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82.
高频线性斯特林制冷机的性能测试和分析 总被引:1,自引:0,他引:1
线性压缩机 SL 4 0 0用于红外探测器及超导应用的高频同轴式脉管制冷机的研制。在不同的输入功率、不同的工作频率下 ,测试了 SL 4 0 0型压缩机驱动 SL 2 0 0型及 SL 10 0型斯特林制冷机冷指的制冷性能。输入功率在 10 W~ 10 0 W范围内调整 ,输入功率为 5 0 W时 ,在 4 0 Hz~ 6 0 Hz变化压缩机的工作频率 ,测试和计算制冷机的 COP系数及压缩机的效率。对制冷机冷指不同放置方向时的制冷性能作了测试 ;比较了散热片风冷及水冷情况下制冷机的性能 ;得出了 SL4 0 0型压缩机的工作特性。 相似文献
83.
针对很多已有的遥感图像去噪算法去噪的同时存在不能有效的保留细节和增强边缘的问题,提出了一种基于Cycle Spinning Contourlet变换和总变分最小化的图像去噪新算法。该算法依据了Cycle Spinning Contourlet变换能够很好的保留原始图像的细节和纹理信息,而总变分最小化方法具有在去噪的同时增强图像边缘的特性,因此使用所提出的融合规则对两种算法去噪后的图像进行融合能够取得更好的增强效果。通过对比,实验结果表明该算法不仅能在很大程度上削弱分别由平移不变Contourlet变换和总变分最小化的图像去噪方法产生的伪吉布斯现象和阶梯效应,而且视觉效果和PSNR值均优于其它方法,同时该算法能够保留更多的光谱信息,因此该算法是一种有效的遥感图像去噪算法。 相似文献
84.
以SiO2、CaO和MgO为主要原料,采用传统高温熔融工艺制备了基础玻璃,并通过一步析晶热处理工艺制备了透辉石微晶玻璃.利用X射线衍射仪、电子扫描显微镜和激光导热仪分别研究了热处理温度和时间对透辉石微晶玻璃析晶和导热性能的影响.结果表明:随着热处理温度的升高,微晶玻璃的结晶度增加,晶粒尺寸增大,导热系数先增大后减小;随着热处理时间的延长,微晶玻璃的晶粒尺寸增大,导热系数先增大后减小.当热处理温度890℃,热处理时间120 min,升温速率为10℃/min,微晶玻璃晶粒尺寸为0.3~0.4μm,结晶度为79;,导热系数达到最大值2.59 W/(m·K). 相似文献
85.
86.
采用巨正则蒙特卡洛模拟和密度泛函理论结合的方式探究了不同碱金属(alkali metal, AM,包括Li、Na、K)修饰提升萘炔(naphyne,NY)和萘二炔(naphdiyne, NDY)的CO2吸附分离性能。通过结合能和结构的电子性质分析发现,AM修饰的NY和NDY具有良好的结构稳定性。在 298 K、100 kPa 的条件下,Li 修饰的萘二炔(Li-NDY)表现出高达 11.37 mmol·g-1的 CO2吸附量和430.85的CO2选择性(优于N2)。同时,利用气体吸附密度分布揭示了不同AM修饰的NY/NDY(AM-NY、AM-NDY)具有高吸附量的原因,以及二者作用效果差异的本质。最后,从吸附热、库仑和范德瓦耳斯相互作用等角度详细说明了AM引入的改性机制。 相似文献
87.
Implant Depth Influence on InGaAsP/InP Double Quantum Well Intermixing Induced by Phosphorus Ion Implantation 下载免费PDF全文
We investigate quantum well intermixing of a double-quantum-well structure caused by phosphorus ion implantation by means of photoluminescence (PL). The ion implantation is performed at the energy of 120keV with the dose ranging from 1 × 10^11 to 1 × 10^14/cm^2. The rapid thermal annealing is performed at the temperature of 700℃ for 30s under pure nitrogen protection. The PL measurement shows that the band gap blueshift is influenced by the depth of ion implantation. The blueshift of the upper well which is closer to the implanted wcancies is enhanced with the ion dose faster than that from a lower well under the lower dose implantation (〈 5 × 10^11/cm^2). When the ion dose is over 10^12/cm^2, the band gap blueshift from both the wells increases with the ion dose and finally the two peaks combine together as one peak, indicating that the ion implantation results in a total intermixing of both the quantum wells. 相似文献
88.
无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用光荧光谱(PL)和光调制反射谱(PR)的方法,研究了由Si3N4、SiO2电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱(MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3N4、SiO2作为电介质盖层,用来产生空位,再经过快速热退火处理(RTA)。实验结果表明:多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3N4复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2复合盖层。而InGaAs、SiO2复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3N4复合盖层。同时,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致,因此,PR谱是用于测试带隙变化的另一种方法。 相似文献
89.
采用直流(DC)反应磁控溅射法在玻璃上制备了不同Si/Ti原子比的TiO2-SiO2复合薄膜.使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外可见分光光度计、CA-XP150型接触角仪、UMT-2型多功能微摩擦仪,研究了不同Si/Ti原子比的TiO2-SiO2复合薄膜微观结构、表面形貌、亲水性能和摩擦磨损性能.结果表明,所制备的纯TiO2薄膜具有锐钛矿结构,其平均晶粒尺寸为11 nm,TiO2-SiO2复合薄膜呈现非晶结构,其粒子尺寸相对减小;随着Si/Ti原子比的增大,薄膜在可见光区的平均透过率从76.6; 增加到84.3;.当复合薄膜中Si/Ti原子比为1:2时,薄膜的摩擦系数为0.11,薄膜具有最佳的亲水性能;在紫外光照射2 h后水接触角降到3.0°;在黑暗中放置30 h后水接触角略增加到7.7°. 相似文献
90.
采用气相色谱–质谱联用法检测塑料及其制品中阻燃剂三(2-氯乙基)磷酸酯的含量。样品采用微波萃取,萃取温度为100℃,时间为10 min,浓缩样品溶液至近干后定容至1 m L,用0.45μm滤膜过滤,采用气相色谱–质谱联用仪进行定性定量分析。三(2-氯乙基)磷酸酯的质量浓度在0.1~10.0μg/mL范围内与色谱峰面积呈良好的线性,线性相关系数为0.999 8,检出限为0.02 mg/kg。空白样品加标回收率为85.1%~94.6%,测定结果的相对标准偏差在1.60%~4.15%(n=7)之间。该方法准确度高,重现性好,可作为塑料及其制品中三(2-氯乙基)磷酸酯的检测方法。 相似文献