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71.
AuNP aggregation-induced quantitative colorimetric aptasensing of sulfadimethoxine with a smartphone
A gold nanoparticle(AuNP) aggregation-induced colorimetric aptasensing method for quantitative detection of sulfadimethoxine(SDM) with a smartphone was developed. AuNPs were complexed with aptamers which protected Au NPs from aggregating in high-concentration salt solutions. In the presence of SDM,SDM bound with the aptamer on the surface of Au NPs with higher affinity, which competitively desorbed the aptamer from the AuNP surface and resulted in AuNPs aggregation, accompanied with a color chan... 相似文献
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针对大温差条件下固井水泥浆在固井过程中可能存在的悬浮失稳问题,本研究采用水溶液自由基聚合法来合成具有疏水缔合结构的聚合物作为悬浮稳定剂(PAAN)。通过红外光谱仪、凝胶渗透色谱仪、热重分析仪、高温流变仪、SEM、紫外分光光度计等表征PAAN的结构,发现PAAN随温度升高,形成分子间疏水缔合网状结构,保证了体系的粘度,从而起到有效的悬浮稳定作用。研究发现在40~110 ℃下,0.6%加量的PAAN可以保证固化后的水泥石柱顶部和底部密度差<0.01 g/cm3,且水泥浆稠化时间基本不变,表明PAAN可以保证水泥浆体系具有良好的悬浮稳定效果,且对水泥浆的其他性能无不良影响。 相似文献
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从头发的结构和组成出发分析头发形状和颜色改变的可能性,剖析烫发、染发的化学原理,阐释先烫发后染发的本质原因,从化学视角辨证地看待烫发、染发的利弊。 相似文献
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近年来,设计和合成高性能非富勒烯受体(NFAs)材料已经成为太阳能电池研究领域的前沿课题。基于DA'D型稠环结构的NFAs由于具有吸光系数高、能级和带隙可调、结构易于修饰、分子可高效合成、光电学性能优异等优点而受到了越来越广泛的关注。在短短7年的时间里,能量转换效率(PCE)从3%~4%提高到18%。2019年初邹应萍等报道了一个优秀的受体分子Y6,与PM6共混制备单结电池,获得了15.7%的能量转换效率。Y6类受体材料的中心给电子单元为DA'D型稠环结构,缺电子单元(A')通过氮原子与两个给电子单元(D)并联形成稠环结构,这有助于降低前线分子轨道能级并增强吸收,同时与氮相连的两个烷基链和位于噻吩并噻吩β位的两个侧链则有助于提高溶解度及调节结晶性。自Y6问世以来,人们对分子的结构剪裁进行了深入的研究,并报道了数十种新的结构。在这些新的受体中,DA'D部分的结构裁剪对提高器件效率和太阳能电池的性能起着至关重要的作用。本文对A'、D单元和侧链结构修饰的研究进展进行了综述。通过选择几组受体,对最近报道的分子进行分类,并将它们的光学、电化学、电学和光电性质与精确的结构修饰相关联,从而对结构-性能关系进行全面概述。 相似文献
78.
Ferroelectric materials, characterized by the switchable spontaneous polarization(Ps) through reversing the directions of external electric field, exhibit versatile physical attributes that have been extensively used for practical device applications. Two-dimensional(2D) organic-inorganic hybrid perovskites are recently emerging as a robust family of candidate ferroelectrics, termed ferroelectric semiconductors. In particular, the coexistence and/or coupling of ferroelectric polarization with th... 相似文献
79.
80.
WS2由于其优异的物理和光电性质引起了广泛关注。本研究基于第一性原理计算方法,探索了本征单层WS2及不同浓度W原子替位钇(Y)掺杂WS2的电子结构和光学特性。结果表明本征单层WS2为带隙1.814 eV的直接带隙半导体。进行4%浓度(原子数分数)的Y原子掺杂后,带隙减小为1.508 eV,依旧保持着直接带隙的特性,随着Y掺杂浓度的不断增大,掺杂WS2带隙进一步减小,当浓度达到25%时,能带结构转变为0.658 eV的间接带隙,WS2表现出磁性。适量浓度的掺杂可以提高材料的导电性能,且掺杂浓度增大时,体系依旧保持着透明性并且在红外光和可见光区对光子的吸收能力、材料的介电性能都有着显著提高。本文为WS2二维材料相关光电器件的研究提供了理论依据。 相似文献