Apostol-Bernoulli多项式的一个新公式

我们得到Apostol-Bernoulli多项式的一个用Gauss超几何函数表示的新公式,并给出了它的一些特殊情况和应用.     

美国军用标准可靠性预计手册MIL-HDBK-217C

该书是一本供电子设备可靠性预计用的手册。对电子设备的设计师来说,是一本必备的工具。它在国际上也颇具影响。该手册提供了对电子设备进行可靠性预计的原则、步骤和方法。汇集了美国各类电子元器件(电阻器、电容器、电子管、接插元件、半导体管、半导体集成电路……)的可靠性     

国产金属箔式应变片在低温和强磁场下工作特性的研究

HT- 7U超导模型线圈实验中 ,研究了国产金属箔式应变片在低温和强磁场下的工作特性 ;测量了应变片从室温液氮温度液氦温度的输出示应变曲线 ,以及磁场强度从 0 T- 4T时应变片的输出示应变曲线。实验测得 ,对所选用的应变片 ,从室温降至液氮温度 (77.4K)的热输出为 - 3 6 4 7με,降至液氦温度 (4.2 K)的热输出为 - 3 999με,磁场从 0 T升至 4T的输出示应变为2 3 5με。     

切削液与机床腐蚀

水溶性切削液有较好的冷却效果，适用于组加工和高速切削，有利于切削温度的降低、提高刀具耐用度和减少变形，但对机床夹具和刀具有腐蚀性，进而影响机床、夹具的精度和刀具的寿命。本文就切削液对机床的腐蚀及防护措施进行探讨。     

关于《非晶态金属的结构转变与动力学》一文的讨论

编辑同志: 对载于《物理》 1983年第 1期的《非晶态金属的结构转变与动力学》一文,其中关于TTT图所反映的非晶态金属的结晶行为,我觉得有一点需要补充. 该文认为,过冷液体沿文中图4中a淬火,避开了TTT曲线的“鼻端”,可以形成玻璃,而沿途径 b连续加热,则在Tx处开始结晶.仔细考查TTT图就会发现这种说法不够确切. TTT曲线是理论计算的结果[1].首先由实验求得过冷液体的粘度和相应晶体的熔融焓,然后由计算在给定过冷度下形成10-6晶体所需的时间.式中I和U分别为形核速度和晶体生长速度.计算中假设,熔体以无穷大的速度由熔点以上冷却到所讨…     

3-氨基α-乙基-2,4,6-三碘氢化桂皮酸的示波极谱法研究

在0.02M磷酸-0.08M乙酸-0.08M硼酸介质中,3-氨基-a-乙基-2,4,6-三碘氢化桂皮酸(碘番酸)有两个明晰的阴极化示波导数波,峰电位分别为-0.72伏和—0.86伏(vs.S.C.E.)。以第一波作为定量分析的基础,峰电流与浓度在5.0×10~(-7)～1.0×10~(-5)M范围内具有良好的线性关系,已成功的应用在碘番酸片剂和原药的分析中。研究了极谱波性质,反应机理和电极过程。认为获得的极谱波为吸附波,电极反应系碘番酸分子中苯环上键合的碘还原所致。电极过程不可逆。     

微波消解-火焰原子吸收光谱法测定蕨麻中8种矿物元素

利用微波消解,空气-乙炔火焰原子吸收光谱法对蕨麻中钾、钠、钙、镁、铜、锌、铁、锰8种人体必需矿物元素进行了测定。对样品的预处理方法、仪器的测定条件、共存元素的干扰及消除进行了研究,并对各测定元素进行了加标回收率实验。结果表明,在选定的实验条件下,该法的相对标准偏差均小于2.5%(n=8),各元素加标回收率为96.5%—103.2%。     

Study of depth-dependent tetragonal distortion of quaternary AIInGaN epilayer by Rutherford backscattering/channeling

<正>A 240-nm thick Al_0.4In_0.02Ga_0.58N layer is grown by metal organic chemical vapour deposition,with an over 1-μm thick GaN layer used as a buffer layer on a substrate of sapphire（0001）.Rutherford backscattering and channeling are used to characterize the microstructure of AlInGaN.The results show a good crystalline quality of AlInGaN(x_min= 1.5%) with GaN buffer layer.The channeling angular scan around an off-normal（1213） axis in the {1010} plane of the AlInGaN layer is used to determine tetragonal distortion e_T,which is caused by the elastic strain in the AlInGaN.The resulting AlInGaN is subjected to an elastic strain at interfacial layer,and the strain decreases gradually towards the near-surface layer.It is expected that an epitaxial AlInGaN thin film with a thickness of 850 nm will be fully relaxed （e_T=0）.