反向流动注射化学发光法测定痕量硫离子

在碱性条件下,基于硫离子对鲁米诺和高碘酸钾化学发光反应有很强的增敏作用,建立了反向流动注射化学发光法检测水中痕量硫离子的新方法。在优化实验条件下,硫离子浓度在8.0×10-10~5.0×10-6g/mL范围内与发光强度呈良好的线性关系;检出限(3σ)为2.0×10-10g/mL;相对标准偏差为2.3%(n=11,1.0×10-8g/mLS2-)。该方法用于环境水样中S2-的测定,结果令人满意。     

基于自反关系的区间值模糊近似空间诱导的拓扑结构

给出了论域U上自反的区间值模糊关系R诱导拓扑的一种新方法,并与胡凯的关于模糊紧性与粗集拓扑的研究中R诱导拓扑的方式进行了比较。结果表明:(1)后者需要R具有传递性才能生成拓扑,而前者则不需要此条件;(2)当R满足传递性时,两种方式生成的拓扑是相同的。     

a-SiCx:H/nc-Si:H多层薄膜的室温时间分辨光致可见发光

在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积非晶SiCx：H(a-SiCx：H)和非晶Si：H(a-Si：H)薄膜,然后经过高温热退火处理,成功制备了晶化纳米a-SiCx：H／nc-Si：H(多晶SiC和纳米Si)多层薄膜。利用截面透射电子显微镜技术分析了a-SiCx：H／nc-Si：H多层薄膜的结构特性。通过对晶化样品的时间分辨光致发光谱的研究,结果表明：随着退火温度的升高,发光峰位置开始出现一些红移现象：当退火温度为900℃时,样品的发光强度和发光衰减时间分别达到最大值和最小值;随着退火温度的继续升高,发光峰位置又开始出现蓝移现象。由此探讨纳米a-SiCx：H／nc-Si：H多层薄膜的发光特性和发光机理。     

国产非晶磁芯应用于感应加速组元的可行性研究

介绍了国产非晶合金应用于感应加速组元的可行性研究的初步结果. 采用国产1K101型铁基非晶合金(FeSiB)~带材, 研制了非晶磁芯, 并利用加速腔(或实验腔)对研制的非晶磁芯的磁性能、绝缘性能和稳定性等方面进行了研究. 高压单脉冲实验可获得脉冲幅度为240kV、脉冲前沿为17ns(10%—90%)、脉冲平顶为72ns(±1%)的单脉冲; 高压猝发三脉冲实验可获得前沿35ns、脉冲平顶60ns的三脉冲, 磁芯的有效平均磁密跳变为1.41T. 耐压实验研究中, 得到了电压幅值为282kV的三脉冲. 非晶磁芯的性能稳定, 满足感应加速组元对磁芯性能的要求.     

Reversible Carriers Tunnelling in Asymmetric Coupled InGaN/GaN Quantum Wells

Temperature-dependent photoluminescence （PL） and time resolved photoluminescence （TRPL） are performed to study the PL characteristics and carrier transfer mechanism in asymmetric coupled InGaN/GaN multiple quantum wells （AS-QWs）. Our results reveal that abnormal carrier tunnelling from the wide quantum well （WQW） to the narrow quantum well （NQW） is observed at temperature higher than about lOOK, while a normal carrier tunnelling from the NQW to the WQW is observed at temperature lower than 100 K. The reversible carrier tunnelling between the two Q Ws makes it possible to explore new types of temperature sensitive emission devices. It is shown that PL internal quantum efficiency （IQE） of the NQW is enhanced to about 46% due to the assistant of the abnormal carrier tunnelling.     

μ介子转化电子装置超导磁体低温系统(英文)

μ介子转化为电子的试验装置(MECO)将安装在美国布鲁克海文国家实验室的交变磁场梯度同步加速器中。一台4.5K千瓦制冷量的氦制冷设备将为MECO试验中的四个大型的超导螺线管磁体提供冷量,针对MECO中超导磁体的性能特点及要求,主要讨论了该低温系统中每个超导磁体的冷却方法以及相应氦制冷机的流程设计方案。     

大气压双频氦气放电等离子体特性的数值研究

用一维流体模型研究了大气压双频氦气放电等离子体的特性。数值模拟的结果表明,在单、双频放电中,随着应用电压的增加,电子密度和放电电流都增加。相对于单频放电,双频放电中低频源的耦合效应使得放电中的电流以及电子密度降低。随着低频源电压峰值的增加,电子密度降低,离子通量,电子损失能量以及电子吸收能量均降低;但电子温度和电势随着低频源电压峰值的增加而增加。在相同低频源电压下,随着高频源电压的增加离子流非线性增加。     

具有不同到达率的带有启动时间及不耐烦策略的多级适应性休假M/G/1排队

研究了具有不同到达率的带有启动时间及不耐烦策略的多级适应性休假M/G/1排队模型,给出了稳态队长的母函数,等待时间的LST及其随机分解结果,并推导出忙期、全忙期及在线期均值.     

一种简易的脑片图像的半自动区域划分及细胞计数方法

脑科学研究往往需要对实验动物不同脑区的分子表达、细胞数目及神经网络连接模式进行量化和比较分析,然而目前缺乏简便易行的规模化的脑区划分方法.本文基于Paxinos和Franklin的第二版小鼠图谱以及Photoshop和ImageJ等图像处理软件,发展了一种简易的脑片图像的半自动区域划分及细胞计数方法.首先,基于小鼠脑图谱可获得脑区划分所需的标准模版;然后,利用Photoshop软件对标准模版进行变形矫正,可实现小鼠脑切片图像的快速规模化半自动配准及区域分割;最后,利用ImageJ可实现对配准及分区后的脑片图像不同区域的半自动神经细胞计数和分析.此方法适用于脑片免疫组织化学分析、神经元分布模式检测和神经环路标记等研究,其操作简便、易于获取、并且不依赖于其他昂贵的商业化神经图像分析软件,能为条件有限的科研工作者提供极大便利.     

液相射流中中Al元素单双脉冲LIBS研究（英文）

为了综合比较单双脉冲激光诱导击穿光谱技术(LIBS)在液体中重金属元素的检测效果,利用自建的液相射流单-双脉冲LIBS技术装置,对AlCl3水溶液中的Al元素LIBS特性进行测量和分析。实验中使用两台532nm Nd∶YAG激光器作为激发光源,等离子体辐射信号通过光谱仪和ICCD进行采集。实验研究了单脉冲下Al(396.15nm)发射谱线的谱线强度随激光能量、ICCD门延时、门宽之间的变化关系,获得了最优化实验参数激光能量为50mJ,ICCD门延迟为1 200ns,门宽为150ns。在相同的实验条件下,实验考察了Al(369.15nm)发射谱线的谱线强度随双脉冲之间的延时,激光总能量,ICCD门延时的变化关系,获得了最优化实验参数为两双脉冲之间的延时为1 000ns,激光总能量为50mJ,ICCD门延时为1 100ns。单脉冲和双脉冲条件下获得重金属Al的LIBS检测限分别为26.79和10.80ppm,双脉冲LIBS技术使元素检测限下降2倍多。实验结果表明双脉冲可以提升LIBS技术的探测灵敏度,为LIBS技术应用于水体中重金属快速检测提供了依据。