高掺杂InGaAsP材料的荧光光谱和Moss-Burstein移动

本文研究了77K下,n型InGaAsP材料的阴极荧光。利用导带到类受主能级跃迁的模型,考虑到高掺杂样品带尾效应的影响,计算了高掺杂样品阴极荧光光谱随掺杂浓度变化的Moss-Burstein移动。理论计算结果与实验值较好地符合。     

决定AlGaInP高亮度发光二极管光提取效率的主要因素

影响发光二极管光提取效率的主要因素有：出光表面状态、上电极和体内吸收．对于ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管体内吸收主要是衬底和发光区的吸收．一般采用出光表面粗化、窗口层、ＤＢＲ反射器等措施来提高光提取效率．本文以自发辐射随机分布模型为基础，以ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管典型结构的各种参数为依据，从理论上分析了这几种主要措施对光提取效率的影响．     

砷化镓p-n结的受激发射的光谱特性

砷化镓p-n结的受激发射光谱是注入型光激射器的重要性能之一。本文报导了砷化镓激射器的发射光谱的精细结构,讨论了注入电流及热效应对器件工作状态的影响。 p-n结是由锌扩散入n型掺碲的砷化镓所制成的。谐振腔的两反射面用解理方法得到。器件在脉冲状态下产生受激发射。脉冲重复频率在2至200周/秒内可变脉冲波形为2微秒宽的矩形。在液氮温度下,器件的阈电流密度在2600安/厘米~2至6000安/厘米~2之间变化。     

用MOS方法研究四元混晶In0.75Ga0.25As0.58P0.42中的深能级中心

采用MOS方法,在液相外延生长的n型In_0.75Ga_0.25As_0.58P_0.42混晶中,我们测出了两个位于导带下面0.20eV和0.48eV处的电子陷阱,对电子的俘获截面分别为1.4×10^-16cm²和3.8×10^-12cm²。关于采用MOS方式研究具有多层结构的化合物半导体材料的DLITS问题,本文也进行了讨论。 关键词：     

用MOS方法研究四元混晶In_(0.75)Ga_(0.25)As_(0.58)P_(0.42)中的深能级中心

采用MOS方法,在液相外延生长的n型In_(0.75)Ga_(0.25)As_(0.58)P_(0.42)混晶中,我们测出了两个位于导带下面0.20eV和0.48eV处的电子陷阱,对电子的俘获截面分别为1.4×10~(-16)cm~2和3.8×10~(-12)cm~2。 关于采用MOS方式研究具有多层结构的化合物半导体材料的DLITS问题,本文也进行了讨论。