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41.
42.
Wide bandgap Alx Ga1-x N (x = 0.7-1) p-n junction is realized on a silicon substrate through polarization induced doping. Polarization induced positive charge field is produced by linearly grading from A1N to Al0.7Ga0.3N, and negative charge field is generated by an inverted grading from A10.7Ga0.3N to A1N. The polarization charge field induced hole density is on the order of 10^18 cm^-3 in the graded AIxGaI-xN:Be (x = 0.7-1) p-n junction. Polarization doping provides a feasible way to mass produce lll-nitride devices on silicon substrates. 相似文献
43.
Ochrobactrum anthropi CTS-325 isolated from a chromium-contaminated site had better resistance to Cr(Ⅵ) in LB medium under aerobic condition.Meanwhile,it was found that the reduction of Cr(Ⅵ) is not complete during the experimental process.Therefore,a series of small molecule energy sources including nitrogen and carbon sources were added into the LB medium in the bacterial stationary phase to promote the chromium reducibility.The result showed that the bacterial growth was positively correlated with the chromium reduction.SDS-PAGE analysis indicated that the protein groups were changed when the bacteria were stimulated by the chromium.Additionally,it was revealed that O.anthropi CTS-325 could utilize the cheaper alternative of sugar(sucrose residue leaching solution) well for further growth and restart the chromium reduction,which offered a new method for practical appli-cations. 相似文献
44.
45.
干气密封推环用密封圈关系到补偿环的浮动性和追随性. 通过建立弹簧蓄能密封圈的二维轴对称等效模型,对有、无凸台两种结构的弹簧蓄能密封圈,模拟了不同工况下的密封特性及摩擦特性. 研究表明:两种结构弹簧蓄能密封圈的峰值接触压力随介质压力、预压缩率的增加而增大,都具有良好的自紧密封特性. 推环微动时密封圈的摩擦力较大,不能忽略. 推环轴向微动时,有凸台结构与无台结构的弹簧蓄能密封圈表现出不同摩擦行为;无台弹簧蓄能密封圈,在推环沿±Z方向微动时,摩擦特性曲线相似. 而有凸台的弹簧蓄能密封圈,当推环沿Z方向微动时,分离距离更大;推环沿-Z方向微动时,具有更小的最大静摩擦力,且滑动摩擦力与最大静摩擦力差值较小,滑动平稳,有利于补偿环恢复到设计工作位置. 相似文献
46.
运用蒙特卡洛程序MCNPX以及欧洲活化计算程序FISPACT-2007,分析了中国聚变工程实验堆(CFETR)满功率运行时产氚包层各分区的核热功率,计算了满功率运行时产氚包层在高能中子的照射下活化产物的放射性活度、典型栅元的停堆剂量率。计算结果表明,当CFETR在满功率运行一年后停堆,停堆时的包层总活度为6.61-1019Bq,停堆十年后总活度降为7.98-1018Bq,为刚停堆时总活度的12.1%。结果显示,CFETR包层设计不存在突出的安全问题。 相似文献
48.
研究了纳米相氟氧化物玻璃陶瓷Tm(0.35)Yb(5)∶FOV在975nm半导体激光激发下的上转换发光。发现了位于363.6,(462.6,477.0),648.7,(699.7,680.7)和(777.6,800.7nm)的几条上转换发光线,它们是Tm3 离子的1D2→3H6,1G4→3H6,1G4→3F4,3F3→3H6和3H4→3H6的荧光跃迁。为了确认它们的上转换机理,还测量了上转换发光强度F随975nm泵浦激光功率P改变的双对数曲线,结果证实了1D2能级的上转换发光部分是五光子上转换发光,而1G4能级和3H4能级的上转换发光则是三光子和双光子上转换发光。 相似文献
49.
50.
本文研究了随机活动工期下如何调度资源约束项目使得项目的期望净现值最大。首先对问题进行了界定,建立了相应的优化模型,其次针对问题的特点设计了一种动态规划算法。在算法设计的过程中,本文通过对项目网络图结构及不同状态最优值之间关系的分析,优化了动态规划算法状态的生成过程及状态最优值的求解过程,从而加快了算法的求解。使用随机生成的540个不同规模、不同结构的仿真案例对算法的有效性进行了验证,并分析了项目网络特征对算法效率的影响。实验发现:项目的次序强度对算法所需时间有着较大的影响,随着项目次序强度的减小,生成的状态数量会增加,从而计算时间也会增加。本文的研究可以为不确定环境下的项目调度提供决策支持。 相似文献