小分子α-螺旋模拟物

本文综述了近年来小分子α-螺旋模拟物的研究进展,介绍了α-螺旋结构在蛋白质相互作用中的重要性以及小分子α-螺旋模拟物在药物化学领域的应用。概括了联苯结构、酰胺结构、哒嗪结构及其他杂环结构小分子α-螺旋模拟物的最新进展,并介绍了小分子α-螺旋模拟物在蛋白质相互作用抑制剂方面的应用。总结了目前已有的小分子α-螺旋模拟物存在的一些不足之处,并对今后该研究领域的发展方向进行了展望。     

双生成元$A_n$型拟遗传代数的拟遗传序

本文讨论双生成元$A_n$型代数的拟遗传序的性质,给出了该类代数的单模序是拟遗传序的充分必要条件,并利用组合技巧得出了该类代数拟遗传序的数目.     

成都市绿地系统土壤总汞的测定

拟定了成都市绿地系统各土壤功能区总汞含量的测定方法。样品经湿法消解后,用氢化物发生-原子荧光光谱法测定绿地土壤中的总汞。在选定的条件下,仪器检出限可达0.01ng/mL。相对标准偏差（RSD）为1.7%。样品回收率在91.0%—94.0%之间;成都市绿地土壤中公共绿地总汞含量在0.1491—9.719mg/kg之间;交通干道绿地总汞含量在0.1841—2.879mg/kg之间;居住绿地总汞含量在0.3111—2.861mg/kg之间。     

基于驻留时间补偿的抛光误差控制方法

 针对计算机控制光学表面成形中光学表面存在中高频误差的问题,提出了一种基于驻留时间补偿的有效控制方法。分析了抛光误差的形成机理和影响因素,对系统的误差影响因素进行分类和定量描述,构建了抛光过程中磨损影响因子、浓度变化影响因子和系统影响因子。基于各影响因素的影响因子对抛光驻留时间的求解函数进行了修正,提出采用离散最小二乘法对修正的函数求解驻留时间。研究表明：这种补偿方法能提高计算机控制光学表面成形技术中加工模型的精度,减小光学表面的残余误差。     

Ionic conductivity study on electron beam irradiated polyacrylonitrile-polyethylene oxide gel

Different mass percent polyacrylonitrile (PAN)-polyethylene oxide (PEO) gels were prepared and irradiated by an electron beam (EB) with energy of 1.0 MeV to the dose ranging from 13 kGy to 260 kGy.The gels were analysed by using Fourier transform infrared spectrum,gel fraction and ionic conductivity (IC) measurement.The results show that the gel is crosslinked by EB irradiation,the crosslinking degree rises with the increasing EB irradiation dose (ID) and the mass percents of both PAN and PEO contribute a lot to the crosslinking;in addition,EB irradiation can promote the IC of PAN-PEO gels.There exists an optimum irradiation dose,at which the IC can increase dramatically.The IC changes of the PAN-PEO gels along with ID are divided into three regions:IC rapidly increasing region,IC decreasing region and IC balanced region.The cause of the change can be ascribed to two aspects,gel capturing electron degree and crosslinking degree.By comparing the IC-ID curves of different mass percents of PAN and PEO in gel,we found that PAN plays a more important role for gel IC promotion than PEO,since addition of PAN in gel causes the IC-ID curve sharper,while addition of PEO in gel causes the curve milder.     

*-A(n)算子的谱性质

主要给出了*-A(n)算子的一些性质:若T是*-A(n)算子,则T有谱的连续性;若T是*-A(n)算子,则T的近似点谱和联合近似点谱是相等的;若T,S是*-A(n)算子,则T,S是Weyl算子当且仅当TS是Wey1算子.     

光折变晶体(BaSr)TiO3感应自泵浦相位共轭及光学双稳的理论分析

给出光折变晶体感应自泵浦相位共轭的一种理论解释，利用数值计算求解相应的耦合波方程，得出感应自泵浦相位共轭光与诱导光之间在一定条件下所呈现的双稳关系以及可逆尖和不可逆感应的特性，其分析结构与笔者先前得到的实验结果吻合。     

沉积温度对HfO2薄膜残余应力的影响

 用电子束蒸发方法制备了HfO₂薄膜，根据镀膜前后基片曲率半径的变化，用Stoney公式计算了薄膜应力，讨论了沉积温度对薄膜残余应力的影响。结果发现，HfO₂薄膜的残余应力均为张应力，应力值随沉积温度的升高先增大后减小，在280 ℃左右出现极大值。对样品进行了XRD测试，从微观结构上对实验结果进行了分析，发现微结构演变引起的内应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素，HfO2薄膜在所选沉积温度60~350 ℃内出现了晶态转变，堆积密度随温度升高而增大。