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通过选用乌洛托品作为络合剂,采用电化学沉积的方法成功地制备出钴掺杂的氧化锌薄膜。通过对样品的XRD表征,得出生长的样品为ZnO纤锌矿结构,并没有其他杂相峰,即没有出现分相;通过对样品XPS的分析显示Co离子在薄膜中以+2价的形式存在;为进一步验证Co2+离子进入ZnO的晶格,对掺杂不同Co2+浓度的样品进行PL谱的测量,从发光光谱上可以看出随着掺杂Co2+浓度的增加,带隙逐渐变窄,发光峰位红移,证明Co2+部分取代了Zn2+而进入了ZnO晶格中。 相似文献
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利用射频等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术在c面的蓝宝石衬底上生长了具有不同Mg含量(0≤x≤0.28)的六方相MgZnO合金薄膜,研究了该系列样品Raman频移的幅度与合金组分的对应关系,为MgZnO合金中Mg含量的确定提供了新的方法。在此基础上选择具有合适带宽的MgZnO合金作为垒层,制备了MgZnO/ZnO量子阱结构。在较高的光激发密度下,观测到了发光强度随激发密度的超线性增加,并将之归因于激子-激子碰撞引起的超辐射过程。 相似文献
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以棉浆黑液为细菌分离培养基,从某化纤厂黑液生物处理系统中分离到16株嗜碱细菌,对其形态及生理生化等特征的研究结果表明,所分离的嗜碱细菌以产芽孢的革兰氏阴性细菌占优势,在个体形态和生理生化特性方面具有丰富的多样性.扩增rDNA限制性分析(ARDRA)结果表明,棉浆黑液中的嗜碱细菌分为2大类群,不同菌株之间的酶切图谱具有较大的差异.测定黑液生物处理系统中6株占优势的嗜碱细菌的16S rDNA序列,与国际上已报道的细菌的16S rDNA序列进行比较,结果表明:它们的序列与芽孢杆菌属(Bacillus)或副球菌属(Paracoccus)中的参比菌株的同源性达到98%以上.以16S rDNA序列为基础的Bacillus属嗜细菌的系统发育分析结果显示,其中3个菌株与B.halodurans和B.wakoensis的相似性大于99%. 相似文献
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建立了Rimfire开关的串联间隙电路模型,将开关所有的杂散电容都包含在内,结合火花通道的传导特性,以PSpice软件为计算平台,对一个700 kV Rimfire型开关进行了模拟。由于开关所有间隙都具有独立的时间变化参数,因此串联间隙电路模型不但可以在宏观上表现出开关的特性,而且能够模拟开关任一部分的时变电压和电流,进而分析开关的内部工作过程。模拟结果表明:激光触发间隙导通而自击穿间隙不导通时,作用在开关上的总电压超过700 kV;开关正常工作时,作用在所有间隙上的电压均高频振荡衰减。 相似文献
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在600~930 K,常压到7 GPa的范围内,对非晶(Fe0.99,Mo0.01)78Si9B13合金等温等压退火30 min。实验表明:其晶化产物α-Fe(Mo, Si)、Fe3B和Fe2B相的析出与所加压力密切相关。压力使非晶(Fe0.99,Mo0.01)78Si9B13合金的晶化温度和亚稳Fe3B相的析出温度下降,在一定的压力和温度下,亚稳Fe3B相将向稳定Fe2B相转变,其转变温度随压力而变化。还对非晶(Fe0.99,Mo0.01)78Si9B13合金的晶化和亚稳Fe3B到稳定Fe2B转变的热力学机制进行了讨论,并给出Fe3B向Fe2B的相转变方程。 相似文献
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