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71.
本文将细胞内环境假定为分数阶牛顿黏弹性体并建立了单位质量的一维线动分子马达的时间非对称分数阶类郎之万棘齿模型,其中的周期势函数是空间对称的,而用于刻画ATP水解反应引起的环境波动的则是无偏的时间非对称类郎之万噪声.然后本文将模型转化为离散映射以便进行计算机模拟.最后本文以Logistic映射所生成的类郎之万噪声为例简单模拟了模型的定向输运行为.各参数情形下的模拟结果均显示:无需势函数的空间对称破缺,时间非对称的类郎之万噪声已足以引起模型的定向输运.负向的输运行为应归因于Logistic映射的两个不稳定不动点的非对称分布.因此,尽管模拟结果同整数阶模型相比并无本质区别,但分数阶模型对于分子马达的噪声整流机理的刻画却无疑更接近实际情况. 相似文献
72.
建立了一套用于研究单价正离子与气体分子碰撞的单电子俘获过程的装置,测量了7.5-30keV能量范围的C+、N+、O+离子与H2分子碰撞单电子俘获截面。对于30keV能量点,我们的实验结果和文献推荐值符合较好,其它能量点尚未见报道 相似文献
73.
用于惯性约束聚变诊断的软X射线探测元器件的能量响应曲线定标,利用北京同步辐射装置(BSRF-3B1束线,束流为20—80mA,光子能量为250—1000eV,通量约为1012photon/s·mm2·mr2·0.1%band width)及反射率计靶室,采用AXUV-100硅光二极管作源强绝对监测.对X射线二极管(XRD)及金刚石光电导探测器等五种探测元件进行能量响应曲线定标,获得初步实验结果,并对数据进行了分析
关键词: 相似文献
74.
用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0.16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(FWHM)减小.结果证明,用射频磁控溅射法通过适当控制退火温度可得到高质量MgxZn1-xO薄膜. 相似文献
75.
An all-solid-state quasi-continuous-wave dispersion cavity tunable Ti:sapphire laser pumped by a laser diode pumped frequency-doubled Nd:YAG laser is reported. Using a dense flint glass prism as the dispersion element, a tuning range from 730 to 880 nm with the linewidth of 3 nm and the pulse width of 17.2 ns was obtained. The maximum output, power of this laser system was 5.6 W at 786.3 nm corresponding to an optical-to-optical conversion efficiency of 25.5% under the pump power of 22 W. 相似文献
76.
在室温下采用电子束蒸发的办法制备二氧化锆(ZrO2)薄膜。 借助紫外分光光度计、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)等方法研究了薄膜的透射率和表面结构。 同时研究了不同退火温度对薄膜物理性质的影响。在退火温度700,900,1 050 ℃时显微镜图像没有明显差别。随着退火温度的变大,薄膜表面的晶粒的直径逐渐变大,但粒径均在25 nm左右。当退火温度达到1 150 ℃时,粒径变得很大(约400 nm)。在700,900,1 050 ℃下退火后的薄膜的X射线衍射谱没有明显差别。在退火温度1 150 ℃下出现了较高的峰,研究结果表明:退火温度的增加,大量大粒径二氧化锆单晶晶粒出现,使得二氧化锆薄膜的漏电流增大,从而导致其热稳定性变差。 相似文献
77.
用射频磁控溅射法在80℃的衬底温度下制备出MgxZn1-xO(0≤x ≤030)薄膜.x射线 衍射(XRD)结果表明,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构, 没有形成任何显著 的MgO分离相,MgxZn1-xO薄膜的择优取向平行于与衬底垂直的 c轴;c轴晶格常数随着Mg含量的增加逐渐减小.在MgxZn1-xO薄膜的光透射谱中出现 锐利的吸收边,由透 射谱估算出MgxZn1-xO薄膜的带隙宽度由332eV(x=0)线性地 增加到396eV(x=030).
关键词:
xZn1-xO薄膜')" href="#">MgxZn1-xO薄膜
射频磁控溅射
Mg含量 相似文献
78.
用射频磁控溅射法在80℃的衬底温度下制备出MgxZn1-xO(0≤x≤0.30)薄膜.x射线衍射(XRD)结果表明,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,没有形成任何显著的MgO分离相,MgxZn1-xO薄膜的择优取向平行于与衬底垂直的c轴;c轴晶格常数随着Mg含量的增加逐渐减小.在MgxZn1-xO薄膜的光透射谱中出现锐利的吸收边,由透射谱估算出MgxZn1-xO薄膜的带隙宽度由3.32eV(x=0)线性地增加到3.96eV(x=0.30). 相似文献
79.
研究了在PBS缓冲介质中,一种检测癌胚抗原的新型免标记免疫电化学传感器的制备,将石墨烯、二茂铁的高效催化及壳聚糖的优良生物相容性和成膜性、离子液体的导电性等优势充分结合构建了电化学免疫传感器。通过循环伏安法及交流阻抗对修饰的电极进行表征,在最优条件下,癌胚抗原的质量浓度在0.2~50.0 ng/mL的范围内与差分脉冲伏安法峰电流呈良好的线性关系,回归方程为Δi=0.38-1.31ρ,相关系数分别为0.9967,检测限为0.06 ng/mL,该传感器可用于人血清样品的测定。 相似文献
80.