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通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0 Δ0能级的非平衡荧光发射.同时,通过研究E0 Δ0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E0 Δ0能级与带边E0共享了共同的导带位置Γ6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E0 Δ0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E0 Δ0的能量位置和物理性质.研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具. 相似文献
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随着课程改革的深入,探究式教学在我国教育界成为最大的热门话题,可谓涉及教改必谈探究.进入新世纪以来我国更明确提出要建设创新型国家,对教育界的要求是培养更多的创新型人材.如何更多更好地培养创新型人才是我国整个教育界要回答的世纪课题.什么样的人才算是创新型人才?笔者作为一名有多年教龄的教师的体会是:具有相同教育背景的人群中所谓的创新型人才是具有不同的思维方式,即创新思维的那些人.什么是创新思维?能否及如何在探究式教学中有意识地培养学生的创新思维?下面笔者结合自身教学的二三事例对此进行探讨. 相似文献
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通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs (SI-GaAs)晶体的带边附近的发光. 在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348eV处有一个新的荧光峰. 结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0+Δ0能级的非平衡荧光发射. 同时, 通过研究E0+Δ0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E0+Δ0能级与带边E0共享了共同的导带位置Γ6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E0+Δ0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E0+Δ0的能量位置和物理性质. 研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具.
关键词:
半绝缘GaAs
显微光致发光
自旋轨道分裂 相似文献
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