Near-zero thermal expansion in β-CuZnV2O7 in a large temperature range

We report a new type of near-zero thermal expansion material β-CuZnV₂O₇ in a large temperature range from 173 K to 673 K. It belongs to a monoclinic structure (C2/c space group) in the whole temperature range. No structural phase transition is observed at atmospheric pressure based on the x-ray diffraction and Raman experiment. The high-pressure Raman experiment demonstrates that two structural phase transitions exist at 0.94 GPa and 6.53 GPa, respectively. The mechanism of negative thermal expansion in β-CuZnV₂O₇ is interpreted by the variations of the angles between atoms intuitively and the phonon anharmonicity intrinsically resorting to the negative Grüneisen parameter.     

不同氮源制备CNx纳米管薄膜及其低场致电子发射性能

采用高温热解法,分别以氯化铵(NH4Cl)和乙二胺(C2H8N2)为氮源在洁净的硅片上沉积生长CNx纳米管薄膜.利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜和拉曼光谱对CNx纳米管进行形貌观察和表征.结果显示不同氮源制备出的CNx纳米管薄膜的洁净度、有序度以及纳米管的结构明显不同.热解乙二胺(C2H8N2)/二茂铁(C10H10Fe)制备出的结晶度较低的"竹节状"结构CNx纳米管平行基底表面有序生长,而且低场致电子发射性能优越,开启电场1.0V/μm,外加电场达到2.89V/μm时发射电流密度为860μA/cm2.     

CNx纳米管的制备、结构观察及低场致电子发射性能研究

采用高温热解法，以乙二胺为前驱液，在沉积有铁催化剂的p型硅（111）基底上制备出了定向生长的CNx纳米管.利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜和拉曼光谱对CNx纳米管进行了形貌观察和表征.CNx纳米管的高度在20?μm左右，直径在50—100nm之间，具有明显的“竹节状”结构，结晶有序度较差.对CNx纳米管薄膜进行低场致发射性能测试：外加电场为1.4V/μm，观察到20?μA /cm2发射电流，外电场升至2.54V/μm时发射电流达到1.280mA/cm2，在较高外电场下，没有发现电流“饱和”.这比 关键词： CNx纳米管 高温热解 “竹节状”结构 场致发射     

CNx纳米管的制备、结构观察及低场致电子发射性能研究

采用高温热解法 ,以乙二胺为前驱液 ,在沉积有铁催化剂的p型硅 (1 1 1 )基底上制备出了定向生长的CNx 纳米管 .利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜和拉曼光谱对CNx 纳米管进行了形貌观察和表征 .CNx 纳米管的高度在 2 0 μm左右 ,直径在 5 0— 1 0 0nm之间 ,具有明显的“竹节状”结构 ,结晶有序度较差 .对CNx 纳米管薄膜进行低场致发射性能测试 :外加电场为 1 4V μm ,观察到 2 0 μA cm2 发射电流 ,外电场升至 2 5 4V μm时发射电流达到1 2 80mA cm2 ,在较高外电场下 ,没有发现电流“饱和” .这比相同实验条件下改变前驱液制备出的碳纳米管和硼碳氮纳米管的场发射性能优越 .还在“竹节状”结构的基础上对CNx 纳米管的场致电子发射机理进行了讨论     

掺杂对碳纳米管拉曼光谱及场发射性能的影响

采用高温热解法在860℃分别制备出了镓、氮以及硼和氮掺杂的碳纳米管,提纯后利用丝网印刷工艺分别将它们制备成薄膜,并测试了它们的拉曼光谱与场发射性能。测试结果表明,掺杂纳米管的缺陷密集度比纯碳纳米管明显增大,而它们的场致电子发射性能则与掺杂元素的性质密切相关。镓和氮掺杂的纳米管均具有非常优异的场发射性能,而硼和氮共掺杂的纳米管的场发射性能很差。掺杂引起碳纳米管费米能级附近能态密度的变化及功函数的降低是其具有优异场致电子发射性能的主要原因。     

PbTe(001)表面原子几何结构和电子结构的第一性原理计算

用第一性原理的密度泛函理论计算了PbTe（001）表面的几何结构和电子结构.计算结果表明：PbTe（001）表面不发生重构，但表面几层原子表现出明显的振荡弛豫现象，其中第一、第二层间距减小4.5%，第二、第三层间距增加2.0%，并且表面层原子出现褶皱.表面带隙在X 点，带隙变宽，在基本带隙中不引入新的表面态，而导带底和价带顶附近等多处出现新的表 面共振态；弛豫后费米面处态密度很低，所以表面结构很稳定. 关键词： 密度泛函理论 表面几何结构 表面电子结构 PbTe     

平面物体在曲面状态下扫描仪图像的校正理论

平面物体在曲面状态下经扫描仪扫描后,其图像将发生复杂的畸变。提出将其分类为灰度畸变、投影畸变和成像畸变。通过理论分析,提出了在二元曲面模型下对投影畸变和成像畸变进行数字校正的方法,给出了对灰度畸变进行数字校正的实用方法。     

腐植酸物质的表面增强拉曼散射

腐植酸物质的表面增强拉曼散射Ｅ．Ｊ．Ｌｉａｎｇ（梁二军）１，３，Ｙ．Ｈ．Ｙａｎｇ（杨育晖）３，Ｗ．Ｋｉｅｆｅｒ３１．郑州大学物理工程学院郑州４５００５２２．中国科学院化学研究所北京１０００８０３．ＩｎｓｔｉｔｕｔｆｕｅｒＰｈｙｓｉｋａｌｉｓｃｈｅＣｈ...     

光纤中受激拉曼散射光谱的认识

光纤中受激拉曼散射光谱的认识余仲秋徐永安（郑州信息工程学院基础部郑州４５０００２）梁二军沈书泊（郑州大学物理工程学院郑州４５００５２）ＵｎｄｅｒｓｔａｎｄｉｎｇｏｆｔｈｅＳＲＳＳｔｏｋｅｓＳｐｅｃｔｒｕｍｉｎＦｉｂｅｒＹｕＺｈｏｎｇｑｉｕ，ＸｕＹｏ...     

硼碳氮纳米管的热解法制备及生长机理研究

以乙二胺、二茂铁和硼氢化钠为原料,以N2和H2为辅气,用钴作催化剂,在不同温度下制备出了具有竹节状结构的硼碳氮(BCN)纳米管.根据透射电子显微镜观察,分析了BCN纳米管的生长机理.B和N的同时掺杂,所形成的五边形结构比单独N掺杂时具有更低的形成能,是竹节状结构形成的主要原因.用Raman光谱可以用来表征BCN纳米管中B和N的掺杂程度及纳米管的质量.分析表明,在860℃下制备的BCN纳米管竹节状结构最密集,质量最好,产率最高.扫描俄歇微探针分析表明,在860℃下制备的BCN纳米管的元素组成比为B∶N∶C= 关键词： BCN纳米管 热解 透射电子显微镜 Raman光谱