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51.
通过将含有原子数分数为2%锂的Zn-Li合金薄膜和金属锌薄膜在500℃氮气氛中退火2h,然后在700℃氧气氛下退火1h的方法分别制备出ZnO:Li和ZnO薄膜。Hall效应测量表明,其导电类型分别为p型和n型。通过He-Cd激光器的325nm线激发,测量了样品室温和低温(12K)光致发光光谱,并根据ZnO:Li薄膜的低温发光光谱特征,计算出Li相关受主能级位于价带顶137meV处。 相似文献
52.
用等离子体辅助分子束外延的方法生长了n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管。I-V测量表明其具有典型的二极管整流特性。电致发光峰位于382nm,通过与n型ZnO和p型GaN的光致发光谱比较,其发光峰位与线形都与ZnO的自由激子发射一致,表明该电致发光来自于ZnO的自由激子发射。通过Anderson模型比较了n-ZnO/i-MgO/p-GaN和n-ZnO/p-GaN异质结的能带示意图,证明了由于MgO层的插入抑制了ZnO向GaN层中的电子注入,且有利于空穴向ZnO层注入,从而实现了ZnO层中的电注入发光。 相似文献
53.
在600-930K,常压到7GPa的范围内,对非晶(Fe0.99,Mo0.01)78Si9B13合金等温等压退火30min。实验表明;其晶化产物α-Fe(Mo,Si)Fe3B和Fe2B相的析出与所加压力密切相关。压力使非晶(Fe0.99Mo0.01)78Si9B13合金的晶化温度和亚稳Fe3B相的析出温度下降,在一定的压力和温度下,亚稳Fe3B相半向稳定Fe2B相转变其转变温度随压力而变化。 相似文献
54.
以硼酸和三聚氰胺为原料,利用化学法、真空热处理及高温高压技术对BCN化合物的形成、结构及相变进行了研究.在真空10-3Pa条件下,经1273K高温热处理得到非晶B-C-N前驱物.这种前驱物在920K以下为绝缘体,在920K由绝缘体转变为非晶半导体.在973-1003K和1013-1073K范围这种非晶半导体表现出不同的电导-温度关系,电导激活能分别为0.34eV和1.10eV,表明在两个不同的温度区域这种非晶半导体的导电机构不同.将这种前驱物在3.5GPa,经1473K退火40min后由非晶态转化为单相六方结构的B-C-N晶体,其成分为B0.44C0.27N0.29,晶格常数为a=0.2515nm,c=0.6684nm.六方B0.44C0.27N0.29晶体在1330,1364,1588和1617cm-1出现四个强的Raman散射峰,其中1330和1617cm-1被认为是六方B0.44C0.27N0.29晶体特征Raman散射峰. 相似文献
55.
56.
57.
58.
采用低压金属有机化学气相沉积技术,在固定源流量的条件下,通过调节衬底温度(270~360℃)生长了不同Fe掺杂浓度的CdS薄膜。光谱测量表明低铁掺杂对CdS晶格振动的影响较小,但对光致发光性质影响较为明显。样品的光致发光谱包括两部分:2.5eV附近带-带跃迁的发光以及2.0~2.4eV之间与缺陷相关的发光。随着铁含量的增加,带-带跃迁逐渐被抑制,发光光谱被缺陷相关的发光主导,同时薄膜的电导也由n型转为p型,说明Fe离子掺入在薄膜引入了受主杂质。通过不同激发密度下的光致发光光谱测量,我们将2.0~2.4eV的发光归结为铁受主相关的D-A对发射,并根据掺杂浓度和发光峰位置估算了Fe受主的能级位置。 相似文献
59.