空芯光子晶体光纤光子带隙的测量与数值模拟

用全矢量平面波法计算三角结构光子晶体光纤的带隙. 用透射法测量了自制的空芯光子晶体光纤的透射谱,得到了它在可见光波段透射强度与波长的关系,并在随后的实验中观测到了传光的模场图.通过理论模拟了实验所用的空芯光子晶体光纤的带隙图,与实验结果具有较好的一致性. 关键词： 空芯光子晶体光纤 光子带隙 全矢量平面波法 透射     

高功率微波输出窗内侧击穿动力学的PIC/MCC模拟研究

高功率微波在受控热核聚变加热、微波高梯度加速器、高功率雷达、定向能武器、超级干扰机及冲击雷达等方面有着重要的应用.本文针对高功率微波输出窗内侧氩气放电击穿过程,建立了二次电子倍增和气体电离的一维空间分布、三维速度分布（1D3V）模型,并开发了相应的PIC/MC程序代码.研究了气压、微波频率、微波振幅对放电击穿的影响.结果表明：在真空情况下,介质窗放电击穿只存在二次电子倍增过程;在低气压和稍高气压时,二次电子倍增和气体电离共存;在极高气压时,气体电离占主导.给出了不同气压下电子、离子的密度和静电场的空间分布.此外还观察到,在500 mTorr时,随着微波振幅或微波频率的变化,气体电离出现的时刻和电离产生的等离子体峰值位置有较大差异,尤其是当微波频率（GHz）在数值上是微波振幅（MV/m）的2倍时,气体电离出现的较早.     

水云增长过程中的云滴谱及散射特性分析

基于大气物理学研究了水云云滴增长过程中的粒谱及散射特性.研究结果表明,凝结增长使粒谱半高宽和有效半径不断增加,碰并增长使粒谱出现多峰分布,有效半径增加.在凝结增长和碰并增长共同作用下,有效半径的平均增长速率为8 nm/s.凝结增长和碰并增长单独作用下,消光系数和散射系数随时间呈线性变化.在二者共同作用下,除3.2 mm波长外,消光系数和散射系数随时间呈指数增长;1.064, 2.2, 3.7, 12和22μm波长的不对称因子逐渐趋于稳定,200μm的不对称因子呈指数增长,3.2 mm的不对称因子基本保持不变;1.064和2.2μm波长的雷达比在20 sr附近波动,3.7μm波长的雷达比呈大幅振荡.云滴增长过程中,水云在1.064, 2.2和3.7μm波长的单次散射反照率逐渐降低,在12μm, 22μm, 200μm和3.2 mm波长的单次散射反照率逐渐增加,波长指数的绝对值逐渐减小.研究结果可为天气预报、地气辐射平衡研究和遥感数据校正提供重要的参考.     

Ab initio Study of He Stability in hcp-Ti

Tile stability of He in hep-Ti is studied using the a5 initio method based on the density functional theory. The results indicate that a single He atom prefers to occupy the tetrahedral site rather than the octahedral site. The interaction of He defects with Ti atoms is employed to explain the relative stabilities of He point defects in hcp-Ti. The relative stability of He defects in hcp-Ti is useful for He clustering and bubble nucleation in metal tritides, which provides the basis for development of improved atomistic models.     

General formula for phonon-assisted n-photon absorption in solids

A general formula for phonon-assisted n-photon absorption in solids is obtained by (n+1)-th order perturbation technique. The complicated calculation process for transition element of n-photon absorption is simply demonstrated by a diagram approach that is proposed in this work. We find that the transition element for the n-photon absorption has a simple form, i.e., it is just the first term of the n-th order fist kind Bessel function.     

Structural,electronic and magnetic properties of the Mn-Ni(110) c(2×2) surface alloy

<正>Using first-principles total energy method,we study the structural,the electronic and the magnetic properties of the MnNi(110) c(2×2) surface alloy.Paramagnetic,ferromagnetic,and antiferromagnetic surfaces in the top layer and the second layer are considered.It turns out that the substitutional alloy in the outermost layer with ferromagnetic surface is the most stable in all cases.The buckling of the Mn-Ni(110) c(2×2) surface alloy in the top layer is as large as 0.26 A(1 A=0.1 nm) and the weak rippling is 0.038 A in the third layer,in excellent agreement with experimental results.It is proved that the magnetism of Mn can stabilize this surface alloy.Electronic structures show a large magnetic splitting for the Mn atom,which is slightly higher than that of Mn-Ni(100) c(2×2) surface alloy(3.41 eV) due to the higher magnetic moment.A large magnetic moment for the Mn atom is predicted to be 3.81μB.We suggest the ferromagnetic order of the Mn moments and the ferromagnetic coupling to the Ni substrate,which confirms the experimental results.The magnetism of Mn is identified as the driving force of the large buckling and the work-function change.The comparison with the other magnetic surface alloys is also presented and some trends are predicted.     

高阶数值微分的积分方法

本文研究了高阶数值微分问题,利用Groetsch的思想,获得了可以稳定逼近近似已知函数的任意阶导数的积分方法,并在一定条件下,给出了收敛率.给出了二阶、三阶和四阶数值微分问题的数值实验,实验结果表明了方法的有效性.     

由沈北-大庆减压渣油制备微晶蜡及其表征

为探讨从沈北-大庆减压渣油生产高熔点微晶蜡的可能性,对其进行了丙烷、异丁烷溶剂脱沥青,以脱沥青油为原料,通过溶剂精制、溶剂脱蜡脱油制得微晶蜡。采用气相色谱、凝胶渗透色谱、红外光谱和核磁共振氢谱等分析手段,对微晶蜡的碳数分布、分子量分布及分子结构进行了表征。所得微晶蜡的滴熔点满足80号-85号微晶蜡要求,微晶蜡潜质量分数约为10%;轻脱沥青油所得微晶蜡的碳数分布在23-68;微晶蜡的数均分子量为1200-1600,氢碳原子比在1.95-1.98变化;微晶蜡的主要组成是含长碳链的饱和烷烃,异构烷烃约占70%,含少量环烷环结构,不含芳香环。微晶蜡的平均分子结构可看作是带不同长度与个数的长侧链的含1个或2个环的环烷烃。     

晶体缺陷规范场方法处理运动螺型位错

本文用晶体缺陷规范场方法分析了运动螺型位错的性质,在一定规范条件下求解了螺型位错的动力学方程,得到了匀速运动螺型位错的应力场。在K=μ/s(s为耦合常数)趋于零的情况下,其结果与匀速运动的Volterra螺型位错的应力场形式上是一样的,但螺型位错运动的极限速度是2^1/2c。在螺型位错速度为零的情况下,其应力场与Volterra螺型位错的应力场完全一样。最后对所得结果进行了讨论。 关键词：     

存在异性夹杂的位错塞积

本文采用位错连续分布方法,导出了在外应力作用下异性夹杂和障碍之间相对障碍的单螺位错塞积和双螺位错塞积的分布函数的解析表达式D₁(η),D₂(η)。在靠近障碍一端,D₁(η)和D₂(η)具有-1/2次幂的奇异性,在靠近夹杂一端,D₂(η)具有-ω次幂的奇异性。并用双位错塞积的情况表示了与异性夹杂相接触的反平面剪切裂纹问题,导出了应力强度因子。这些表达式对于02/G₁<∞完全适用。对所得的结果进行了讨论。 关键词：