用Pendellosung条纹研究硅单晶中微缺陷

以Ｘ射线衍射统计动力学为基础，讨论了一种用Ｘ射线截面形貌图测定静态ＤｅｂｙｅＷａｌｌｅｒ因子的方法。通过仔细分析截面形貌图中Ｐｅｎｄｅｌｌｏｓｕｎｇ干涉条纹振荡周期和强度的变化，得到了经热处理后的ＣＺ硅和ＭＣＡ硅单晶样品的Ｄｅｂｙｅ－Ｗａｌｌｅｒ因子，并求得样品中氧沉淀的浓度和平均尺寸。这种定量化的研究方法为揭示晶体中微缺陷的性质及形成机理提供了新途径。     

分散相颗粒几何因素对电流变液体反应时间的影响

瞬变的反应时间是电流变液体的一个重要参数．本文通过实验和理论分析，建立了考虑分散相颗粒几何因素的电流变反应时间模型根据此模型，长椭球状颗粒的电流变液体反应时间比等效球状颗粒的短，扁椭球状和片状颗粒的电流变液体反应时间比等效球状颗粒的长，而棒状颗粒的电流变液体反应时间则视ε_p/ε_f比值大小或快于或慢于等效球状颗粒的反应时间．且反应时间与分散相尺寸的关系是（１）随体积增大，各种形状颗粒的电流变液体反应时间均变短；（２）同体积下，随长径比增大，长椭球状颗粒的电流变液体反应时间变短，而扁椭球状颗粒和片状颗粒的电流变液体反应时间变长，棒状颗粒的电流变液体反应时间则视。ε_p/ε_f比值大小或增快或减慢．因此，要获得反应快的电流变液体，颗粒形状除选择球状外，还可在使雷诺数较小范围内，选择一定尺寸的长椭球状或棒状颗粒。 关键词：     

静电场作用下α-碘酸锂单晶的透光异常现象

实验观察到,沿α-碘酸锂单晶的z轴向施加静电场,能使晶体的透射光呈现异常分布。观察到此变化与所加的z向电场大小及其与晶体电正极面之相对取向有关,而与入射光源的相干性无关。同时注意到现象的形成落后于施加电压的弛豫效应。当施加y向电场时无此效应。     

X射线的发现及其对科学技术的影响——纪念伦琴发现X射线100周年

 一、X射线的发现 1895年11月8日是科学界值得纪念的重要日子。这一天德国维尔茨堡大学校长伦琴(W.K.Rntgen)教授发现了X射线,由于这一划时代的科学贡献,他于1901年荣获首届诺贝尔物理学奖。     

静电

 人类对电现象的认识始于静电.从古希腊哲学家塞利斯记载的木头摩擦琥珀能吸引草屑,到十六世纪英国的吉尔伯特的各种摩擦电实验,基本上都是对静电现象的观察和定性的总结.定量研究则始于十八世纪英国的卡文迪许和法国的库伦.自从1800年意大利的伏打发明电堆、获得了持续、稳定的电流之后,静电似乎已完成了历史的使命而与技术无缘.然而进入二十世纪,特别是50年代以来,随着石油化工的兴起,高分子绝缘材料的涌现,静电科学逐渐转向静电技术,其应用领域日趋扩大,静电已成为物理学领域中既古老而又年轻的一门分支学科.     

晶体表面偏角对摇摆曲线及其半峰宽的影响

本文应用X射线衍射动力学理论,计算了晶体表面偏角对X射线双晶衍射摇摆曲线及其半峰宽的影响,得出当晶体表面向某一方向存在一定的偏角时,X射线的入射方向不同,将造成摇摆曲线位置的改变和半峰宽的变化,且其变化趋势随着入射角的变小而增大,随着入射角的减小,反射峰的半峰宽增大,并向高角方向漂移,采用掠入射的不对称衍射方式时,偏角的影响更为明显。 关键词：     

AlGaAs/GaAs波导薄膜X射线双晶衍射研究

本文应用X射线双晶衍射研究AlGaAs/GaAs波导结构薄膜。结合实验结果,应用X射线衍射动力学理论。计算衬底和多层膜的反射强度,得到样品的真实结构。分析影响薄膜双晶衍射摇摆曲线的若干因素。 关键词：     

铌酸锶钠锂单晶折射率及透光曲线的测量

本文首次研究了用提拉法生长的透明不裂铌酸锶钠锂单晶在可见光波段的折射率和透过率。并分析了其误差因素。 关键词：     

硅单晶中的硅氢键和氢致缺陷

本文用红外吸收光谱、电学测量、X射线形貌术、红外显微术和电子显微术等方法,进一步研究了硅单晶中硅氢振动中心的性质以及氢和硅中缺陷的相互关系。对氢气区熔硅单晶中的十二个硅氢红外吸收谱带(分別在2210,2190,2178,2154,2124,2062,1994,1949,812,791,634和548厘米^-1处),进行了鉴别和分组;硅氢振动中心可以用模型{R}SiH_n所描述,{R}代表同Si—H键的硅原子接邻的所有元素的原子或缺陷,得到表征Si—H振动频率的、以{R}的电负性总和为自变量的线性方程。硅氢键当样品经热处理时断裂,所暴露出的硅悬键及继后形成的氢致缺陷可以作为空穴复合中心,引起少子寿命大幅度下降,电阻率在热处理前后变化不大,表明硅中的氢作为施主的可能性很小。本文提出硅中的氢可以在热驱动下沉淀,并且在氢原子或分子间的引力作用下聚集成氢气团;高温下的氢压导致位错从集团壁向外滑移,即晶体内部的“氢胀”引起氢致缺陷。该机制可认为氢对晶体材料造成力学破坏的一种方式。     

GaAs单晶滑移位错X射线形貌术研究

应用X射线形貌技术研究了掺In和不掺In 砷化稼单晶的滑移位错. 观察到由于位错密度不同, 其滑移位错的组态不同。对滑移位错和胞状网络进行了初步的理论解释. In 和不掺In 砷化稼单晶的滑移位错. 观察到由于位错 对滑移位错和胞状网络进行了初步的理论解释. 关键词：