PH^0—1＋1—3离解能和电离能的精确ab initio计算

对ＰＨｎ，ＰＨ＾＋ｎ（ｎ＝１～３）及其一些构型反转过渡态的几何构型用ＭＰ２（ｆｕｌｌ）／６－３１Ｇ（ｄ，ｐ）解析梯度方法优化，同时在该级别上计算了分子振动频率和零点振动能，在此基础上，分别采用Ｇａｕｓｓｉａｎ－９４程序中最大的预置基组６－３１１＋＋Ｇ（３ｄｆ，３ｐｄ）和Ｄｕｎｎｉｎｇ基组ａｕｇ－ｃｃ－ｐＶＴＺ，在冻结苡电子相关能（ＦＣ）与非冻芯模型（ｆｕｌｌ）情况下，用高级别量比化学ａｂｉｎｉｔｏ     

二乙酰分子内价轨道4ag+4bu的电子动量谱学研究

在高分辨率(ΔE=115eV, Δp≈01a.u.)电子动量谱仪上获得了二乙酰分子(d iacetyl)最内价轨道4ag_g+4bu_u的电离能谱和动量谱的实验结果， 并用Hartree-Fock和密度泛函理论方法做了理论计算.实验结果与理论计算符合较好. 关键词： 二乙酰 内价轨道 电离能 电子动量谱     

AlHn(n=1—3)的分子结构和AlH3热力学稳定性

在gaussian03基础上，分别用b3lyp和qcisd方法，在6-311++g^**基组水平上研究了AlH_n(n=1—3)分子及其一价阴阳离子的几何结构和谐振频率，计算了它们中性分子的离解能，第一垂直电离能，电子亲和能. 并与可能得到的实验值及文献上的理论计算值进行了比较. 发现qcisd方法得到的数据更接近实验值. 计算发现对AlH，AlH₂和AlH₃分子及其1价阳离子的Al—H键长，随着H原子数的增多，键长越短， 关键词： 3分子')" href="#">AlH₃分子 平衡几何结构 垂直电离能 垂直电子亲和能     

c-C3H2、HCCH和H2CCC的电离能和生成热的从头算精确预示

c-C_3H_2,HCCH和H_2CCC的电离能用CCSD(T)／CBS方法进行了计算。在计算中还包含了零点振动能校正和芯电子和价电子相关校正,标量相对论效应和高于CCSD(T)理论水平的校正。CCSD(T)／CBS方法计算的c-C_3H_2和HCCH电离能的数值分别为(9.15±0.03)和(8.96±0.04)eV,且与实验值(9.15±0.03)和(8.96±0.04)eV很好一致。CCSD(T)计算的H_2CCC→H_2CCC~ (~2A_1,C_(2v))和H_2CCC→H_2CCC (~2A′,C_s)电离跃迁的电离能分别为10.477和10.388 eV。在考虑Frank-Condon因子基础上,以前单光子电离实验所测定的(10.43±0.02)eV电离能最可能对应于H_2CCC→H_2CCC (~2A_1,C_(2v))跃迁的电离阈值。虽然对c-C_3H_2,HCCH和H_2CCC实验电离能测量的精确性难以达到理论计算精度的±30 meV范围内,所得到的理论电离能值与实验值非常一致,表明CCSD(T)／CBS计算结合高级相关校正对简单的碳氢卡宾和双自由基能得到可靠的电离能预示值。还给出了c-C_3H_2／c-C_3H_2~ ,HCCH／HCCH 和H_2CCC／H_2CCC 在0和298 K的生成热△H_(f0)~o和△H_(f298)~o。发现考虑实验精度不确定性后,它们的实验值与CCSD(T)／CBS预示值非常一致。     

低能质子在半导体材料Si 和GaAs中的非电离能损研究

非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.由于低能时库仑相互作用占主导地位，一般采用Mott-Rutherford微分散射截面，但它没考虑核外电子库仑屏蔽的影响.为此，本文采用解析法和基于Monte-Carlo方法的SRIM程序计算了考虑库仑屏蔽效应后低能质子在半导体材料Si,GaAs中的NIEL，SRIM程序在计算过程中采用薄靶近似法, 并与其他作者的计算数据和实验数据进行了比较.结果表明：用SRIM程序计算NIEL时采用薄靶近似法处理是比较合理的，同时考虑库仑     

6-甲基吲哚的共振多光子电离光谱分析

获得了6-甲基吲哚的单色共振多光子电离和双色共振多光子电离光谱,发现了在电子激发态的较强的CH3的转动谱线.根据理论计算对观察到的激发态光谱进行了标识,确定了更准确的电离能为60967±5cm-1.     

Cun,Agn,Aun（n=2,3,4）原子簇结构的理论分析

在应用ＤＶ－Ｘａ自洽场方法研究Ｃｕｎ，Ａｇｎ，Ａｕｎ原子簇电子结构基础上，分析了原子簇中原子轨道间的相互作用及其大小随几何构型的变化，并讨论了原子簇的Ｘａ总能量与原子簇几何构型的关系，采用单、双过渡态理论方法分别计算原子簇分子轨道的电离能和分子轨道的电子跃迁能，结果表明Ａｇｎ的电离能计算值与实验值符合较好，而Ａｕｎ原子簇则有一定偏差，这可能是由Ａｕｎ的较大相论效应引起的，Ａｇ４的电子跃迁能与实验值     

CFCl3的理论和紫外光电子能谱研究

采用紫外光电子能谱(PES)和量子化学方法,研究了以CFCl3化合物为代表的系列化合物(CFCl3、CF2Cl2、CF3Cl、CCl4)不同离子态的电子结构和性质。结果表明,四种化合物CF3Cl、CF2Cl2、CFCl3、CCl4的第一电离能依次下降。结合从头算自洽场分子轨道(abinitioSCFMO)和外壳层格林函数法(OVGF)计算对化合物的PES进行了分析和指认,表明化合物的外层轨道中Cl的孤对电子成分对电离能存在明显的影响;外层格林函数法计算得到电离能与实验吻合很好;同时发现在外壳层格林函数法计算结果中由于考虑相关能,得到的分子轨道存在能级顺序的交错。     

AlmN2和AlmN+2(m=1～8)团簇结构与稳定性的量子化学研究

用密度泛函理论(DFT）的B3LYP方法，在6-311G水平上AlmN2和AlmN^ 2(m=1～8)团簇的几何构型、电子结构、振动频率和分子轨道进行了理论研究．结果表明，AlmN2类团簇的基态结构有两种基本构型，一种是以N-N键为核心周围与Al原子相配位形成的，一种是由两个AlnN(n≤m，2)分子碎片通过共用Al原子或Al—Al键相互结合形成的．对AlnN分子碎片相互结合形成结构的绝热电离能讨论得到，m为偶数的团簇比m为奇数的稳定。     

I_h对称性约化在SW－X_α方法中的实现与C_（60）的计算

Ｉ_ｈ对称性约化在ＳＷ－Ｘ_α方法中的实现与Ｃ_（６０）的计算于微舟，张明瑜，李晓天（吉林大学理论化学研究所，理论化学计算国家重点实验室，长春，１３００２３）关键词ＳＷ－Ｘ_α方法，对称性约化，电离能，ＵＶ光谱在合成出Ｃ（６０）并发现它具有超导性质后，围...