Möbius梯子的L（d,1）-标号

对给定的正整数d,图G的L（d,1）-标号是从V（G）到非负整数的函数,且满足：任意两个相邻顶点的标号差至少为d,而且距离为2的任两个顶点的标号至少为1.L（d,1）-标号的跨度是标号差的最大值.G的L（d,1）-标号数是G的所有L（d,1）-标号的最小跨度.本文完全给出了M bius梯子的L（d,1）-标号数.     

通过带有侧向耦合量子点的量子线中的光辅助隧穿

应用非平衡格林函数方法,研究了带有微波调制的侧向耦合量子点的量子线中的光辅助隧穿.在考虑了量子干涉和微波场的情况下,得出并讨论了电子传榆幅度和相位方面的信息.电子传输幅度显示出一系列的反共振峰(对应图中的谷结构).峰值的高度与振荡的微波场的幅度和频率有关,而峰的位置只与微波场的频率有关.在有限温的情况下,反共振峰值的高度随着温度的增加而减小,当温度足够高时,反共振峰会消失,特别地,在一定的温度下,低温下谷的地方会演变成峰.     

构建等效模型研究2×N阶网络的等效电阻

研究了更一般的2×N阶电阻网络的等效电阻,通过分析2×N阶梯形电阻网络的结构特点,构建出电阻网络的等效模型,并且构建巧妙的变换方法,给出了2×N阶梯形电阻网络的一个普适规律和趋于无穷时的极限规律.     

灰色自记忆耦合模型在复杂装备费用测算中的应用

为了全面提高复杂装备费用的合理使用度,构建了复杂装备费用测算的灰色自记忆耦合模型,借助自记忆预测技术来提高其预测精度.模型通过有机耦合自记忆原理与传统灰色模型,综合了两者各自的优势.系统的自记忆方程包含多个时次初始场而不仅是单个时次初始场,从而克服了传统灰色预测模型对初值比较敏感的弱点.通过对复杂装备费用测算的两个案例...     

采用Damman光栅实现冷原子或冷分子囚禁的光阱阵列

提出了一种采用Damman光栅和球面透镜组合光学系统产生二维光阱阵列的新方案. 在使用红失谐高斯激光束照射的条件下，推导了计算光阱阵列的周期、光强分布、光强梯度和光阱几何参数的经验公式，讨论了此光阱阵列的特点以及在原子光学和分子光学中的应用. 研究结果表明，这种光阱阵列方案比已有的光阱阵列方案更为简单可行、操作方便，非常适用于冷原子或冷分子的阵列囚禁，以及制备新颖的光学晶格. 关键词： 冷原子或冷分子 光阱阵列 Damman光栅 光偶极势     

完全二部图存在路因子分解的Ushio猜想的证明

如果完全二部图K_m,n的边集可以划分为K_m,n的P_v-因子, 则称K_m,n存在P_v-因子分解. 当v是偶数时, Ushio 和 Wang 给出了K_m,n存在P_v因子分解的充分必要条件. Ushio在其综述文章中提出了当v是奇数时K_m,n存在P_v-因子分解的猜想. 已经证明当v=4k-1时Ushio猜想成立. 对于正整数k, 本文证明K_m,n存在P_4k+1-因子分解的充分必要条件是: (1) 2km ≤ (2k+1)n, (2) 2kn ≤ (2k+1)m, (3) m+n ≡0 (mod 4k+1), (4) (4k+1)mn/[4k(m+n)]是整数. 即证明: 对于任何正整数k, 当v=4k+1时Ushio猜想成立，从而最终完成了Ushio猜想成立的证明.     

Pb(Ⅱ)-SXO-CTMAB-Span80 吸光光度法测定微量铅(Ⅱ)

本文研究了 Pb( ) - SXO- CTMAB- Span80体系的显色反应。该反应快速、灵敏、稳定。表观摩尔吸光系数 ε56 0 =3.36× 10 4 L· mol- 1· cm- 1 ,铅含量在 0— 4 0 μg/ 2 5 m L 范围内符合比耳定律 ,方法已用于测定树叶上附着铅含量     

一个含双参数的分式不等式及其应用

本文给出了一个新颖的涉及正实数a,b,c,x,y,z含双参数λ,μ的分式不等式,并举例说明其应用,同时在文章最后还给出了一个猜想.定理设x,y,z∈R ,a,b,c∈R ,λμ≥-1,若λ>0,则有(x μy)a2(λ 1)x (λμ 1)y z (y μz)b2(λ 1)y (λμ 1)z x (z μx)c2(λ 1)z (λμ 1)x y≤1λ[(a     

显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E0+Δ0光学性质

通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs (SI-GaAs)晶体的带边附近的发光. 在光荧光谱中，观察到在高于GaAs带边0.348eV处有一个新的荧光峰. 结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E₀＋Δ₀能级的非平衡荧光发射. 同时, 通过研究E₀＋Δ₀能级的偏振、激发光强度依赖关系，以及温度依赖关系说明E₀＋Δ₀能级与带边E₀共享了共同的导带位置Γ₆，同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时，通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较，半绝缘GaAs晶体的E₀＋Δ₀能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E₀＋Δ₀的能量位置和物理性质. 研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具. 关键词： 半绝缘GaAs 显微光致发光 自旋轨道分裂