全文获取类型
收费全文 | 1356篇 |
免费 | 347篇 |
国内免费 | 447篇 |
专业分类
化学 | 977篇 |
晶体学 | 24篇 |
力学 | 62篇 |
综合类 | 83篇 |
数学 | 279篇 |
物理学 | 725篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2023年 | 44篇 |
2022年 | 44篇 |
2021年 | 42篇 |
2020年 | 32篇 |
2019年 | 59篇 |
2018年 | 66篇 |
2017年 | 64篇 |
2016年 | 77篇 |
2015年 | 60篇 |
2014年 | 99篇 |
2013年 | 95篇 |
2012年 | 84篇 |
2011年 | 80篇 |
2010年 | 103篇 |
2009年 | 124篇 |
2008年 | 112篇 |
2007年 | 104篇 |
2006年 | 110篇 |
2005年 | 92篇 |
2004年 | 90篇 |
2003年 | 80篇 |
2002年 | 68篇 |
2001年 | 63篇 |
2000年 | 53篇 |
1999年 | 36篇 |
1998年 | 25篇 |
1997年 | 29篇 |
1996年 | 23篇 |
1995年 | 33篇 |
1994年 | 19篇 |
1993年 | 17篇 |
1992年 | 12篇 |
1991年 | 30篇 |
1990年 | 10篇 |
1989年 | 16篇 |
1988年 | 8篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 4篇 |
1982年 | 3篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 3篇 |
1966年 | 1篇 |
1964年 | 1篇 |
1963年 | 1篇 |
1960年 | 1篇 |
1958年 | 1篇 |
1955年 | 1篇 |
排序方式: 共有2150条查询结果,搜索用时 15 毫秒
42.
Interface states in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structure by frequency dependent conductance technique 下载免费PDF全文
Frequency dependent conductance measurements are implemented to investigate the interface states in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor(MOS) structures. Two types of device structures, namely, the recessed gate structure(RGS) and the normal gate structure(NGS), are studied in the experiment. Interface trap parameters including trap density Dit, trap time constant τit, and trap state energy ETin both devices have been determined. Furthermore,the obtained results demonstrate that the gate recess process can induce extra traps with shallower energy levels at the Al2O3/AlGaN interface due to the damage on the surface of the AlGaN barrier layer resulting from reactive ion etching(RIE). 相似文献
44.
采用分子动力学(MD)模拟方法在COMPASS力场下,研究了不同质量比(10/90,30/70,50/50,70/30和90/10)聚乳酸(PLA)/聚酰胺11(PA11)共混物的相容性.研究结果表明:不同比例下PLA/PA11共混物的Gibbs自由能变化均大于零,其共混物很难形成均相体系;共混体系结合能的计算以及不同组分分子间C—C原子对径向分布函数的分析揭示了PLA和PA11的相互作用主要源自其分子间的范德华力;此外,模拟得到的所有比例下共混物的Flory-Huggins相互作用参数(χ)均大于临界Flory-Huggins相互作用参数(χcritical),进一步证明PLA与PA11不能形成相容体系。 相似文献
45.
46.
随着纳米技术的发展,金属纳米复合材料由于其特殊的物理化学性质和潜在的催化应用受到越来越多的关注。本文系统地介绍了金属纳米复合催化剂最新的研究进展。首先,我们介绍了一些金属纳米复合催化剂的合成方法。其次,为了更好的优化催化剂的结构与催化活性的关系,并深入理解催化反应机理,我们讨论了金属纳米复合催化剂一些重要因素(包括粒子粒径、形貌、组成、载体或配体)对催化活性和选择性的影响。最后,我们进一步介绍了金属纳米复合催化剂在还原不饱和化学键中的应用(N=O,N≡C和C=O),同时还对金属纳米复合催化剂的发展方向进行了展望。 相似文献
47.
通过2-(2''-羟基-3''-甲氧基)萘咪唑(HL)和Ln(NO)3·6H2O反应,合成了4种单核稀土配合物[Ln(HL)2(NO3)3]·CH2Cl2(Ln=Sm(1),Eu(2),Tb(3))和[Ln(HL)2(NO3)2(CH3OH)]NO3·CH3OH(Ln=Yb(4))。X射线单晶衍射分析表明配合物1~4均通过配体萘环间的π-π作用呈现蝴蝶状结构。荧光性质表明仅有配合物4显示Yb3+稀土离子的特征发光,固态和在乙腈溶液中的荧光寿命分别为8.27 μs和4.40 μs。 相似文献
48.
固相微萃取-气相色谱-质谱法检测30种农药残留 总被引:1,自引:0,他引:1
建立使用一种萃取头同时检测蔬菜中30种农药的GC-MS分析方法。采用了SPME-GC/MS自动进样技术,比较聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚丙烯酸酯(PA)、聚二甲基硅氧烷-二乙烯基苯(PDMS/DVB)、聚乙二醇-二乙烯基苯(CW/DVB)4种固定相涂层的分析效果,选择了目标物萃取效率较高、干扰物萃取较少的PDMS。通过正交实验设计,选择不同的萃取温度、萃取时间、振荡速度进行试验,最终确定振荡速度250 r/min,萃取温度70℃,萃取时间60 min作为萃取条件。对不同的无机盐浓度对标准品溶液和加入基质标准品溶液的提取效率的影响分别进行了试验,确定用10%(w/V)NaCl溶液增加提取液离子强度。试验过程中优化分析的色谱条件和质谱条件,进样到分析结束时间可控制在40 min。该方法检测蔬菜样品中混合标准溶液的回收率为43%~119%,相对标准偏差在3.4%~19%之间。 相似文献
49.
利用改进的Hummers法制备了氧化石墨烯(GO), 以葡萄糖为还原剂直接在GO表面沉积银纳米粒子(AgNPs)得到性能稳定的AgNPs/GO纳米复合材料;基于该纳米复合材料修饰电极构建了一种新型的2, 4, 6-三硝基苯酚(TNP)电化学传感器。采用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、紫外可见光谱(UV-Vis)和交流阻抗(EIS)等多种方法对纳米复合薄膜进行了表征;并研究了TNP在复合薄膜修饰电极上的电化学行为和动力学性质。结果表明, AgNPs/GO对TNP有较强的电催化活性, 在复合薄膜修饰电极出现一灵敏的氧化峰和3个还原峰;利用氧化峰可对TNP进行定量分析。同时整个电极过程明显不可逆, 电极反应受到吸附步骤控制;复合膜电极表面覆盖度为5.617×10-8 mol·cm-2, 在所研究电位下的速率常数为9.745×10-5 cm·s-1。在pH 6.8的磷酸缓冲液中, 当富集电位为-0.70 V, 富集时间为60 s;TNP氧化峰电流与其浓度在5.0×10-9~1.0×10-7 mol·L-1范围内成良好线性关系, 相关系数为0.995 8, 检出限可达1.0×10-9 mol·L-1。所制备的电化学传感器稳定性和选择性较好;用于实际水样中TNP的现场快速检测, 加标回收率在 97.6%~103.9%之间。 相似文献
50.
任军江顾劭忆朱源肖春王莲萍夏奕培陈钱龙 《光学与光电技术》2015,(3):20-22 28
为了提高特殊截止单模光纤的弯曲可靠性,采用气相沉积工艺制作了包层直径80μm碳涂覆的特殊截止单模光纤,测试了光纤的截止波长、模场、衰减谱、宏弯、色散等传输性能和应力腐蚀敏感性参数。测试结果表明光纤截止波长小于915nm,能够实现915nm以上波长单模工作,在常用的几个波段具有较低的传输损耗,光纤的零色散波长红移到1 670nm。采用碳涂覆工艺提高光纤的应力腐蚀敏感性参数达到35,结合小包层直径预期可以提高光纤的使用寿命。 相似文献