| SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性 |
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| 引用本文： | 马建华,孙璟兰,孟祥建,林铁,石富文,褚君浩.SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性[J].物理学报,2005,54(3). |
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| 作者姓名： | 马建华 孙璟兰 孟祥建 林铁 石富文 褚君浩 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，上海市AM基金 |
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| 摘 要： | 采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SiTiO3(STO)薄膜.研究了STO薄膜金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明,STO薄膜显示出优异的介电性能,在10kHz处的介电常数约为105,损耗低于0.01,这来源于多晶结构和良好的结晶性;MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为1.5×1012cm-2和(1.4-3.5)×1012 cm-2 eV-1,这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关.
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| 关 键 词： | SrTiO3薄膜 MIS结构 介电性能 Si/STO界面 |
Dielectric and interface characteristics of SrTiO3 with a MIS structure |
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| Ma Jian-Hua,SUN Jing-Lan,MENG Xiang-Jian,Lin Tie,Shi Fu-Wen,CHU Jun-Hao.Dielectric and interface characteristics of SrTiO3 with a MIS structure[J].Acta Physica Sinica,2005,54(3). |
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| Authors: | Ma Jian-Hua SUN Jing-Lan MENG Xiang-Jian Lin Tie Shi Fu-Wen CHU Jun-Hao |
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