高质量非晶金刚石薄膜的制备研究

利用自行研制的磁过滤等离子体技术(FCAP),并创造性地对衬底施加低频率周期性负偏压,在室温下的单晶硅表面上制备了高质量的非晶金刚石薄膜。用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM),红外吸收光谱(IR),纳米硬度计和摩擦试验仪对制备的非晶金刚石薄膜进行了结构和性能表征。实验结果表明:制备的非晶金刚石薄膜表面十分光滑,表面粗糙度仅为0.1nm;薄膜中sp3键成份高达70.7%,对应薄膜硬度达到74.8GPa,接近金刚石的硬度;薄膜摩擦系数在0.12~0.16之间。文中也讨论了偏压类型对沉积薄膜结构的影响。     

废轮胎流化床热解形变过程研究

利用压汞仪和扫描电镜（SEM）对废轮胎在鼓泡流化床热解反应器中热解的形变学进行了研究。结果表明：400℃时热解半焦有局部的熔融现象；随温度的升高由于热解半焦的刚性变弱使孔总表面积和孔隙度降低；在不同温度下热解半焦的孔径分布相似，主要集中在20nm-200nm和1μm-10μm，随热解温度的升高20nm-200nm的中孔所占比例提高；热解温度的升高导致废轮胎热解半焦的弯曲度变大、孔结构变的更加复杂。     

离子交换法分离固相合成胸腺五肽

采用离子交换法分离纯化,对影响分离的多种因素包括吸附动力学、pH值、缓冲液和树脂的种类进行了深入讨论.结果发现,采用SP sepharose FF树脂、pH 4.4的醋酸缓冲液分离效果较好,经过方案优化,在pH 4.4醋酸缓冲液平衡、盐梯度洗脱条件下纯化TP5,HPLC和质谱分析表明,一步分离纯度可达98%以上.该法可以满足大规模制备的要求.     

Structural evolution of a-Si:H/SiO2 multilayers upon step by step thermal annealing

a-Si:H/SiO_2 multilayers were prepared by alternatively changing plasma enhanced chemical vapour deposition of a-Si:H layers and in situ plasma oxidation process. Subsequently, as-grown samples were annealed at temperatures from 350℃ to 1100℃ in N_2 ambient with an increment of 100℃. The evolution of bonding configurations and structures with annealing treatments was systematically investigated by Fourier-transform infrared spectroscopy. The peak position of Si－O stretching vibration of SiO_2 layers shift to 1087cm^{-1} after annealing at 1100℃, which demonstrates that the SiO_2 films fabricated by plasma oxidation after high temperature annealing can have similar properties to the thermal grown ones. A Si－O vibration from interfacial SiO_x was identified: the value x was found to increase as increasing the annealing temperature, which is ascribed to the cooperation of hydrogen effusion and reordering of the oxygen bond in SiO_x networks. The H-related bonds were observed in the form of H－Si－O_3 and H－Si－Si_{3-n}O_n (n=1－2) configurations, which are supposed to be present in SiO_2 and interfacial SiO_x layers, respectively. The H atoms bonded in different bonding configurations effuse at different temperatures due to their different desorption energies.     

上海天文台亚厘米级单次测距精度的卫星激光测距试验

2001年8月, 中国科学院上海天文台与捷克技术大学合作在上海天文台进行了亚厘米级单次测距精度的卫星激光测距试验. 采用皮秒事件计时器作为激光往返脉冲的时间间隔测量仪器, 配合原有的发射和接收系统, 对Lageos-1, 2, Starlette, Stella, Topex和ERS-2等卫星进行了测距试验. 分析表明: 对这些卫星的单次测距精度达到了7~8 mm. 为了对比, 原有的测距系统同时对这些卫星进行了测量, 单次测距精度为12~15 mm. 表明新测距系统的测量精度比原有系统提高了约80%. 同时还对原有测距系统的系统偏差进行了检测.     

东京之行的收获

今年8月13号到18号，我们和软件学院的姜昆，胡特同学一起有幸能跟恽瑛老师到东京参加了ICPE 2006会议。这是我们人生中一次非常有意义的经历，我们收获了我的很多“第一次”，成长了很多，自信了很多。     

M2SiO4：Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3+,Tb3+)的发光性能

合成了系列M₂SiO₄:Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce³⁺,Tb³⁺)样品,研究了样品在真空紫外区域的激发光谱和发射光谱。从激发谱可以看出:M₂SiO₄:Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce³⁺,Tb³⁺)在147,172nm有很强的吸收带。用Mg,Ca完全取代Ba₂SiO₄:Tb³⁺中的Ba,相对应的晶体的晶格参数逐渐增大,晶场的能量逐渐减少,其激发光谱随着碱土离子半径的增加向长波方向移动。在172nm真空紫外光激发下,观察到M₂SiO₄:Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Tb³⁺和M₂SiO₄:Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce³⁺,Tb³⁺)特征发射;在真空紫外激发下,随着M₂SiO₄:Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce³⁺,Tb³⁺)中Ce³⁺含量的增加,M₂SiO₄:Re的特征发射明显减弱,并分析讨论了相关发光现象的成因。     

Sr_3Gd(PO_4)_3∶Tm~(3 )的真空紫外光谱特性

研究了Sr3Gd(PO4)3∶Tm3 和GdPO4∶Tm3 样品的结构特性、光谱特性。GdPO4∶Tm3 为单斜晶系,基质掺入铥离子后结构没有明显变化。GdPO4∶Tm3 在164和210nm附近有强烈的吸收峰。位于164nm附近的强烈的吸收峰是归因于基质的吸收引起,210nm附近的吸收峰则归因于Gd3 的8S7/2—6GJ的能级跃迁。在164nm真空紫外光激发下,样品于453及363nm处有较强的发射峰,发射主峰位于453nm,属于Tm3 的1D2→3H4(22,123cm-1)跃迁的典型发射。由于阳离子质量的不同,Sr3Gd(PO4)3∶Tm3 在166nm附近的激发峰高于GdPO4∶Tm3 的同位置的激发峰,其在363nm处的发射有明显减弱,而在453nm处的蓝色发射有显著的增强。     

共聚酯PEIT-PEG结构与性能的研究

PET与PEG共聚可改善PET的抗静电性，但PEG含量的增加，会使共聚物的结晶温度大幅度地降低，不利于纤维加工，且伴随着结晶的发生，纤维的抗静电性也受到影响。在共聚体系中添加间苯二甲酸(IPA)，不仅能破坏大分子链结构的规整性、降低共聚酯的结晶性，而且能提高共聚酯纤雏的抗静电性能。用DSC与TG对共聚酯(PEIT-PEG)的聚集态结构、热性能、结晶性能等进行了表征。     

电吸附除氯过程的电化学阻抗谱及动力学研究

借助三电极体系, 基于电化学交流阻抗谱图, 提出了一种对已吸附Cl^-的活性炭再次吸附一个Cl^-弛豫时间的测定方法, 根据弛豫时间确定速率控制步骤 . 研究了阳极电势、 预处理时间和预处理浓度对电化学过程的影响, 基于得到的电化学交流阻抗谱图上的参数, 求出不同条件下电吸附Cl^-的弛豫时间及覆盖度. 结果表明, 不同条件下得到的复数平面图均由一个容抗弧和一个感抗弧构成, 分别代表Cl^-在阳极上发生电荷转移的过程和 Cl^-在活性炭电极上的吸附过程 . 增加阳极极化可有效缩短弛豫时间, 阳极极化时, 弛豫时间为2.0×10^-5 s; 增加预处理时间, 弛豫时间逐渐增加, 预处理时间为180 min时, 弛豫时间增加到4.9×10^-5 s; 预处理浓度对弛豫时间的影响可忽略. 弛豫时间分析结果表明, Cl^-吸附速率比扩散速率小, 吸附是电吸附过程的速率控制步骤. 电极表面的覆盖度较低, 仅有10^-4...