金属双柱metamaterial负折射特性的液晶调控

本文研究了金属双柱metamaterial对太赫兹波负折射的液晶调控。结果表明, 当液晶的介电系数从2逐渐增大到4, 产生负折射的频率从0.648 THz逐渐变化到0.413 THz, 包含了0.650 THz和0.500 THz附近两个大气窗口; 通过改变液晶的介电常数, 可以在该频段内任一频点实现负折射、零折射或正折射。由于液晶的介电常数可以通过外加交流偏压或光场进行调控, 因此利用液晶可以实现对太赫兹波负折射频率和传播方向的调控。     

利用电介质柱共振器实现电磁响应模式可转变的电磁超介质

本文利用电磁场数值计算方法研究了横截面具有不同长宽比例的电介质柱的电磁共振模式,发现横截面长宽比例影响电介质柱共振模式的激发顺序.截面长宽比小于2.2时,首先激发磁共振模式;而长宽比大于2.2时,磁共振模式在第二个共振被激发;作为转折点,截面长宽比例约为2.2的电介质柱不能激发磁共振模式.结果还表明改变电磁波入射方向可以调节长方形截面的电介质柱的磁共振发生的频率位置,实现偏振可控的电磁响应,这为新颖的电介质电磁超介质的设计与研究提供有价值的信息. 关键词： 电介质 电磁超介质 共振     

碳纳米管的热解法制备、电子显微镜观察及拉曼光谱研究

以二茂铁和二甲苯为原料在Ar和H2 气氛中不同温度下热解制备出了不同直径分布的碳纳米管。在 740℃、780℃、82 0℃和 880℃下制备出的碳纳米管的外径分布分别为 1 7-80nm、2 0 - 73nm、40 - 70nm、1 7- 2 7nm。拉曼光谱和透射电子显微镜 (TEM )观察表明 ,在82 0℃下制备的碳纳米管晶形最完整     

半胱氨酸修饰金纳米棒光学性质的研究

采用种子生长法制备了不同长径比的金纳米棒,并通过金硫键的结合在其表面包覆半胱氨酸分子。利用紫外-可见吸收光谱仪,扫描电子显微镜以及拉曼光谱仪等对样品进行分析和表征。实验结果表明金纳米棒产率较高,且一致性较好。表面修饰后的金纳米棒的纵向吸收峰发生蓝移,表明半胱氨酸分子与金纳米棒的结合有助于溶液分散性的提升。以结晶紫为探针分子,随着金纳米棒长径比的增加其拉曼增强效果变强。进一步分析发现,修饰后的金纳米棒的表面增强拉曼光谱的增强效果并未受到影响。通过金纳米棒与半胱氨酸分子牢固的结合,一方面可以提高金纳米棒溶液的分散性与稳定性;另一方面半胱氨酸分子可为金纳米棒修饰其它有机官能团提供了一个牢固的桥梁,有效地拓展了金纳米棒的应用方向。     

经典相空间与希尔伯特空间对比浅析

相空间是描述物体运动状态的空间。经典质点和微观粒子分别是经典物理学和量子物理学的研究对象,它们表现出来的行为不同,性质不同,描述方式大相径庭。通过对比分别介绍了它们各自状态的描述空间:经典相空间和希尔伯特空间。     

Near-zero thermal expansion of In_(2(1-x))(HfMg)_xMo_3O_(12) with tailored phase transition

Solid solutions of In_(2(1-x)(HfMg)_xMo_3O_(12) are synthesized by solid state reaction with the aim to reduce the phase transition temperature of In_2Mo_3O_(12) and improve its thermal expansion property.The effects of(HfMg)~(6+) incorporation on the phase transition and thermal expansion are investigated.It is shown that the monoclinic-to-orthorhombic phase transition temperature obviously decreases and the coefficient of thermal expansion(CTE) of the orthorhombic becomes less negative and approaches to zero with increasing the content of(HfMg)~(6+).A near zero thermal expansion covering the case at room temperature(RT) is achieved for the solid solutions with x ≥ 0.85,implying potential applications of this material in many fields.     

不同氮源制备CNx纳米管薄膜及其低场致电子发射性能

采用高温热解法，分别以氯化铵(NH₄Cl)和乙二胺(C₂H₈N₂)为氮源在洁净的硅片上沉积生长CN_x纳米管薄膜.利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜和拉曼光谱对CN_x纳米管进行形貌观察和表征.结果显示不同氮源制备出的CN_x纳米管薄膜的洁净度、有序度以及纳米管的结构明显不同.热解乙二胺(C₂H₈N₂)/二茂铁(C₁₀H₁₀Fe)制备出的结晶度较低的“竹节状” 结构CN_x纳米管平行基底表面有序生长，而且低场致电子发射性能优越,开启电场1.0V/μm，外加电场达到2.89V/μm时发射电流密度为860μA/cm². 关键词： x纳米管')" href="#">CN_x纳米管 高温热解 “竹节状”结构 场致发射     

荧光淬灭与拉曼增强

发展了一种检测高荧光产率分子的拉曼信号的方法,用SERS活性的金属表面使分子的荧光淬灭,同时得到增强了的拉曼光谱。给出了典型样品,如有机荧光分子,生物大分子的实验结果。     

两种新合成卟啉的拉曼和表面增强拉曼光谱

两种新合成卟啉的拉曼和表面增强拉曼光谱叶晓岚１邓文杰２梁二军３刘社文３（１．杭州大学化学系杭州３１００２８２．杭州师范大学化学系杭州３１００１２３．郑州大学物理工程学院郑州４５００５２）ＮｏｒｍａｌａｎｄＳｕｒｆａｃｅ┐ＥｎｈａｎｃｅｄＲａｍａｎＳｐ...