Fe（Ⅱ）—DPPT—OP光度法测定非金属矿物中微量铁

4,7-二苯基—1,10-二氮杂菲(DPPT)与Fe~(2 )显色有良好的选择性.且灵敏度为1,10-二氮杂菲的2倍.但DPPT为非水溶性物质,故文献[1]采用Triton X-100增溶后,用于测定天然水和海洋生物体内微量铁.本工作采用容易获得的国产品乳化剂OP(主要成分为聚乙二醇辛基苯基醚)代替Triton X-100,并将方法用于非金属矿物中微量铁的测定,获得满意结果.     

系统教育观下经济管理数学教学改革的思考与实践

系统教育观下经济管理数学课堂教学的涵义 ,现状及五大对策 :改革教法 ,充实教学内容 ,尊重学生的学习需要 ,开展过程教学 ,激发创造性 ,渗透人文素质教育 .     

稀土对20Mn钢等温相变及组织形态的影响

研究了不同稀土含量对20Mn钢等温相变及组织形态的影响。随钢中稀土含量的增加,先共析铁素体析出的孕育期缩短,完成珠光体相变所需时间延长;针状铁素体量减少直至消失;珠光体片间距变密且相对转变量减少;粒状贝氏体中碳化物易于偏聚。稀土减小原奥氏体晶界能和相界面能,稀土原子偏聚在相界面上阻碍碳原子的扩散,以及可能形成高熔点稀土碳化物而减少奥氏体中碳的固溶量,是产生上述结果的主要原因。     

Sol-gel法制备W/WO3 H+选择性电极的研究

利用Sol—gel法制备了W／WO3 pH电极，研究了电极的H^ 响应范围、响应灵敏度、响应时间与滞后效应；讨论了热处理温度与H^ 响应行为的关系及干扰离子和溶液温度对H^ 响应的影响；提出了氧化膜内H^ 迁移嵌入方式和响应机理。     

新型纳升级毛细管刻蚀电喷雾质谱接口研究

对普通石英毛细管表面使用氢氟酸刻蚀技术进行刻蚀, 并与商品化鞘流液毛细管电泳-质谱接口(Sheathflow CE-MS interface)结合, 将其改装成一种新型的纳升级电喷雾质谱接口. 玻璃膜接口部分呈多孔结构, 壁厚约10 μm. 以细胞色素c对新型接口加以评价, 样品的流量最低可达到20 nL/min; 在50~500 nL/min流量范围内刻蚀接口具有较高的响应信号. 考察了接触电解质溶液对样品电离的影响; 比较微升级不锈钢接口和新型接口的蛋白质检测结果发现, 在流速为200 nL/min时, 检测灵敏度可以提高3.6倍.     

量子限制受主远红外电致发光器件的制备与测量

采用分子束外延技术生长GaAs/AlAs三量子阱,并在中间的GaAs阱中δ-掺杂浅受主杂质Be原子,制作出量子限制受主远红外Teraherz原型电致发光器件.实验上测量得到4.5 K时器件的电致发光谱（EL）和电传输特性（I-V曲线）.在EL发射谱中清楚地观察到222 cm^-1处宽的尖峰,这来源于Be受主奇宇称激发态到其基态的辐射跃迁,而非辐射弛豫过程则使发射谱的信号很弱.另外在I-V曲线中072和186 V的位置出现两个共振隧道贯穿现象,分别对应于中间δ-掺杂量子阱受主能级1s_3/2(Γ₆+Γ₇)到左边非掺GaAs量子阱中HH带,及右边非掺杂GaAs量子阱中HH重空穴带到中间掺杂GaAs量子阱中Be受主杂质原子奇宇称激发态2p_5/2(Γ₆+Γ₇)能级的共振隧穿. 关键词： 量子限制效应 电致发光 共振隧穿效应 δ-掺杂GaAs/AlAs三量子阱     

量子限制受主远红外电致发光器件的制备与测量

采用分子束外延技术生长GaAs/AlAs三量子阱,并在中间的GaAs阱中δ-掺杂浅受主杂质Be原子,制作出量子限制受主远红外Teraherz原型电致发光器件.实验上测量得到4.5 K时器件的电致发光谱（EL）和电传输特性（I-V曲线）.在EL发射谱中清楚地观察到222 cm^-1处宽的尖峰,这来源于Be受主奇宇称激发态到其基态的辐射跃迁,而非辐射弛豫过程则使发射谱的信号很弱.另外在I-V曲线中072和186 V的位置出现两个共振隧道贯穿现象,分别对应于中间δ-掺杂量子阱受主能级1s_3/2(Γ₆+Γ₇)到左边非掺GaAs量子阱中HH带,及右边非掺杂GaAs量子阱中HH重空穴带到中间掺杂GaAs量子阱中Be受主杂质原子奇宇称激发态2p_5/2(Γ₆+Γ₇)能级的共振隧穿.     

几何Lévy模型中鞅测度的均值修正法及应用

在几何Levy过程模型中,利用均值修正方法构造了一个鞅测度Q~(m_0).证明了Q~(m_0)为等价鞅测度的充要条件是Levy过程具有Brownian运动部分.对于纯跳过程,证明了欧式看涨期权在Q~(m_0)下的价格仍然无套利.