Cu(I)/TF-BiphamPhos催化下Azomethine Ylide参与的高效不对称1,3-偶极环加成反应

含多个手性中心的四氢吡咯环结构广泛存在于药物及天然产物中, 同时也是非常重要的有机合成中间体. 金属或有机小分子催化的Azomethine ylide和亲偶极体的不对称1,3-偶极环加成反应是合成该类化合物的一个简洁而高效的方法, 因而倍受人们的关注. 尽管不对称1,3-偶极环加成反应已有很多报道, 但存在的挑战性问题是底物的适用范围不广泛, 如还没有催化剂能够有效地解决非甘氨酸衍生的Azomethine ylide的1,3-偶极环加成反应. 武汉大学化学与分子科学学院王春江研究小组以Cu(I)/TF-BiphamPhos为手性催化剂实现了高效的endo-选择性(＞98∶＜2)和优秀的对映选择性(97%～99% ee)的不对称1,3-偶极环加成反应. 该催化体系具有催化效率高、适用底物范围广等优点, 尤其在非甘氨酸衍生的Azomethine ylide类底物上取得了到目前为止文献报道的最好结果.     

聚乙二醇支持的2,5-二取代异噁唑啉衍生物的液相合成

介绍了通过1,3-偶极环加成合成2,5-二取代异噁唑啉衍生物的液相合成方法, 利用聚乙二醇(PEG)支持的烯烃与由醛肟制得的腈氧化物反应制备了多种异噁唑啉衍生物, PEG解脱后产物的产率和纯度均很高.     

1,2,3-三唑化合物的合成研究进展

1,2,3-三唑化合物是重要的N-杂环化合物, 近年来被广泛应用于工业生产、药物研发、材料科学等多个领域. 因此1,2,3-三唑的合成受到越来越多的关注. 从合成不同取代类型的1,2,3-三唑化合物入手对近年来研究发现的合成方法的进展进行了综述.     

新型二茂铁异噁唑啉衍生物的合成及其电化学性能

二茂铁基α,β-不饱和烯酮与腈氧化物发生1,3-偶极环加成反应合成了7个3-取代苯基-4-苯基-5-二茂铁甲酰基异噁唑啉(4a～4g),产率中等,其结构经1H NMR, IR和MS表征.通过循环伏安曲线研究了4的电化学性能,结果表明,苯环上的取代基对4的氧化还原电位有一定影响.     

新型二氧代氮杂茂并[3’，4＇-d]异噁唑衍生物的合成

N-芳基-马来酰亚胺与α-氯代-1’,2＇-二-O-环己叉二氧乙基甲醛肟在三乙胺的作用下通过1,3-偶极环加成合成了10个新型3-（1’,2＇-二-O-环己叉二氧乙基）-5-芳基-3a,6a-二氢-4,6-二氧代氮杂茂并[3’,4＇-d]异噁唑衍生物,其结构经^1H NMR,IR和元素分析表征。     

立体效应和分子内诱导效应对R—X(R=烷基)键离解能变化趋势的影响

解释了"为什么R—X键离解能变化趋势不相同"的问题.R—X键离解能(BDE)可归因于3个主要因素:C—X固有健能,1,3成对排斥和分子内电荷-诱导偶极.当X原子给定,R—X(R=Me,Et,i-Pr,t-Bu)的BDE变化趋势由1,3成对排斥和分子内电荷-诱导偶极两个因素控制,前者减少R—X的BDE,后者增加或者减少R—X的BDE.在R—X为R—C键的系列化合物中(例如R—Me,R—CH==CH2,R—C≡≡CH,R—CN等),1,3成对排斥减少R—X的BDE,R—C键能变化趋势依R=Me,Et,i-Pr,t-Bu次序减小;对于X原子电负性小于C原子的R—X系列化合物(例如R—H,R—BH2,和R—SiH2等),上述两个因素均减小R—X的BDE,因而R—X键能变化趋势依R=Me,Et,i-Pr,t-Bu次序减小;对于X原子电负性大于C原子的R—X系列化合物(例如R—F,R—OH,R—Cl,R—Br,R—I,和R—NH2等),1,3成对排斥减少R—X的BDE,而分子内电荷-诱导偶极则增加R—X的BDE,于是R—X键能变化趋势取决于两者的竞争,结果表现为:(1)有的系列R—X键能变化依R=Me,Et,i-Pr,t-Bu次序增大(如R—F,R—OH等);(2)有的系列R—X键能变化依R=Me,Et,i-Pr,t-Bu次序减小(如R—I);(3)有的系列R—X键能变化依R=Me,Et,i-Pr,t-Bu次序变化很小(如R—Br).     

GaAs光导开关锁定模式阈值条件

采用脉冲测试电路,测试了半绝缘GaAs光导开关(PCSS)在锁定工作模式下的偏置电场及触发光能阈值.测试结果表明,在一定光能范围内,电场阈值随光能阈值的增大类似于指数关系减小;激励光能在数10μJ下,半绝缘光导开关偏置电场阈值为9 kV/cm.当激励光脉冲能量大于0.78mJ时,光导开关在不同偏压下都不能工作于锁定工作...     

All-reflective optical system design for extreme ultraviolet lithography

All-reflective optical systems,due to their material absorption and low refractive index,are used to create the most suitable devices in extreme ultraviolet lithography （EUVL）.In this letter,we present a design for an all-reflective lithographic projection lens.We also discuss its design idea and structural system.After analysis of the four-mirror optical system,the initial structural parameters are determined,the optical system is optimized,and the tolerances of the system are analyzed.We also show the implementation of optimal layout and desired imaging performance.     

单扫示波极谱滴定钼

提出了直流示波极谱滴定高含量钼的新方法，在ｐＨ为４．５￣５．５的乙酸－乙酸铵缓冲溶液中，以Ｐｂ（Ⅱ）为滴定剂滴定钼酸根离子，用ＪＰ－１Ａ型示波极谱仪作检测器，根据滴定过程中铅波的出现来指示终点的到达。方法简便，快速，结果的准确度，精密度均符合容量分析的要求，适于各类高含量钼矿样中的测定。