全文获取类型
收费全文 | 126篇 |
免费 | 16篇 |
国内免费 | 51篇 |
专业分类
化学 | 83篇 |
力学 | 13篇 |
综合类 | 3篇 |
数学 | 43篇 |
物理学 | 51篇 |
出版年
2022年 | 1篇 |
2021年 | 3篇 |
2020年 | 3篇 |
2019年 | 6篇 |
2018年 | 1篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 4篇 |
2014年 | 8篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 4篇 |
2011年 | 4篇 |
2010年 | 8篇 |
2009年 | 7篇 |
2008年 | 3篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 8篇 |
2005年 | 14篇 |
2004年 | 11篇 |
2003年 | 5篇 |
2002年 | 7篇 |
2001年 | 5篇 |
2000年 | 5篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 9篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 4篇 |
1993年 | 2篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 8篇 |
1990年 | 1篇 |
1989年 | 2篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 12篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 1篇 |
1981年 | 2篇 |
1979年 | 1篇 |
1978年 | 1篇 |
1975年 | 1篇 |
1964年 | 2篇 |
1963年 | 1篇 |
1958年 | 1篇 |
1956年 | 1篇 |
排序方式: 共有193条查询结果,搜索用时 46 毫秒
71.
有叶扩压器的流场分析 总被引:3,自引:1,他引:2
本文利用计算流体力学通用软件了进行离心压气机扩压器的初步设计工作。参照有关文献[1~8]中的设计公式,本文进行了以下几种扩压器的几何造型和数值计算: (1)双圆弧中心线机翼型叶片扩压器; (2)楔形扩压器;(3)用优化程序设计的扩压器,给出了各扩压器造型在给定边界条件下流场的马赫数、静压、总压的分布,计算出各扩压器造型的静压比和总压恢复系数。最后对设计的扩压器与叶轮一起连算,以取得更接近实际情况的计算结果。通过对计算结果进行的分析比较,得到了离心压气机扩压器设计中有价值的初步性结果,为进一步的设计提供了改进途径和相应的基础数据。 相似文献
72.
GaN外延片中载流子浓度的纵向分布 总被引:1,自引:1,他引:0
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ECV)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向分布.探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分析结果可为生长工艺参数的优化提供参考.还采用主扩散模型对测量结果进行高斯拟合,得出了高温时(1030℃)硅在GaN中的扩散系数,并由此估算了硅在GaN外延片中的扩散宽度.该结果可为GaN外延层结构设计提供参考. 相似文献
73.
研究一类具连续分布滞量的偶数阶非线性中立型泛函微分方程解的振动性,利用数学分析方法和技巧与方程各阶导数的符号关系,建立了该类方程的若干新的振动准则,并通过实例加以阐明. 相似文献
74.
75.
用能量色散X射线荧光光谱方法检测轻基体中重金属元素时,提高峰背比是一大难题,而设置滤片是解决这个难题的一种办法。该研究先对初级滤片(分为一类初级滤片和二类初级滤片)和次级滤片(平衡滤片)的选择(材料元素及厚度)作了理论分析,然后通过MC软件进行蒙特卡罗进行分别模拟,比较设置前后的峰背比,验证理论分析的准确性。一类初级滤片模拟设置了Fe和Cu两种材料,结果表明设置后的峰背比较设置前的1.36均提高了两倍左右;二类初级滤片模拟设置了Te和Ba两种材料,设置后的最大峰背比分别为14.88和13.58,均比比设置前提高了10倍左右;平衡滤片则是先后设置Rh和Ru两个滤片,两者计数相减即得到平衡通带,结果可见通带内特征峰透过率为83.1%,而通带外的背景值降低到几乎为0,使得峰背比大大增加了。经过比较,三种滤片的设置都有效地提高了峰背比,其中平衡滤片提高的倍数最大,二类初级滤片次之,最小为一类初级滤片。理论上三种滤片是可以同时设置以更大地提高峰背比的,但由于轻基体中Cd元素含量很小,而低计数的结果会大大增加放射性统计涨落误差,因此,在实际应用中,还应考虑到这一点,以决定是否进行两两同时设置或者三者同时设置。研究创新之处在于除了传统的两种滤片外,还提出了二类初级滤片的运用。 相似文献
76.
77.
利用ab initio HF 和密度泛函理论(DFT)B3LYP方法,对有机发光材料8-羟基喹啉镓(Gaq3)进行了几何结构优化,系统分析前线分子轨道特征和能级分布规律以探索其电子跃迁的机理.对3种Gaq3衍生物及其高聚物进行分子设计,分析它们的发光可能性及配体对光谱性质的影响.揭示Gaq3及其衍生物所形成的高分子体系的能带分布特征和规律.结果表明,电子在基态与激发态间的跃迁,主要是在配体8-羟基喹啉环内或环间的电荷转移,主要为π-π*跃迁.电子从含O的苯酚环转移至含N的吡啶环上,O为电子的给体,N为电子的受体.电荷转移的途径应有两种方式:一种是通过喹啉环上的C原子环内传递;另一种则是通过金属离子对配体8羟基喹啉的有效支撑,加强了环间相互作用,促进电子的转移.Gaq3衍生物的分子设计将有效提供合成发光材料的一个方向. 相似文献
78.
79.
80.