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71.
碳羟基磷灰石除废水中铬(Ⅵ)吸附动力学和热力学研究 总被引:6,自引:2,他引:4
利用废弃蛋壳合成碳羟基磷灰石(CHAP)对含铬(Ⅵ)离子废水进行吸附实验研究,考查了溶液的pH值、吸附时间和温度对吸附平衡的影响,并探讨了吸附动力学和热力学行为.结果表明:常温下,吸附时间为30min、pH=3.0、5g/L CHAP对50mg/L的铬(Ⅵ)离子的吸附率达到98.3%以上,CHAP对铬(Ⅵ)离子的吸附机理符合Langmuir和Freundlich方程;准二级动力学模型比准一级动力学模型能更好地描述CHAP对含铬(Ⅵ)离子吸附动力学行为;不同温度下的吸附热力学的吉布斯自由能以及熵变和焓变显示该吸附过程为自发吸热反应. 相似文献
72.
二(o-甲基苄基)二氯化锡与N-(o-甲基苄基)羟胺在碱性条件下反应,合成了有机锡配合物{[(o-MeC6H4CH2)2Sn(O)]2(o-MeC6H4CH2NHO)}2。经X-射线衍射方法测定了化合物的晶体结构。该化合物晶体属三斜晶系,空间群P-1,晶体学参数 a =1.0604(5) nm,b =1.3078(7) nm,c = 1.3742(47 nm,α=105.174(12)?,β = 90.229(7)?,γ=101.028(6)?,Z = 1,V =1.8025(15) nm3,Dc=1.522Mg•m-3,?(MoKa)= 1.423 mm-1,F(000)= 834,R1=0.0455,wR2=0.1017。化合物是三个以Sn2O2构成的平面四元环组成的梯状结构,锡原子均为五配位的畸变三角双锥构型。测定了配合物的体外抗癌活性,结果表明配合物对WiDr和MCF-7等癌细胞有一定的抑制能力。 相似文献
73.
74.
Electrical Properties of La-Doped Al2O3 Films on Si (100) Substrates as a High-Dielectric-Constant Gate Material 下载免费PDF全文
Amorphous La-doped Al2O3 (La: Al2O3) thin films are deposited on n-type (100) Si substrates by rf magnetron co-sputterlng. The composition of the deposited films is measured by energy dispersive x-ray spectroscopy: Capacitance-voltage measurement shows that the dielectric constant k of La-doped Al2O3 films ranges from 8.5 to 11.6 with the increasing La content, and the highest k value of 11.6 is obtained for the 20.14% La content film. In the structure of the Al/La:Al2O3/Si metal oxide semiconductor, the dominant conduction stems from the space- charge-limited current at different temperatures. In addition, the wavelength dependence of the transmittance is studied by ultraviolet spectroscopy and the band gap of all the deposited films is above 5.5eV. The results demonstrate that La-doped Al2O3 can meet the requirement of next-generation gate materials. 相似文献
75.
76.
This paper further investigates the synchronization problem of a new chaotic system with known or unknown system parameters. Based on the Lyapunov stability theory, a novel adaptive control law is derived for the synchronization of a new chaotic system with known or unknown system parameters. Theoretical analysis and numerical simulations show the effectiveness and feasibility of the proposed schemes. 相似文献
77.
新型含氟α-氨基膦酸酯的合成和晶体结构 总被引:6,自引:2,他引:4
利用含氟苯基亚胺与亚磷酸酯反应,合成了新型含氟α-氨基膦酸酯,通过元素分析、红外光谱、质谱、核磁共振氢谱对其结构进行了表征.X射线单晶衍射测试结果表明:化合物为三斜晶系,空间群P1,a=1.0178(6)nm,b=1.0354(6)nm,c=2.2534(13)nm,α=77.413(10)°,β=78.340(10)°,y=77.540(10)°,V=2.233(2)nm3,Z=4,Dc=1.289 Mg·m-3,μ=O.175 mm-1,F(000)=904.0,最终偏离因子R=0.0728,wR=0.1724. 相似文献
78.
采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SiTiO3(STO)薄膜.研究了STO薄膜金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明,STO薄膜显示出优异的介电性能,在10kHz处的介电常数约为105,损耗低于0.01,这来源于多晶结构和良好的结晶性;MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为1.5×1012cm-2和(1.4-3.5)×1012 cm-2 eV-1,这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关. 相似文献
79.
A thiourea-based tripodal colorimetric anion sensor was synthesized. Its binding abilities with AcO^- and halide anions in DMSO were studied by UV-Vis spectra. The sensor showed different color responses to these anions. The association constants and different stoichiometries were deduced by nonlinear least-square curve fitting or linear fitting. 相似文献
80.
采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SrTiO3(STO)薄膜.研究了STO薄膜金属 绝缘体 半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明,STO薄膜显示出优异的介电性能,在10kHz处的介电常数约为105,损耗低于001,这来源于多晶结构和良好的结晶性;MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为15×1012cm-2和(14—35)×1012cm-2eV-1,这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关.
关键词:
SrTiO3薄膜
MIS结构
介电性能
Si/STO界面 相似文献