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利用极限理论及积分均值法研究了在容量较小的污染环境中毒素对二维Lotka-Volterra捕食被捕食系统持续生存与绝灭的影响,给出了捕食种群与食饵种群弱平均持续生存和绝灭的充分条件. 相似文献
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We obtain the necessary and sufficient conditions for Radford’s biproduct to be a braided Hopf algebra. As an application, a nontrivial example is given. 相似文献
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Based on the multi-coincidence measurement, the time resolution of three liquid scintillation detectors (BC501A) were determined strictly by solving the coincidence equations, where the influence from electronics estimated by self coincidence measurement as well as the background had been considered. The result of this work agreed well with the result that was deduced from the traditional method, and it will be helpful to analyze the energy resolution of neutron time of flight spectra measured by using such detectors at CIAE (China Institute of Atomic Energy). 相似文献
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依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si1-xGex的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ2能谷;低掺杂时,锗组分为0.4的应变Si电子迁移率与体硅相比增加约64%;对于张应变Si NMOS器件,从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道.选择相应的参数,该方
关键词:
电子谷间占有率
散射模型
锗组分
电子迁移率 相似文献
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基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构, 并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较. 给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况. 计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致. 拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考.
关键词:
单轴应力硅
k·p法')" href="#">k·p法
价带结构 相似文献