Att-U-Net：融合注意力机制的U-Net骨导语声增强*

近年来大量全卷积网络、U-Net等编解码网络结构应用于语音增强,它们具有计算复杂度低、模型参数少等优势。然而,与长短时记忆模型等方法相比,这些编解码结构仍存在不能充分利用先后时间之间和高低频率之间的关联信息等缺点,尤其对于长序列数据的输入,编解码结构存在信息丢失的问题。为保持计算效率的同时考虑更充分的时频关联信息建模,本文提出一种融合注意力机制的U-Net网络的骨导语音增强方法（Att-U-Net）,通过在跳跃连接中引入注意力机制,生成一个权重矩阵,将编码层中的全局信息根据权重融入对应的解码层中,使网络在编解码过程中能够关注输入数据中与增强目标相关程度高的重要信息,同时抑制不相关的信息。在骨导语音数据集上的实验表明,融合注意力机制的U-Net网络能在保持模型轻量化的同时有效提升骨导语音的增强效果,增强后的语音在各项客观评价指标上均优于基线模型。通过对编解码网络中间层的可视化分析发现,在解码过程中注意力机制有效地保留了有声段的信息,滤除了骨导语音由于骨导传声特性带来的中频共振,从而使得增强后的骨导语音具有较好的听觉效果。     

双压电体界面上的电偶极子和裂纹

求得了压电体双材料界面上的孤立二维电偶极子的解析解,结果表明某点电偶极子激发的应力一电位移场与该点到电偶极子的距离的平方成反比.研究了压电体双材料界面上的电偶极子对裂纹的作用,得到了问题的闭合解.在电偶极子的作用下,界面裂纹裂尖近区应力-电位移仍具有r-1/2+iεα的振荡奇异性,文中求得裂尖应力强度因子,当电偶极子距裂尖距离ρ很近时,裂尖应力强度因子与ρ-3/2-iεα成比例.     

率相关非比例循环塑性内时本构模型

将材料响应的总应力表示为平衡态应力和非平衡成过应力的和，分别定义描述率无关和率相关变形过程的内时，在平衡态响应的描写中，假定反映非比例加载效应的附加等等向强化和异向强化函数与沿应力迹法向的塑性应变分量的累积量相关，并在其中考虑加载路径几何性质变化的影响，建立一组率相关非比例循环塑性内时本构方程，对ＸＣｒＮｉ１８．９不锈钢在不同加载率下的单轴比例和多轴非比例响应进行预测，与Ｈａｕｐｔ和Ｌｉｏｎ的实验     

胍盐离子液体捕获CO2温室气体的机理

通过量子力学与分子动力学对胍盐离子液体的模拟表明,胍阳离子与氯负离子之间存在较强的相互作用,其相互作用能约为-109．216kcal／m01．从能量与几何分布可见,两种空间分布方式中最稳定构象为Middle作用模式．径向分布函数也验证了这一结论．C02含量的不断增加并没有对离子液体的结构产生影响,而是被离子液体的空腔捕获．     

新型毛细管等电聚焦驱动方法的建立及其应用

毛细管等电聚焦(CIEF)在生物分离分析领域中的发展迅速．CIEF可分为两步法聚焦和一步法聚焦．电渗流(EOF)可作为一种新的驱动力．Rassi等根据串连体系中电渗流速率将被平均化的原理,将未涂层毛细管与聚乙二醇涂层的毛细管通过聚四氟乙烯管耦合起来,成功地利用毛细管区带电泳快速分离蛋白．此外,利用电渗流输液原理设计的电渗泵还可用作流动注射和微柱液相色谱的驱动系统。     

无死体积蚀刻多孔膜接口的制作及其在二维毛细管电泳分离系统中的应用

介绍了一种在毛细管柱上原位腐蚀而成的多孔膜接口的制作方法,并用该接口构建了一类毛细管电泳二维分离技术平台。柱上原位腐蚀刻成的多孔膜接口具有零死体积、制作过程简易、成本低廉、耐用、柱间切换便捷等优点,特别适合作为基于毛细管柱的二维及多维电泳联用中的接口,是目前二维及多维毛细管柱联用中一类较为新型、实用、理想的接口。以鹿茸冻干粉可溶物样品为例,验证了该接口在二维毛细管电泳联用系统中的可行性和分离效能。实验结果表明：鹿茸冻干粉可溶物整个二维分离分析的时间在1 h内完成,二维分离系统的分辨率和总峰容量都比一维的高。     

分离分式降低思维难度一再证一赛题

2008年全国高中数学联赛山东赛区预赛第17题：若x〉0,y〉0,z〉0,且xyz=1,求证：1〈1/1＋x＋1/1＋y＋1/1＋z〈2. 文[1]认为命题组给出的证法简捷明了,但是高中教材没有此法,大部分没有经过培训的高中生是想不到此法的,于是提供了一个利用真分数的分子、分母各加L一个相同的正数,则分数的值增大来证明,文[1]也指出“这个证法独特,技巧性极强,要求对教材中的题目做的深透,提高思维层次,活用证明方法,”由此观之,要想到也是很难的．我想到,只要用到消元思想,目标意识,分离出1与2来,是不难证明此题的．下面就写出这个证法：     

只要用得妙 常规也能得巧解

例1题目：求sin80°/sina20°－√3/2sin80°的值。《中学生数学》2009年1月上发表的齐迪同学的文章《三角函数一题巧解》介绍了一个常规解法,然后提供了一个巧解,我读后觉得,巧则巧矣,但是,确实难以想到,过程并不简单。     

Optical Performance of N-Face A1GaN Ultraviolet Light Emitting Diodes

The optical property and injection efficiency of N-face A1GaN based ultraviolet light emitting diodes （UV-LEDs） are studied and compared with Ga-face A1GaN based UV-LEDs. A staircase electron injector is introduced in the N-face AIGaN based UV-LED. The electroluminescence spectra, power-current performance curves, energy band diagrams, carrier concentration and radiative recombination rate are numerically calculated. The results indicate that the N-face UV-LED has a better optical performance than the Ga-face UV-LED, and the injection efficiency is enhanced owing to the fact that the staircase electron injector is available for UV-LEDs.     

Multiple-State Storage Capability of Stacked Chalcogenide Films （Si16Sb33Te51/Si4Sb45Te51/Si11Sb39Te50） for Phase Change Memory

The multiple-state storage capability of phase change memory （PCM） is confirmed by using stacked chalcogenide films as the storage medium. The current-voltage characteristics and the resistance-current characteristics of the PCM clearly indicate that four states can be stored in this stacked film structure. Qualitative analysis indicates that the multiple-state storage capability of this stacked film structure is due to successive crystallizations in different Si-Sb-Te layers triggered by different amplitude currents.