液氦温区La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3(x=0.15)体系的磁电阻弛豫效应

实验上研究了液氦温区Ｌａ２／３Ｃａ１／３Ｍｎ１－ｘＣｕｘＯ３（ｘ＝０－１５）单相多晶样品给定磁场下的电阻随时间的变化,发现磁电阻随时间变化并非遵从对数规律而是呈指数型变化行为．对这一指数型磁电阻弛豫行为的可能起因进行了讨论,指出这是与Ｍｎ位上Ｃｕ掺杂将额外磁性杂质引入到样品中有关 关键词：     

The origin of spin current in YIG/nonmagnetic metal multilayers at ferromagnetic resonance

Spin pumping in yttrium-iron-garnet(YIG)/nonmagnetic-metal(NM) layer systems under ferromagnetic resonance(FMR) conditions is a popular method of generating spin current in the NM layer.A good understanding of the spin current source is essential in extracting spin Hall angle of the NM and in potential spintronics applications.It is widely believed that spin current is pumped from precessing YIG magnetization into NM layer.Here,by combining microwave absorption and DC-voltage measurements on thin YIG/Pt and YIG/NM_1/NM_2(NM_1 =Cu or Al,NM_2 =Pt or Ta),we unambiguously showed that spin current in NM,instead of from the precessing YIG magnetization,came from the magnetized NM surface(in contact with thin YIG),either due to the magnetic proximity effect(MPE) or from the inevitable diffused Fe ions from YIG to NM.This conclusion is reached through analyzing the FMR microwave absorption peaks with the DC-voltage peak from the inverse spin Hall effect(ISHE).The voltage signal is attributed to the magnetized NM surface,hardly observed in the conventional FMR experiments,and was greatly amplified when the electrical detection circuit was switched on.     

自旋角动量转移效应的实验研究

近几年来,自旋角动量转移效应引起了人们越来越多的关注。这种效应会带来所谓的新一代电流驱动磁性存储或逻辑器件,例如运用自旋角动量转移效应进行数据写入的磁随机存储器、磁纳米线跑道存储器以及电流驱动的微波发生器等等。本文简单介绍了近几年国际上在自旋角动量转移效应实验研究方面的一些重要成果。     

反乌头酸分子印迹聚合物微球的制备及其分子识别功能

以乙腈为分散剂,采用沉淀聚合法合成了反乌头酸分子印迹聚合物微球。研究了合成反应条件对聚合物形貌的影响,发现聚合前主客体氢键络合物和功能单体氢键低聚体是控制微球形成及其粒径大小的关键因素。通过振荡吸附法对聚合物的结合特性进行了评价,发现印迹聚合物微球对模板分子的识别选择性优于块状印迹聚合物和非印迹聚合物。     

朗道及其对物理学的贡献

综述朗道的一生及其较为重要的贡献之一——朗道二级相变理论,着重论述了朗道相变理论表述形式的一种修正以及朗道对物理学的贡献．     

铁磁/非磁金属异质结中的拓扑霍尔效应

在铁磁/非磁金属异质结中,界面处的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用会诱导诸如磁性斯格明子等手性磁畴壁结构的形成.当巡游电子通过手性磁畴壁结构时,会获得一个贝里相位,而相应的贝里曲率则等效于一个外磁场,它将诱导额外的霍尔效应,即拓扑霍尔效应.拓扑霍尔效应是当前磁性斯格明子和自旋电子学研究领域的热点之一.本文由实空间贝里相位出发,简要介绍了拓扑霍尔效应的物理机制;然后着重讨论了铁磁/非磁金属异质结中的拓扑霍尔效应,包括磁性多层膜中和MnGa/重金属双层膜中的拓扑霍尔效应.这两种结构都可以通过改变材料的厚度、种类、生长方式等调控界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用,从而有效地调控磁性斯格明子和拓扑霍尔效应.