全文获取类型
收费全文 | 3684篇 |
免费 | 1330篇 |
国内免费 | 903篇 |
专业分类
化学 | 832篇 |
晶体学 | 470篇 |
力学 | 158篇 |
综合类 | 349篇 |
数学 | 2287篇 |
物理学 | 1821篇 |
出版年
2024年 | 14篇 |
2023年 | 68篇 |
2022年 | 72篇 |
2021年 | 78篇 |
2020年 | 82篇 |
2019年 | 80篇 |
2018年 | 74篇 |
2017年 | 102篇 |
2016年 | 107篇 |
2015年 | 140篇 |
2014年 | 294篇 |
2013年 | 223篇 |
2012年 | 225篇 |
2011年 | 299篇 |
2010年 | 291篇 |
2009年 | 315篇 |
2008年 | 331篇 |
2007年 | 293篇 |
2006年 | 336篇 |
2005年 | 307篇 |
2004年 | 268篇 |
2003年 | 276篇 |
2002年 | 204篇 |
2001年 | 200篇 |
2000年 | 151篇 |
1999年 | 144篇 |
1998年 | 153篇 |
1997年 | 122篇 |
1996年 | 116篇 |
1995年 | 94篇 |
1994年 | 103篇 |
1993年 | 56篇 |
1992年 | 74篇 |
1991年 | 70篇 |
1990年 | 50篇 |
1989年 | 55篇 |
1988年 | 13篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 7篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 2篇 |
1980年 | 2篇 |
1959年 | 4篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有5917条查询结果,搜索用时 20 毫秒
61.
用相对论HartreeFock方法对YⅦ—AgⅩⅤ离子4s24p3和4s24p25s组态的能级结构进行了系统的理论计算.通过分析能级结构的Slater径向积分参数沿等电子序列的变化规律,运用参数拟合外推(或内插)的方法计算了上述离子组态的能级结构参数.在此基础上,计算了Rh,Pd和AgⅩⅤ离子4s24p3(4S32,2P12,32,2D12,32)和4s24p25s(4P12,32,52,2P12,32,2D32,52,2S12)组态的精细结构能级以及这两个组态之间电偶极允许跃迁的全部35条谱线波长与相应的振子强度,其中Pd和AgⅩⅤ离子的所有数据纯属目前的预测计算值. 相似文献
62.
63.
利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌 随沉积时间的演化. 通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征,研究了射频反应磁控溅射条件 下,ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为. 研究发现,ZnO在基片表面的成核过程可分为初 期成核阶段、低速率成核阶段和二次成核阶段. 对于Si(100)基片,三个成核阶段的生长指 数分别为β1=1.04,β2=0.25±0.01,β3=0.74;对 于Si(11
关键词:
ZnO薄膜
磁控溅射
生长动力学
成核机制 相似文献
64.
采用蒙特卡罗方法,对EACVD中氢原子的发射过程进行了模拟。给出了由氢原子谱线测定电子平均能量的方法,结果对EACVD生长金刚石薄膜过程中实时监测电子平均能量,进而可以有效地控制工艺条件,生长出高质量的金刚石薄膜具有重要意义。 相似文献
65.
采用多靶磁控溅射法制备了一系列具有不同Al2O3调制层厚度的TiN/Al2O3纳米多层膜.利用X射线能量色散谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的成分、微结构和力学性能.研究结果表明,在TiN/Al2O3纳米多层膜中,单层膜时以非晶态存在的Al2O3层在厚度小于1.5 nm时因TiN晶体层的模板效应而晶化,并与TiN层形成共格外延生长,相应地,多层膜产生硬度明显升高的超硬效应,最高硬度可达37.9 GPa.进一步增加多层膜中Al2O3调制层的层厚度,Al2O3层逐渐形成非晶结构并破坏了多层膜的共格外延生长,使得多层膜的硬度逐步降低. 相似文献
66.
对线性模型参数,讨论了Bayes估计的Pitman最优性,将已有结果进行了改进,去掉了附加条件,证明了在Pitman准则下,Bayes估计一致优于最小二乘估计(LSE),在此基础上,提出了一种基于先验信息的方差分量估计,通过和基于LSE的方差分量估计作比较,证明了新估计是无偏估计且有更小的均方误差.最后,证明了在Pitman准则下生长曲线模型参数的Bayes估计优于最佳线性无偏估计. 相似文献
67.
对掺有镉、硒、硫的玻璃在500—800℃退火2—24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段,600—625℃处于正常扩散生长阶段,700—800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利
关键词:
纳米晶体
生长机理
深能级缺陷 相似文献
68.
ρ-混合序列加权和的完全收敛性及其应用 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究了ρ-混合序列加权和的一些强极限定理,利用最大值矩不等式,获得了ρ-混合序列加权和的完全收敛性.并将此结果应用于线性回归模型参数的最小二乘估计及非参数回归模型的权函数估计. 相似文献
69.
上次对角双线性时间序列模型的广义传递函数系统及平稳性条件 总被引:1,自引:0,他引:1
本文讨论了一类特殊的双线性时间序列模型,即上次对角欢线性时间序列模型,在输入为严格白噪声的假定下,利用多元Wiener-Ito积分,得到了该模型的广义传递函数及平稳性的充分必要条件。 相似文献
70.