| GaP:N LED外延片微区光致发光和拉曼散射研究 |
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| 引用本文： | 高瑛,高汉江,骆永石,刘和初,董跃进,章厚琪.GaP:N LED外延片微区光致发光和拉曼散射研究[J].发光学报,2000,21(3):200-204. |
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| 作者姓名： | 高瑛 高汉江 骆永石 刘和初 董跃进 章厚琪 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130021
2. 南昌746厂,江西,南昌,330012 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关项目，863-715-Z34-01， |
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| 摘 要： | 在国内首次通过微区光致发光结合拉曼散射的方法研究了GaP:N五层结构的绿色发光外延片，用大破坏性的光学方法得到了载流子浓度的纵向分布，确定了发光最强的部位在P^－区而且不同的样品有不同的光致发光强度随厚度的衰减曲线，以此为表征，从国内外样品的比较中查找出提高国产样品的改进方向。
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| 关 键 词： | 微区光致发光 拉曼散射 磷化镓外延片 半导体 |
Study on GaP:N LED Epitaxial Layer by Microscopical Photoluminescence and Raman Spectroscopy |
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| GAO Ying,GAO Han-jiang,LUO Yong-shi,LIU He-chu,DONG Yao-jin,ZHANG Hou-qi.Study on GaP:N LED Epitaxial Layer by Microscopical Photoluminescence and Raman Spectroscopy[J].Chinese Journal of Luminescence,2000,21(3):200-204. |
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| Authors: | GAO Ying GAO Han-jiang LUO Yong-shi LIU He-chu DONG Yao-jin ZHANG Hou-qi |
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