多孔硅的拉曼光谱研究

本文研究了多孔硅的拉曼光谱随激发激光功率的变化 ,发现当激发光的功率较低时 ,多孔硅的拉曼光谱在 5 2 0cm- 1附近为一单峰。随着激光功率的增加 ,该单峰向低波数移动且半高宽增大 ,当继续增大激光功率时 ,该单峰分裂为双峰 ,位于低波数一侧的拉曼峰随着激光功率的增大而进一步向低波数移动。多孔硅的拉曼光谱随着激光功率的变化是一个可逆的过程。这一结果表明 ,低波数拉曼峰的位置既不能作为多孔硅颗粒尺寸的量度 ,也不能只把低波数的拉曼峰作为多孔硅的特征。我们认为激光诱导多孔硅中LO和TO声子模的简并解除是观察到双峰的主要原因。     

荧光淬灭与拉曼增强

发展了一种检测高荧光产率分子的拉曼信号的方法,用SERS活性的金属表面使分子的荧光淬灭,同时得到增强了的拉曼光谱。给出了典型样品,如有机荧光分子,生物大分子的实验结果。     

不同氮源制备CNx纳米管薄膜及其低场致电子发射性能

采用高温热解法，分别以氯化铵(NH₄Cl)和乙二胺(C₂H₈N₂)为氮源在洁净的硅片上沉积生长CN_x纳米管薄膜.利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜和拉曼光谱对CN_x纳米管进行形貌观察和表征.结果显示不同氮源制备出的CN_x纳米管薄膜的洁净度、有序度以及纳米管的结构明显不同.热解乙二胺(C₂H₈N₂)/二茂铁(C₁₀H₁₀Fe)制备出的结晶度较低的“竹节状” 结构CN_x纳米管平行基底表面有序生长，而且低场致电子发射性能优越,开启电场1.0V/μm，外加电场达到2.89V/μm时发射电流密度为860μA/cm². 关键词： x纳米管')" href="#">CN_x纳米管 高温热解 “竹节状”结构 场致发射     

两种新合成卟啉的拉曼和表面增强拉曼光谱

两种新合成卟啉的拉曼和表面增强拉曼光谱叶晓岚１邓文杰２梁二军３刘社文３（１．杭州大学化学系杭州３１００２８２．杭州师范大学化学系杭州３１００１２３．郑州大学物理工程学院郑州４５００５２）ＮｏｒｍａｌａｎｄＳｕｒｆａｃｅ┐ＥｎｈａｎｃｅｄＲａｍａｎＳｐ...     

平面物体在曲面状态下扫描仪图像的校正实验

平面物体在曲面状态下经扫描仪扫描后,其图像将发生复杂的畸变。提出了用椭圆柱面加平面模型来描述实际扭曲的情况。基于二元曲面模型的投影畸变和成像畸变数字校正理论,推导了具体的畸变校正公式,并给出了确定成像畸变系数的实用方法。实验结果表明,经校正后投影畸变能够从最大的56%降低到2 5%;成像畸变能够从最大的8 4%降低到0 3%;投影畸变和成像畸变的组合畸变能够从最大的70%降低到3 1%。图像灰度直方图标准偏差的误差可从491%降低到6 5%。     

化学气相沉积法制备定向碳纳米管阵列

以二茂铁和二甲苯分别作为催化剂和碳源，采用一种无模板的化学气相沉积法，使用单温炉设备，成功地制备了高度定向的碳纳米管阵列.分别用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和电子能量散射谱、拉曼光谱对碳纳米管阵列进行形貌观察和表征, 并研究了不同工艺参数对碳纳米管阵列形貌的影响.结果表明：在生长温度为800℃，催化剂浓度为0.02g/mL，抛光硅片上容易获得高质量的定向碳纳米管阵列，在此优化条件下生长的定向碳纳米管的平均生长速率可达25μm/min.     

V含量对ZnO薄膜结构及光学特性的影响

0引言氧化锌是一种六角纤锌矿结构的直接宽带隙半导体,其室温下禁带宽度为3.37eV。它具有多种优良的物理性能,在声表面波[1,2]、透明电极[3,4]、光电材料[5]、蓝光器件[6]等方面都有较大的应用潜力。氧化锌价格低廉,不仅能制成良好的半导体和压电薄膜,亦能够制成良好的透明导电薄膜。理论计算表明[7],氧化锌掺杂V、Cr、Fe、Co、N i元素能够产生自旋极化,形成高于室温的稀磁性透明半导体,是下一代微电子和光电子领域自旋电子学器件有重要价值的材料之一。根据理论计算,V掺杂的ZnO膜具有最高的居里温度。V yatkin实验小组[8]用钒离子注入…     

金属双柱metamaterial负折射特性的液晶调控

本文研究了金属双柱metamaterial对太赫兹波负折射的液晶调控。结果表明, 当液晶的介电系数从2逐渐增大到4, 产生负折射的频率从0.648 THz逐渐变化到0.413 THz, 包含了0.650 THz和0.500 THz附近两个大气窗口; 通过改变液晶的介电常数, 可以在该频段内任一频点实现负折射、零折射或正折射。由于液晶的介电常数可以通过外加交流偏压或光场进行调控, 因此利用液晶可以实现对太赫兹波负折射频率和传播方向的调控。     

Near-zero thermal expansion of In_(2(1-x))(HfMg)_xMo_3O_(12) with tailored phase transition

Solid solutions of In_(2(1-x)(HfMg)_xMo_3O_(12) are synthesized by solid state reaction with the aim to reduce the phase transition temperature of In_2Mo_3O_(12) and improve its thermal expansion property.The effects of(HfMg)~(6+) incorporation on the phase transition and thermal expansion are investigated.It is shown that the monoclinic-to-orthorhombic phase transition temperature obviously decreases and the coefficient of thermal expansion(CTE) of the orthorhombic becomes less negative and approaches to zero with increasing the content of(HfMg)~(6+).A near zero thermal expansion covering the case at room temperature(RT) is achieved for the solid solutions with x ≥ 0.85,implying potential applications of this material in many fields.