface.     

ICP-MS法测定鼠脊髓液中超痕量镧、铈、镨和钕

采用ＮＨＯ３＋ＨＣｌＯ４混合酸溶样,感耦等离子体－质谱（ＩＣＰ－ＭＳ）直接测定鼠脊髓液中Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ和Ｎｄ,对等离子体质谱测定条件进行了最佳化选择。选用铼（Ｒｅ）内标可补偿基体影响和仪器漂移。方法检出限为７．６－２０．３ｎｇ／Ｌ,加标试验回收率为９４％－１０２％,相对标准偏差（ＲＳＤ）为２．１％－３．７％。     

用低功率微波热雾化器与十字交叉气动雾化器作为ICP-AES进样装置的比较

在 ICP- AES中 ,最常用来引入液体样品的方法是雾化法 .因此 ,雾化器雾化效率的高低直接影响到 ICP- AES的分析性能 [1,2 ] .目前 ,在 ICP- AES中最常用的雾化器是气动雾化器 (PN) .它的优点是简单、稳定性好 ;缺点是产生的雾滴的直径范围很宽 (一般为 1～ 50 μm) ,进样效率低 ,一般仅为 1 %～3% [3] .热雾化器是近年发展起来的一种雾化效率较高的雾化法 ,已被越来越多地用于 ICP- AES[4～ 7] .热雾化法的雾化原理与同轴气动雾化法类似 ,不同之处在于 :对于热雾化法来说 ,(1 )雾化所需的气体来自于液体样品本身而不是外加的惰性…     

ICP刻蚀硅模板用于PDMS规则超疏水表面的制作

在ICP(inductively coupled plasma)刻蚀后的硅模板上复制聚二甲基硅氧烷(PDMS),经剥离得到含有一定尺寸的规则微柱阵列疏水表面.实验表明,当微柱高度较小时,微柱高度和边长对接触角有正影响,而间距则呈负影响;但如微柱高度较大,则高度对接触角的影响趋小,而边长呈负影响.间距对接触角的影响表现复杂.微柱间距6μm,边长14μm和高14μm微柱阵列的PDMS表面,静态接触角最大,约151°.