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1.
徐炜炜  胡林华  罗向东  刘培生  戴松元 《物理学报》2012,61(8):88801-088801
染料敏化太阳电池(DSC)中的纳米薄膜电极 是决定太阳电池光电转换性能的重要组成部分. 为改善薄膜电极特性, 采用了不同浓度的TiO2溶胶对DSC光阳极导电玻 璃和纳米TiO2多孔薄膜进行不同方式的界面处理. 利用X射线衍射方法对制备得到的多孔薄膜以及溶胶经高温处理 后致密层中纳米TiO2颗粒的尺寸及晶型进行了测试. 采用高分辨透射电子显微镜和场发射扫描电子 显微镜观察了纳米颗粒及薄膜微结构形貌. 采用强度调制光电流谱/光电压谱分析了TiO2溶 胶的不同处理方式对电子传输和复合的影响. 在100 mW· cm-2光强以及暗环境下分别测试了DSC的伏安输出性能以及暗电流. 结果表明, 不同浓度和处理方式均能较好地抑制暗电流. 溶胶处理后光生电子寿命τn延长, 电子传输平均时间τd相应缩短. 采用浓度为0.10 mol·L-1的 溶胶对导电玻璃和多孔膜同时处理, DSC的宏观输出特性最佳, 短路电流密度Jsc提高了10.9%, 光电转换效率η提高了11.9%.  相似文献   
2.
氟碳端基聚合物合成及其表面吸附性能   总被引:5,自引:0,他引:5  
综述了近十年来氟端基聚合物的合成,表征及其在表面吸附行为的研究成果。通过含有氟烷基的引发剂或终止剂在活性阴离子聚合反应或自由基聚合反应中使聚合物接上氟端基。已经成功地利用活性阴离子聚合反应合成了氟端基聚苯乙烯,通过含氟自由基引发烯类单体(如丙烯酸,乙烯硅等)可在相应聚合物链上引入氟端基,另外,聚合物的化学改性方法也可将氟基团接在聚合物链端(如氟基聚氧乙烯,氟端基聚合物具有的表面活性,当水溶液中或聚  相似文献   
3.
用时间分辨光谱研究了很大的Te组分范围内的ZnS1-xTex(x=00 05—085)合金的发光动力学特性,结果表明:不同形态的Te等电子中心具有不同的辐射复 合寿命,从几个ns到几十个ns的范围内变化,当x=015左右时,寿命达到最大值(约 40ns).其物理机理源于不同的Te等电子中心具有不同的局域化特性.当Te组分较小时,等 电子中心从Te1逐渐演变到Te2,Te3或Te4 时,相应发光寿命增加,表现出不断增强 的激子发光局域化特性;而当Te组分较大时,Te原子团变得较大,其局域势与基体原子势的 相互作用增强,等电子中心的局域化特性减弱,而基体价带扩展态特征变得明显起来,相应 发光寿命逐渐减小.还研究了激子束缚能随Te组分的变化以及发光强度随温度的变化关系, 所得结果进一步支持了时间分辨光谱研究所得到的结论. 关键词: ZnS 等电子中心 时间分辨光谱 局域态  相似文献   
4.
通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0 Δ0能级的非平衡荧光发射.同时,通过研究E0 Δ0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E0 Δ0能级与带边E0共享了共同的导带位置Γ6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E0 Δ0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E0 Δ0的能量位置和物理性质.研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具.  相似文献   
5.
The influence of reactor pressure on GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) is investigated. By decreasing the reactor pressure from0. 7 to 0.5 mm, the GaN layer growth mode changes from the island-like one to the step flow. The improvements in structural and optical properties and surface morphology of GaN layers are observed in the step flow growth mode. The results clearly indicate that the reactor pressure, similarly to the growth temperature, is One of the important parameters to influence the qualities of GaN epilayers grown by HVPE, due to the change of growth mode.  相似文献   
6.
刘雪璐  吴江滨  罗向东  谭平恒 《物理学报》2017,66(14):147801-147801
半导体材料电子能带结构的确定对研究其物理性质及其在半导体器件方面的应用有重要意义.光调制反射光谱是一种无损和高灵敏度的表征半导体材料电子能带结构的光学手段.光调制反射光谱中激光调制导致的材料介电函数的变化在联合态密度奇点附近表现得更为明显.通过测量这些变化,可以得到有关材料能带结构临界点的信息.然而在传统的单调制反射光谱中,激光调制信号的光谱线型拟合和临界点数目的分析往往被瑞利散射和荧光信号所干扰.本文将双调制技术与双通道锁相放大器结合,消除了瑞利信号和荧光信号的干扰,获得了具有较高信噪比的调制反射光谱信号.双通道锁相放大器可以同时解调出反射光谱信号及其经泵浦激光调制后的细微变化量,避免了多次采集时可能存在的系统误差.利用这种技术,在可见激光(2.33 eV)泵浦下,我们测量了半绝缘GaAs体材料从近红外至紫外波段(1.1-6.0 eV)的双调制反射光谱,获得了多个能带结构临界点的信息.探测到了高于泵浦能量之上的与GaAs能带结构高阶临界点对应的特征光谱信号,说明带隙以上高阶临界点的光调制反射光谱本质是光生载流子对内建电场的调制,并不是来自该临界点附近的能带填充效应.这一结果表明双调制反射光谱能够对半导体材料能带结构带隙及其带隙以上临界点进行更准确的表征.  相似文献   
7.
椭圆截面非球形颗粒群的多重光散射   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
戴兵  罗向东  王亚伟 《物理学报》2009,58(6):3864-3869
尽管非球形下一些特殊形状颗粒的单散射已被得到,球形多颗粒系(颗粒群)的多重散射也被研究,但至今仍未得到非球形颗粒群的多重散射.文中建立了一类椭圆截面非球形颗粒模型,求得其散射相位函数,借助于辐射传播方程,考虑形状及大小分布,得到了该类颗粒群的多重光散射.在两种特例情况下的结果能与已有的结果符合较好,说明了方法的可靠性.计算分析表明:非球形颗粒群的多重散射光强角分布要比球形颗粒平坦.椭圆截面颗粒的粒度或形状参数越大,多重散射光越集中于小的散射角;粒度分布或形状分布越宽,多重散射光强的角分布越平坦.随着光学厚 关键词: 多重光散射 颗粒 非球形 椭圆截面  相似文献   
8.
罗向东  郑仁蓉  朱顺泉 《物理学报》2003,52(8):1891-1894
利用两准粒子加轴对称转子模型,对A=100质量区两个奇奇核102Rh和9 8Rh的旋称反转进行了研究.结果表明,在A=160,130,80三个质量区奇奇核的计算中 已得到证实的、可能的旋称反转机制(即低K空间n-p相互作用和科氏力的相互竞争),对 于A=100质量区奇奇核也是适用的.这暗示在不同质量区奇奇核可能存在一种普遍的旋称 反转机制. 关键词: 奇奇核 旋称反转 两准粒子加轴对称转子模型  相似文献   
9.
研究了等离子体增强化学气相沉积工艺条件对氮氧化硅膜的生长厚度及折射率的影响以及氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅片的钝化效果.实验结果表明,NH3的流量和N2O/SiH4流量比对氮氧化硅膜的影响较大,薄膜折射率能从1.48变化到2.1,厚度从30—60 nm不等.腔内压力和射频功率主要影响膜厚,压力越大,功率越大,沉积速率加快,生成的膜越厚.温度对膜厚和折射率的影响可以忽略.钝化效果显示,在有无NH3下,N2O/SiH4流量比分别为20和30时,退火后氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅的钝化效果最好,其潜在电压和少子寿命分别为652 mV,56.7μs和649 mV,50.8μs,均优于参照组氮化硅膜样品的钝化效果.  相似文献   
10.
Porosity as one of the crucial factors to film morphology affects the overall electrical current-voltage characteristics of dye-sensitized solar cell (DSC). We search for the short-circuit current density, the open-circuit voltage and the maximum power output as the main functional parameters of DSC closely related to porosity under different film thickness. The theoretical analyses show some exciting results. As porosity changes from 0.41 to 0.75, the short-circuit current density shows the optimal value when the film thickness is 8-10 μm. The open-circuit voltage presents different variation tendencies for the film thicknesses within 1-8 μm and within 10-30 μm. The porosity is near 0.41 and the film thickness is about 10 μm, DSC will have the maximum power output. The theoretical studies also illustrate that given a good porosity distribution, DSC can obtain an excellent short-circuit current characteristic, which agrees well with the experimental results reported in previous literature.  相似文献   
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