硼磷酸盐晶体MBPO5(M=Sr,Ba)高温拉曼光谱研究

测量了硼磷酸盐晶体SrBPO5和BaBPO5常温及高温拉曼光谱,对拉曼振动模式进行指认,并分析了晶体拉曼振动光谱及晶体结构在高温下的变化.结果表明,在温度升高的过程中,拉曼振动频率向低频移动且振动峰宽度展宽,晶体中的P-O键长随温度而变长,但O-P-O的键角随温度变化缓慢,且BO4四面体较PO4四面体的振动模量对温度有更强的敏感性.晶体的结构在高温下没有相变发生,表现出很强的稳定性.     

退火对Nd,Cr:GSGG激光晶体吸收光谱的影响

本文应用吸收光谱法,对提拉法生长的Nd,Cr:GSGG晶体在不同气氛下退火后的光谱变化进行了研究.氧化气氛下退火后的吸收光谱中,在1μm处出现了由于晶体中存在Cr4+离子所引起的两个吸收带,被称为1μm吸收损失.还原气氛(CO和H2)下退火后的吸收光谱中,在1μm处的吸收带基本消失,这对于提高激光效率是非常有利的.此外,在642nm处的吸收带强度有一定的减弱.这些数据对于晶体后处理工艺的改进和激光器设计具有重要的参考价值.     

激光晶体Nd3+:Gd3Ga5O12中的核心和小面生长

Nd3+:Gd3Ga5O12(Nd:GGG)晶体是热容固体激光器的一种重要的工作介质.采用提拉法沿〈111〉方向生长出了Nd:GGG单晶,利用激光器、应力仪和偏光显微镜等仪器和方法,对晶体的小面生长及核心等缺陷进行了观察,分析了小面生长的机理,并提出了消除这些缺陷的办法.通过研究,为改善生长工艺、生长大尺寸优质Nd:GGG晶体提供参考.     

BGO晶体生长固液边界层结构的微区研究

研究了BGO晶体固/液边界层及其两侧晶体和熔体的高温拉曼光谱,分析了BGO晶体生长固/液边界层以及边界层两侧晶体和熔体的结构特征.结果显示,桥氧键Bi-O-Ge和O-Bi-O在晶体和边界层中都存在,而在熔体中消失.说明[GeO4]和[BiO6]结构基团在晶体及边界层中都存在,边界层中的结构已接近晶体结构;但在熔体中[GeO4]结构基团和Bi3+却是两种独立的存在,长程有序的晶体结构消失.并首次报道了BGO晶体固/液边界层的厚度约为50μm.     

GdVO_4∶Eu~(3+)发光的温度效应

研究了GdVO4 ∶Eu3 + 在高压汞灯的 3 1 3和 3 65nm激发下室温以上 ( 3 0 0～ 60 0K)发光的温度依赖关系。发现来自5D0 的发射强度随温度的升高而显著增强 ,直到 60 0K也未见饱和。其中5D0 →7F2 的 61 9nm发射在60 0K温度时的强度是室温下的 2 0多倍。我们认为Eu3 + 的电荷迁移态作为中间态是造成其发光增强的根本原因。激发过程中 ,先激发到Eu3 + 本身的5DJ(J=1 ,2 ,3… )激发态 ,然后在温度的作用下上升到电荷迁移态(CTS) ,温度升高时传递几率显著增强 ,并按5D3 ,5D2 ,5D1依次使被激发的电子转入CTS态 ,从电荷迁移态直接弛豫传递给5D0 态 ,由于5D0 态电子数不断增多 ,致使来自5D0 的发射随温度升高而增强。     

2.9μmTm,Ho∶LuAG激光晶体的生长与光谱性能研究

采用提拉法成功生长出了高光学质量的Tm,Ho∶LuAG(Lu3Al5O12)激光晶体,对其光谱性能进行了研究。测量了晶体320~3000nm范围内的吸收光谱,在784nm附近有较宽的吸收带,半峰全宽约为12nm。用784nm半导体激光器(LD)作激发源,测量了晶体2800~3000nm范围内的稳态荧光光谱,并用光参量振荡(OPO)脉冲激光激发,测量了晶体的瞬态荧光光谱,对数据曲线进行指数衰减拟合,获得了晶体2.9μm附近波长激光上下能级5I6和5I7的寿命,分别为51μs和7.5ms。与Tm,Ho∶YAG(Y3Al5O12)晶体的光谱参数进行了比较,结果表明,Tm,Ho∶LuAG是一种相对容易获得2.911μm中红外激光输出的激光晶体。     

LuTaO_4相变及结构

LuTaO4是最高密度的闪烁体基质,研究它的结构及其相变对单晶制备具有指导意义.用固相法制备了Lu2O3和Ta2O5摩尔比为1:1时在不同温度下形成的多晶粉末,用X射线衍射及Rietveld全谱拟合研究了多晶粉末的物相和结构.结果表明,Lu2O3:Ta2O5摩尔比为1:1的样品在1740℃时合成的物相为M′-LuTaO4,在1800℃时为M′-Lu Ta O?4和M-LuTaO4的混合物,在1840C时全部转变为M-LuTaO4.当温度升高到2058℃时,样品呈熔融状态,对淬火得到的样品进行结构精修,给出了M-LuTaO4,Lu3Ta O7和Ta2O5的晶胞和原子坐标参数,它们的重量比分别占78.1%,18.9%和3.0%.这些结果为制备以LuTaO4为基质的高密度闪烁体单晶具有参考价值.     

Method for fitting crystal field parameters and the energy level fitting for Yb3+ in crystal Sc2O3

<正>A method to compute the numerical derivative of eigenvalues of parameterized crystal field Hamiltonian matrix is given,based on the numerical derivatives the general iteration methods such as Levenberg-Marquardt,Newton method, and so on,can be used to solve crystal field parameters by fitting to experimental energy levels.With the numerical eigenvalue derivative,a detailed iteration algorithm to compute crystal field parameters by fitting experimental energy levels has also been described.This method is used to compute the crystal parameters of Yb~(3+) in Sc_2O_3 crystal, which is prepared by a co-precipitation method and whose structure was refined by Rietveld method.By fitting on the parameters of a simple overlap model of crystal field,the results show that the new method can fit the crystal field energy splitting with fast convergence and good stability.     

KTa1-xNbxO3晶体生长固/液边界层结构的微区研究

测量了KTa_1－xNb_xO₃(KTN)晶体在常温和高温下的Raman光谱;实时测量了晶体生长过程中,固/液边界层内以及边界层两侧的晶体和熔体的高温显微Raman光谱.通过光谱分析获得了KTN晶体生长固/液边界层内的结构特征,以及晶体生长基元从熔体结构经边界层过渡到晶体结构的变化规律.研究表明,KTN熔体中的 结构基团进入到生长边界层后逐步转化为 八面体结构基团,已具有KTN单胞的一些特征.进而讨论了以 八     

Diode-Pumped Quasi-Three-Level Passively Q-Switched Nd：GGG Laser with a Codoped Nd,Cr：YAG Saturable Absorber

We demonstrate the first quasi-three-level passively Q-switched Nd：GGG laser at 937nm using a Nd, Cr：YAG crystal as the saturable absorber. The dependences of the average output power, the repetition rate and the pulse width on the incident pump power are obtained. A maximum average output power of 1.18 W with repetition rate of 35kHz and pulse width of 45ns is achieved at an incident pump power of 18.3 W. The corresponding optical-to-optical and slope efficiencies are 6% and 10%, respectively.