N-Widths and Average Widths of Besov Classes in Sobolev Spaces

In this paper, we consider the n-widths and average widths of Besov classes in the usual Sobolev spaces. The weak asymptotic results concerning the Kolmogorov n-widths, the linear n-widths, the Gel＇fand n-widths, in the Sobolev spaces on T^d, and the infinite-dimensional widths and the average widths in the Sobolev spaces on Ra are obtained, respectively.     

线列阵甚宽频带恒定束宽的数字实现方法

线性嵌套阵可以很好地在很宽的频率（N个倍频程，N=7）上实现恒定束宽。这种方法设计简单，又节省线阵阵元。本文给出了线性嵌套阵具体的数字化实现方法，解决了FIR滤波器设计，滤波器时间延迟等问题。由于数字化实现过程中使用了很多组FIR滤波器，计算量很大，文章采用了DSP信号处理板实现数字化算法，利用DSP处理板可以多任务同时处理优势，解决了计算量大的问题。经过实验验证，在DSP上实现的数字化的线性嵌套阵宽带恒定束宽方法满足了工程上实时处理的需要。     

在不同激光脉宽下的高次谐波

用数值计算方法计算了不同强激光脉冲宽度下高次谐波的产生.我们发现对于激光场强度不高,不能有效电离初态的激光场,长脉冲宽度可以更有效产生高次谐波;而对于高场强的激光场,由于它能够在几个光学周期之内把原子的初态全部电离,所以短脉冲的激光场能够更有效产生高次谐波.     

InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动研究

采用常压金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射／沟道技术、光透射谱、光致发光光谱对InxGa1-xN／GaN／AI2O3样品进行了测试。研究了InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动。结果表明，采用光透射谱、光致发光光谱得到的InxGa1-xN薄膜的禁带宽度一致，InxGa1-xN薄膜并不存在斯托克斯移动。InxGa1-xN薄膜的In组分分别为0．04，0．06，0．24，0．26时，其弯曲因子分别为3．40,2．36，1．82，3．70。随In组分变化。InxGa1-xN薄膜的弯曲因子的变化并没有一定的规律，表明InxGa1-xN薄膜的禁带宽度随In组分的变化关系复杂。     

激光二极管端面抽运的棒状Yb：YAG激光器

分析了影响激光二极管抽运Yb：YAG激光器调Q效率的参量，推导了激光二极管端面脉冲抽运Yb：YAG晶体的速率方程，解出了双程抽运情况下的净抽运量子产率。利用数值计算方法，模拟了净抽运量子产率与晶体长度，抽运光脉冲宽度等关系，得出晶体长度的优化可以提高Yb：YAG激光器输出效率。计算了词Q Yb：YAG激光器的最大增益、最大储能，分析了放大自发辐射对于Yb：YAG能量存储的影响。同时给出了激光二极管端面抽运调Q Yb：YAG优化设计方法。这些分析和计算为实际器件的研制提供参考。     

Thin－Film Enhanced Goos－Haenchen Shift in Total Internal Reflection

It is reported that the Goos-Haenchen (GH) shift of both TE and TM light beams totally reflected from a dielectric interface can be greatly enhanced by a dielectric thin film without changing the property of total internal reflection.Numerical simulations confirm the theoretical analysis and show that the enhanced GH shift can be as large as the width of the beam for beam‘s width up to 820 times of the wavelength. This may stimulate investigations in other areas of physics and may lead to interesting applications in optical devices. The enhancement of the GH shift is accompanied by the enhancement of the intensity of the decaying field in the optically thin medium and of the propagating field inside the film.     

pn结电容-电压法测量应变SiGe禁带宽度

利用应变SiGe/Si异质pn结电容-电压（C-V）特性确定SiGe禁带宽度的技术.该技术根据SiGe/Si异质pn结C-V实验曲线，计算出 pn结接触电势差，并得到SiGe/Si的价带偏移量和导带偏移量，进而求得SiGe禁带宽度.该技术测试方法简便，其过程物理意义清晰，既适用于分立的SiGe/Si异质pn结，也可直接分析SiGe/Si异质结器件中的SiGe 禁带宽度.实验结果与理论计算及其他相关文献报道的结果符合较好. 关键词： SiGe/Si 异质pn结 C-V 禁带宽度     

基于Schrdinger方程的耦合常数解析延拓方法

基于Schr¨odinger方程 ,利用耦合常数解析延拓方法研究了球对称的方势阱、Woods Saxon势和谐振子势中的单粒子共振态的能量与宽度 .分析了耦合常数的取值区间和Pad啨多项式阶数对计算结果的影响 .结果发现 ,在适当的耦合常数取值范围内 ,随着Pad啨多项式阶数的增加可以得到稳定和收敛的单粒子共振态能量与宽度 .     

8字形主被动锁模掺Er3+光纤激光器

在理论上分析了利用非线性光学环形镜作为等效可饱和吸收体压缩脉冲进行锁模的物理机制。利用8字形主被动混合锁模的结构在调制频率2．498749GHz下，在1．543μm处获得了12ps的锁模脉冲输出，对应谱宽0．22nm，时间脉宽积0．33。在抽运功率50mW情况下，输出脉冲平均功率3．715mW。在调制频率2．499344GHz、2．499114GHz和2．498999GHz时分别并获得了2～4阶幅度较为均衡的有理数谐波锁模脉冲序列。     

Li掺杂对ZnO陶瓷结构与电学性能的影响

研究了用传统方法在1200～1400℃烧结的ZnO陶瓷，以及用放电等离子体烧结(SPS)方法烧结的ZnO陶瓷的结构特征与电学性能。以ZnO为基添加了不同浓度的LiOH，制备了不同Li掺杂浓度的ZnO陶瓷。研究了掺杂、烧结温度，以及烧结方法等因素对ZnO基陶瓷的微观结构、电学性能的影响。实验表明，用传统方法烧结时，ZnO在烧结温度低于1400℃的情况下难以成瓷，而放电等离子体烧结(SPS)方法可以显著降低烧结温度。ZnO陶瓷的晶粒大小。密度随着烧结温度的增大而增大。在同样的烧结温度下，LiOH含量越大，ZnO基陶瓷的电阻率越大。