真空退火对Ni80Fe20/Cu多层膜微结构的影响

用直流磁控溅射法在Si(001)衬底上制备了以Ta为缓冲层、含有15周期的Ni₈₀Fe₂₀（4nm)/Cu(6nm)多层膜.样品分别在150,250,350℃进行了真空退火处理.用低角和高角X射线衍射法研究了多层膜的微结构.结果表明,所有样品均有较好的[111] 取向,而且随退火温度或时间的增加,[111]取向程度变得更高.超晶格周期、平均面间距在退火后略有减小,表明多层膜结构在退火后变得更为致密.多层膜界面粗糙度随退火温度或时间的增加而增大,平均相关长度随退火温度或时间的增加而减小,分析认为这是由于Ni₈₀Fe₂₀/Cu界面存在严重的互扩散所导致的.模拟Ni₈₀Fe₂₀/Cu多层膜高角X射线衍射谱,发现在Ni₈₀Fe₂₀/Cu蜀面有非常厚的混合层存在,而且混合层厚度随退火温度或时间的增加而增大.模拟结果还表明,随退火温度或时间的增加,Ni₈₀Fe₂₀层面间距几乎保持不变,Cu层面间距则随退火温度的增加而略有减小. 关键词：     

我的良师益友

上世纪70年代末,经过"文化大革命"洗劫的中国教育开始复苏,各大学恢复招生.在"文化大革命"中,中国科学技术大学从北京迁往安徽合肥,大学的教学体制受到严重的破坏,专业教师缺乏,教学设施、实验设备和生活条件都很差.正是在这样的环境     

1997年中国青年学者物理学(凝聚态物理)讨论会简讯

１９９７年中国青年学者物理学（凝聚态物理）讨论会简讯￥中国科学院物理研究所＠麦振洪１９９７年中国青年学者物理学（凝聚态物理）讨论会简讯受国家自然科学基金委员会和中国科学院的委托，中国科学院物理研究所于８月２５—３０日在北京中国科学院物理研究所召开了“１９９...     

应变弛豫InGaAs/GaAs超晶格的X射线双晶衍射及形貌研究

应用X射线双晶衍射及双晶形貌术,对应变弛豫的InGaAs/GaAs超晶格作了研究,通过对双晶衍射摇摆曲线的计算机模拟,得到了超晶格的结构,应变弛豫机制,弛豫比,超晶格层与衬底的取向差等重要参数。从双晶形貌,得到了超晶格与衬底界面处和超晶格中的位错分布。 关键词：     

第八届全国X射线衍射学术会议简讯

由中国物理学会X射线专业委员会和中国晶体学会粉末衍射专业委员会主办，广西大学承办的“第八届全国X射线衍射学术会议”于2003年10月29日至11月5日在广西南宁举行．     

不缀饰直拉硅单晶原生微缺陷X射线形貌观察

一、前 言 无位错硅单晶中的微缺陷严重地影响着大规模集成电路的性能,已引起许多学者的关注和兴趣[1-3],由于微缺陷的应力场很小,目前对直拉硅单晶中微缺陷的观察,主要采用择尤化学腐蚀法、缀饰X射线形貌术、EBIC模式扫描电子显微术、透射电子显微术等.但上述方法的共同缺点是要对样品进行处理.近年来,一些学者采用特殊的X射线双晶形貌方法,对硅单晶原生微缺陷进行观察[4,5],但其设备复杂,实验周期长.我们首次用X射线投影和截面形貌术对不经缀饰的硅单晶原生微缺陷进行了观察,并获得了相应的微缺陷图. 二、实 验 实验用的样品是沿 [100]…     

人工水晶缺陷的X射线形貌术观察

对z向生长的人工水晶中的缺陷进行了X射线形貌术观察和离子探针成份分析,发现除了位错线外,还存在一些过去未曾观察到的层错。对这些层错和位错线的形态、Burgers矢量以及成因作了简要的分析。 关键词：     

电导率对电流变效应的影响

通过实验和理论分析，证明电导率对直流电场下电流变效应的产生及对其大小的决定作用．电流变机制不仅包括体极化和界面极化过程，而且包括离子的双电层极化过程．低频或直流电场下，显著电流变效应的体系要求σ_p＞σ_f，且ε_p＞ε_f．适当地增大σ_f，提高离子层的静电作用，有利于提高电流变液体的流变性能，但这种做法应以不引起电流过大、焦耳热过多、电功输入过大为前提 关键词：     

生长硅单晶薄片的新工艺

为了降低太阳能电池的成本,减少直拉硅单晶切片的损失,近年来不少学者研究和发展了导模法硅单晶生长技术.利用导模把硅单晶拉成带状薄片,目前已经可以拉制5cm宽的均匀硅带.而且,在一个长型坩埚中连续加料,可同时拉制6条硅带,采用电视监示控制,成功地拉出了60多米长的硅带.美国M     

高分辨X射线双晶衍射技术在半导体薄膜材料研究中的应用

本文介绍了Ｘ射线双晶衍射技术的原理和对半导体外延膜的检测；对普遍关心的衬底与外延膜的 点阵失配、膜厚和成分及其变化的测定、衬底和外延膜完美性的检测以及超晶格结构和非常薄的外延膜 的评价等作了扼要的综述．