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81.
Non-degenerate four wave mixing based on third-order susceptibility X^3 in high nonlinearity microstructure fibres is experimentally demonstrated. The Stokes and anti-Stokes peaks are observed simultaneously by launching 10-fs pulses from an 80Ohm Ti:sapphire laser into the fibre. 相似文献
82.
采用燃烧法制备出Li^+,Zn^2+掺杂的Gd2O3:Eu^3+纳米荧光粉,研究了掺杂离子对Gd2O3:Eu^3+的结晶性能、晶粒形貌和光致发光特性的影响.以X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、发射光谱和衰减时间谱等手段表征材料性能.结果表明,Li^+,Zn^2+掺杂可显著提高Gd2O3:Eu^3+纳米粉在611 nm处的发光强度,最大可达到未掺杂时的2.5倍.发光增强的主要原因可归结为3个方面: (1)使晶粒由单斜相向更利于发光的立方相转变; (2)氧空位的敏化剂作用; (3)掺杂离子的助熔剂效应,使晶粒的结晶性能提高、粒径增大,从而降低表面态引起的发光猝灭. 相似文献
83.
用超临界溶剂在半连续装置上对中温煤焦油沥青(MCTP)进行了抽提和分离,考察了抽提段的实验条件对灰分和吡啶不溶物(PI组分)脱除率的影响;在分离段使用升温和/或降压法、精馏法调节MCTP族组成分布,并用分步抽提法调节MCTP的族组成。实验表明:用甲苯为超临界溶剂抽提可脱除全部灰分,PI组分也可在较低的压力下选择性地脱除;采用升温和/或降压法对抽出物可进行一定程度的分离,但对庚烷可溶物(HS组分)分离的选择性不高;采用精馏法可选择性地脱除HS组分,但尚需改进设备进一步提高分离效率;采用分步抽提法用石油醚作一次抽提溶剂可高选择性地脱除HS组分,其选择性在95%以上。 相似文献
84.
以~(14)C标记正丁烯为示踪化合物,用扩展示踪动力学方法解析了在Bi-Mo和铁系尖晶石催化剂上丁烯氧化脱氢全图谱的动力学和反应机理,结果表明,在Bi-Mo催化剂上选择氧化反应速度的顺序为丁烯-1大于丁烯-2,异构化的速度小于选择氧化反应的速度,燃烧反应的速度的顺序也是丁烯-1大于丁烯-2。在铁系尖晶石催化剂上,三种丁烯异构体的选择氧化的速度常数极相近,但顺丁烯略快;它们的异构化速度都明显较小,其中几何异构化的速度大于双键异构化的速度;其燃烧反应速度的次序为丁烯-2>丁二烯>丁烯-1。讨论了工业丁烯氧化脱氢装置中丁烯原料组成的影响,异构化的机理和氧化反应的可能速度控制步骤。 相似文献
85.
Gd2O3:Eu3+ X射线溶胶-凝胶发光薄膜的制备与表征 总被引:2,自引:0,他引:2
高分辨率X射线成像系统要求其发光材料同时具有X射线截止本领强、光产额高、余辉短以及与光电器件波长匹配好等特性. Gd2O3:Eu3 因其优越的发光性能和Eu3 红光发射等优点而在高能射线激发发光材料中占有重要地位. 近几年发展起来的透明X射线薄膜发光材料具有更高的衬度和空间分辨率、热传导率、均匀性和附着力等优点[1], 因而有望成为取代传统荧光粉的新一代X射线成像材料. 在各种薄膜制备工艺中, 溶胶-凝胶法以其价格低廉、工艺简单、制备温度低、均匀性好、可实现微量掺杂等优点而日益受到人们重视, 通过该方法并辅以适当的后处理工艺可制备出透明、致密的薄膜. 相似文献
86.
87.
We present magnetotransport studies on a series of BaFe_(2-x)Ni_xAs_2(0.03 ≤ x ≤ 0.10) single crystals. In the underdoped(x = 0.03) non-superconducting sample, the temperature-dependent resistivity exhibits a peak at 22 K, which is associated with the onset of filamentary superconductivity(FLSC). FLSC is suppressed by an external magnetic field in a manner similar to the suppression of bulk superconductivity in an optimally-doped(x = 0.10) compound, suggesting the same possible origin as the bulk superconductivity. Our magnetoresistivity measurements reveal that FLSC persists up to the optimal doping and disappears in the overdoped regime where the long-range antiferromagnetic order is completely suppressed, pointing to a close relation between FLSC and the magnetic order. 相似文献
88.
89.
Ge Complementary Tunneling Field-Effect Transistors Featuring Dopant Segregated NiGe Source/Drain 下载免费PDF全文
Ge complementary tunneling field-effect transistors(TFETs) are fabricated with the NiGe metal source/drain(S/D) structure. The dopant segregation method is employed to form the NiGe/Ge tunneling junctions of sufficiently high Schottky barrier heights. As a result, the Ge p-and n-TFETs exhibit decent electrical properties of large ON-state current and steep sub-threshold slope(S factor). Especially, I_d of 0.2 μA/μm is revealed at V_g-V_(th) = V_d = ±0.5 V for Ge pTFETs,with the S factor of 28 mV/dec at 7 K. 相似文献
90.
平面微透镜阵列与匹配的微图案阵列叠合时,会产生叠栅效应,在微透镜阵列立体防伪技术和高精度测量方面具有潜在的应用价值。基于游标叠栅效应原理建立了叠栅图案的放大倍数和方向与微图案阵列层、平面微透镜阵列层矢量之间的关系式,即叠栅图案相对于微图案的放大倍数约等于微透镜阵列周期矢量与平面微透镜阵列、微图案阵列周期矢量差的比值,该公式能够预测微图案映射的位置和大小。采用孔径边长为0.3 mm、周期为0.315 mm的方形孔径平面微透镜阵列与不同周期、角度的微图案贴合进行验证,叠栅图案的位置、大小的实验结果与理论预测一致。 相似文献