利用硅光电池测量硅单晶半导体材料的禁带宽度

以白炽灯为光源照射单晶硅光电池,测量在硅光电池前加不同截止波长的滤色片时的短路电流.通过短路电流和截止波长的关系,经拟合得到单晶硅材料的长波限,再利用半导体材料的长波限与半导体的禁带宽度Eg的关系,即Eg=hc/λ,计算得出其禁带宽度.     

Halin图在环面上嵌入的灵活性

In this paper we show that the face-width of any embedding of a Halin graph(a type of planar graph) in the torus is one, and give a formula for determining the number of all nonequivalent embeddings of a Halin graph in the torus.     

半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律

采用Silvaco TCAD软件,对P+-P-N-N+SOS结构输出脉冲宽度的参数影响规律进行了一维数值模拟研究,包括N+区扩散深度、有效横截面积、外电路参数等。模拟结果表明:随着N+区扩散深度、有效横截面积的增加和外电路电阻的增大,输出脉冲的宽度减小。通过参数优化,获得了脉宽约为4 ns的输出脉冲。     

ZnS与SiO_2材料的短脉冲激光热损伤特性比较

对SiO2和ZnS这两种常用的红外光学材料在红外短脉冲激光辐照下的热损伤特性进行了研究,分析了相同激光辐照条件下两种材料的热效应,另外也针对同种材料不同辐照条件下的热效应进行比较。分析结果表明:红外激光作用下,SiO2材料的表面温升快于ZnS材料,而在材料内部,则后者快于前者。脉冲辐照结束时SiO2材料的表面峰值温度高于ZnS材料,但ZnS材料产生温升的深度大于SiO2材料。由于能量更为集中,材料在皮秒激光作用下温升高于纳秒激光作用下的温升。若材料的峰值温度达到熔点,则激光的单脉冲能量随脉冲宽度的减小呈非线性减小趋势,且变化率越来越大。     

用激光清理空间碎片

正通过研究用于移除空间碎片的地基激光器方案,研究人员推断光束自聚焦可能是一个问题。"用激光清理空间碎片"的原理就是利用强有力的激光将碎片撞出其原有的轨道,使其移动到新的轨道中,并最终在大气中烧掉。Alexander Rubenchik及其同事目前已研究了在大气中传输这些强光束时所产生的光学效应。他们的结论是需要减轻光束的自聚焦、受激拉曼散     

1-3型二维柱形凹面线聚焦换能器声场特性

设计并研制了柱面结构的1-3型复合材料凹面线聚焦换能器,在提高换能器带宽的同时,可以实现声场的线聚焦。将换能器内部PZT柱作为独立声源,应用瑞利积分和叠加原理,推导出了柱形凹面换能器总声场的理论表达式。通过仿真计算分析了换能器在聚焦线上的声场特点以及相关参数对聚焦性能的影响。对换能器参数做出合理设计,使换能器在实现线聚焦的同时,声场在聚焦线上的起伏较小,从而设计并制作出聚焦性能良好的线聚焦凹面换能器探头。实验测试结果表明采用本文方法计算得到的换能器声场与实测的声场分布基本符合,柱形凹面换能器在其几何焦点附近范围内均可实现聚焦,并在侧向上形成清晰的聚焦线,其聚焦线长度为换能器的侧向结构长度,在聚焦线上声场分布起伏较小。      

放电参数对毛细管放电泵浦的软X射线激光的影响

 以哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家重点实验室中的Marx发生器的放电脉冲波形为基础，理论上模拟计算了在不同放电参数下充氩气的毛细管放电产生的等离子体状态和类氖氩离子3p_3s跃迁线的增益系数的时空演变过程。中心模型中，选取内径为3.1 mm 的陶瓷毛细管并充入初始密度为1.07×10^-6g·cm^-3的氩气，电流脉冲峰值为27.81 kA，脉冲宽度为61.4 ns。改变放电参数进行模拟，结果表明：上升前沿越陡，则增益系数越大，电流脉冲上升时间在20~40 ns，电流峰值在25~40 kA，电流脉冲宽度在50~70 ns范围内，毛细管放电产生的等离子体状态比较理想，可获得较高的增益系数。     

K-原子能移和宽度的唯象分析

尝试用Woods-Saxon形式的光学势来分析K原子，通过拟合一系列K原子数据，得到了一套最佳光学势参数. 把得到的这套光学势和前人的其它几种光学势在接近核表面处作了比较，发现他们彼此符合得很好. 另外，与核子-核势相比较，对于虚部势，K-核的Woods-Saxon势与核子-核的很相似，但是对于实部，K-核势要更深更窄一些.     

Absence of Charge-Resonance-Enhanced Ionization in Attosecond Pulse Photoionization： Numerical Result on One-Dimensional H2^＋

We present a numerical result of photoionization rate for the one-dimensional molecular hydrogen ion model exposed to intense light of 1 × 10^16-2×10^16 W/cm^2, 55-as pulse duration, and 800nm wavelength. In contrast to the previous calculation result of charge-resonance-enhanced ionization for lower intensity and much longer pulse, our result exhibits an ionization saturation. The numerical results are interpreted in the field-dressed potential picture as over-the-barrier liberation of electrons. This extremely short pulsewidth and relatively high field phenomenon requests experimental demonstration.     

A Q-Swicthed All-Solid-State Single-Longitudinal-Mode Laser with Adjustable Pulse-Width and High Repetition Rate

A single-longitudinal-mode （SLM） laser-diode pumped Nd： YAG laser with adjustable pulse width is developed by using the techniques of pre-lasing and changing polarization of birefingent crystal The Q-switching voltage is triggered by the peak of the pre-lasing pulse to achieve the higher stability of output pulse energy. The output energy of more than I mJ is obtained with output energy stability of 3% （rms） at lOO Hz. The pulsewidth can be adjusted from 30ns to 300ns by changing the Q-switching voltage. The probability of putting out single-longitudinal-mode pulses is almost 100%. The laser can be run over four hours continually without mode hopping.