Effect of thermal-annealing on the magnetoresistance of manganite-based junctions

Thermal-annealing has been widely used in modulating the oxygen content of manganites. In this work, we have studied the effect of annealing on the transport properties and magnetoresistance of junctions composed of a La0.9Ca0.1MnO3＋6 film and a Nb-doped SrTiO3 substrate. We have demonstrated that the magnetoresistance of junctions is strongly dependent on the annealing conditions： Prom the junction annealed-in-air to the junction annealedin-vacuum, the magnetoresistance near 0-V bias can vary from ～-60% to N～0. A possible mechanism accounting for this phenomenon is discussed.     

Characteristics of Sn-Doped Ge2Sb2Te5 Films Used for Phase-Change Memory

Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films deposited on Si（100）/SiO2 substrates by rf magnetron sputtering are investigated by a differential scanning calorimeter, x-ray diffraction and sheet resistance measurement. The crystallization temperatures of the 3.58 at.%, 6.92 at.% and 10.04 at.% Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films have decreases of 5.3, 6.1 and 0.9℃, respectively, which is beneficial to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase transition. Due to Sn-doping, the sheet resistance of crystalline Ge2Sb2Te5 thin films increases about 2-10 times, which may be useful to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase change. In addition, an obvious decreasing dispersibility for the sheet resistance of Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films in the crystalline state has been observed, which can play an important role in minimizing resistance difference for the phase-change memory cell element arrays.     

同轴快沿脉冲源研制与测试

 利用脉冲高压陶瓷电容器和高气压小间隙开关，研制了60 kV同轴式高压快沿脉冲源。利用自行研制的薄膜式电容分压器和同轴式电阻分压器对快沿脉冲源的输出参数进行测量，分析了薄膜式电容分压器的测试原理，对电容分压中二级电阻分压器元件的参数进行了优化。当脉冲源负载为50 W时，测得脉冲源输出电压的前沿小于2.3 ns，半高宽约28 ns，符合IEC电磁脉冲的最新标准。     

高自旋极化氧化物材料的颗粒边界磁电阻效应

颗粒边界磁电阻是高自旋极化氧化物颗粒体系中由于颗粒边界的存在而导致显著的磁电阻效应。本文将这种磁电阻效应定义为颗粒边界磁电阻效应。这里所说的颗粒边界,包括各种自然和人工晶界、粉末颗粒表面、复合材料中的颗粒界面等多种情况;所涉及的材料包括高自旋极化氧化物多晶、压缩粉末和各种复合材料等。对颗粒边界磁电阻效应的研究,不仅有助于人们进一步理解高自旋极化氧化物磁输运性质的基本机制,并为寻求具有高磁电阻效应的新型自旋电子学器件提供理论基础。本文综述了高自旋极化氧化物颗粒边界磁电阻研究的主要背景和发展现状,介绍了该领域中主要的实验发现和理论模型,展望了未来的发展。     

BaCuO2.5在高压下的状态方程与电学性质

 在活塞-圆筒式高压装置上研究了BaCuO_2.5在4.5 GPa内的p-V关系,给出了其状态方程、Grüneisen参数γ₀、零压体弹模量B₀以及B₀的压力导数B′₀。并在金刚石压砧装置（DAC）上测量了样品的电阻、电容随压力变化的关系,结果表明在0~20 GPa内没有发生相变。     

Composites of nanotubular polyaniline containing Fe3O4 nanoparticles

Results of charge-transport and magnetic measurements of nanotubular polyaniline (PANI) composites containing Fe_3O_4 nanoparticles (～10nm) synthesized by a "template-free" method are reported. The T^{-1/2} resistivity has been observed, and dc magnetic susceptibility data are fitted to an equation χ=χ^*_P+C/T. With increasing weight ratio of Fe_3O_4, the electrical conductivity and temperature- independent susceptibility χ^*_P increase, and the Curie-type susceptibility is suppressed at low temperatures. Further discussions have been given. The PANI-H_3PO_4/Fe_3O_4 composite containing 27wt% of Fe_3O_4 nanoparticles is superparamagnetic, exhibiting very little hysteresis even at 5K.     

溅射气体中氩气含量对Y1Ba2Cu3O7-δ薄膜结构和Tc的影响

采用倒筒直流磁控溅射系统在不同溅射气体组分下(氩氧比不同)原位沉积Y1Ba2Cu2O7-δ(YBCO)薄膜.样品的XRD分析发现在Ar含量过高和过低的溅射气氛下沉积的薄膜存在极少量的BaCuO2第二相, 同时显示薄膜的c轴长度, (006), (007)对(005)峰强度比随着溅射气体中Ar含量的变化而发生改变.通过薄膜超导零电阻温度检测发现, YBCO薄膜的超导零电阻温度Tc随之发生改变.这说明在磁控溅射沉积YBCO薄膜过程中, 溅射气体中Ar气含量影响薄膜各元素的化学计量比, Ar含量过高和过低导致沉积YBCO薄膜晶体结构发生畸变, 恶化超导电性.     

各向异性超导体电阻转变的修正Kosterlitz-Thouless相变模型

从二维系统的Kosterlitz-Thouless (KT) 相变理论出发，在关联长度中引入热激活能和平均钉扎高度，提出了修正的KT相变模型.该模型与库伦气体标度理论和Halperin-Nelson关系具有一致性.应用修正的KT相变模型研究磁场下Tl₂Ba₂CaCu₂O_x(Tl-2212)薄膜电阻转变的标度行为，发现由电阻转变计算得到的平均钉扎高度与温度具有线性依赖关系，实验结果支持修正的KT相变模型. 关键词： 标度行为 各向异性超导体 电阻转变     

超导故障限流器的研究现状及其应用

超导故障限流器(Superconducting Fault Current Limiter,SFCL)是利用超导体的基本特性,有效限制电力系统故障短路电流,提高电网安全性和稳定性的一种新型电力设备。文中在综合大量文献的基础上,对超导故障限流器进行了一种较为系统的分类。基于该种分类,结合目前国内外的研究现状,就电阻型、磁屏蔽型、饱和铁芯电抗器型、桥路型SFCL的工作原理作了详细的分析介绍,还给出了它们在电力系统中的安装位置。最后,对超导故障限流器的研究中存在的问题及其发展趋势做了说明。     

水分子对碳链的输运性质影响的第一性原理研究

用基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法研究了水分子对7个碳原子组成的一维原子链的输运性质的影响.碳原子链放在具有有限截面的Al(100)电极中.研究发现，碳原子链上的水分子的数目和放置的位置的不同将对体系输运性质产生很大的影响.特别是，单个H₂O分子对碳链平衡电导的影响随其摆放位置的不同而出现奇偶振荡，例如，当位于奇数编号的碳原子上时，电导取极大值，当位于偶数编号的碳原子上时，取极小值.将两个H₂O分子置于不同的碳原子正上方时，在不同的位置平衡电导相差很大，在某些特殊的情况下原本受到抑止的第三个本征通道也有较大的贡献.此外，还研究了放置两个水分子时，体系的电流-电压(I-V)特性，随着水分子的数目和放置的位置不同，某些情况可能出现较大幅度的负微分电阻，而在另一些情况下却没有出现. 关键词： 平衡电导 透射谱 负微分电阻