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1.
利用高分辨电子显微学方法(HREM)研究了纳米氧化层镜面反射自旋阀多层结构Ta(35nm)Ni80Fe20(2nm)Ir17Mn83(6nm)Co90Fe10(15nm)NOL1Co90Fe10(2nm)Cu(22nm)Co90Fe10(15nm)NOL2Ta(3nm).该自旋阀的巨磁电阻(GMR)效应高达15%,较无此镜面反射纳米氧化层(NOL)的自旋阀提高近1倍,同时交换偏置场亦有所增强.高分辨显微结构分析表明,介于钉扎层与被钉扎层之间的氧化层(NOL1)并未完全氧化,即除氧化过程生成的CoFe氧化物
关键词:
自旋阀
纳米氧化层
高分辨电子显微学
巨磁电阻效应 相似文献
2.
采用一种新的种子层材料:(Ni081Fe019)1-xCrx,通过改变种子层中Cr原子的含量,使得在其上生长的NiFeFeMn双层膜的织构和晶粒尺寸产生极大的差异,系统研究了NiFeFeMn双层膜中FeMn晶粒尺寸和织构对交换偏置的影响.实验结果表明,在FeMn的γ相(111)织构较好的前提下,交换偏置场的大小与织构的差异没有关系;FeMn的晶粒尺寸对交换偏置场有很大影响,较小的反铁磁层晶粒对交换偏置场有利,过大的反铁磁层晶粒不利于交换偏置场.将(Ni081Fe019)05Cr05与传统的种子层材料Ta进
关键词:
交换偏置
晶粒尺寸
织构
种子层 相似文献
3.
通过调整Mn的成分,系统地研究了Ni81Fe19/Ni100-xMnx双层膜的磁学性质,特别是交换偏置场(Hex)的变化.当Ni100-xMnx中Mn的原子百分比在534%到600%之间时,对于150nm的Ni81Fe19,得到了最大的交换偏置场175kA/m,同时由于Mn对Ni81Fe19层的扩散所造成的磁矩的降低小于20%;高角x射线衍射证明Ni100-xMnx的晶格常数随着Mn成分的改变而变化,Mn含量越多,其晶格常数越大;制备态Ni100-xMnx膜晶格常数与θ相NiMn膜晶格常数的接近程度与NiMn膜θ相形成的容易程度相对应.也研究了交换偏置场随着Ni100-xMnx厚度的变化,第一次得到了当Ni100-xMnx中Mn的原子百分比为706%时,Ni81Fe19(150nm)/Ni100-xMnx(90nm)双层膜在经过240℃,5h退火后,可以有80kA/m的交换偏置场,此时铁磁层磁矩的大小几乎不变.
关键词:
Ni81Fe19/Ni100-xMnx
交换偏置场 相似文献
4.
一、序 言 人们早就知道铁氧体在低温(600-1000℃)和高温(1000℃以上)热处理性能常常是不一样的[1].由于Mn3 Fe2 在定量分析方面的困难,影响了锰锌铁氧体在这方面工作的进展.近年来R.Morinead等人[2-4]在多晶锰锌铁氧体气氛热处理方面做了大量工作并指出,在高温(>900℃)该铁氧体还原倾向是主要的.我们认为用单晶样品进行试验可能要比多晶更好一些.本文给出了锰锌铁氧体单晶在600-1200℃范围内经高氮(99.99%)处理后一些性能——起始磁导率、比饱和磁化强度、电阻率的变化和Mn2 ,Fe3 变价.并且用Mn2 的氧化、Fe3 的还原对结果进行了讨论,… 相似文献
6.
7.
用直流磁控溅射法在Si(001)衬底上制备了以Ta为缓冲层、含有15周期的Ni80Fe20(4nm)/Cu(6nm)多层膜.样品分别在150,250,350℃进行了真空退火处理.用低角和高角X射线衍射法研究了多层膜的微结构.结果表明,所有样品均有较好的[111] 取向,而且随退火温度或时间的增加,[111]取向程度变得更高.超晶格周期、平均面间距在退火后略有减小,表明多层膜结构在退火后变得更为致密.多层膜界面粗糙度随退火温度或时间的增加而增大,平均相关长度随退火温度或时间的增加而减小,分析认为这是由于Ni80Fe20/Cu界面存在严重的互扩散所导致的.模拟Ni80Fe20/Cu多层膜高角X射线衍射谱,发现在Ni80Fe20/Cu蜀面有非常厚的混合层存在,而且混合层厚度随退火温度或时间的增加而增大.模拟结果还表明,随退火温度或时间的增加,Ni80Fe20层面间距几乎保持不变,Cu层面间距则随退火温度的增加而略有减小.
关键词: 相似文献
8.
自旋电子学和计算机硬件产业 总被引:1,自引:0,他引:1
1988年发现巨磁电阻(GMR)效应,是基于自旋的新电子学的开始。文章介绍观察效应的物理基础,以及这些效应和材料在信息存储上的应用。GMR硬盘(HDD)已经形成了数十亿美元的工业;其后发现的室温隧道磁电阻(TMR)效应已用于制造新关磁随机存储器(MRAM),它正在开创另一个数十亿美元的工业。自旋电子学研究的物理对象是自旋向上和自旋向下的载流子,而传统半导体电子学的对象是电荷为正和电荷为负的载流子,即空穴和电子。电子自旋特性进入半导体电子学,为新的器件创造了机会。为了成功地将电子自旋结合到半导体微电子技术中去,需要解决磁性原子自旋极化状态的控制,以及自旋极化载流子电流的有效注入、传输、控制、操纵和检测。评述了基于电子自旋的新器件原理、新材料的探索以及自旋相干态的光学操纵。 相似文献
9.
用磁控溅射方法制备了NiFeⅠFeMnBiNiFeⅡ薄膜,研究了反铁磁薄膜FeMn与铁磁薄膜NiFeⅠ及NiFeⅡ间的交换偏置场Hex相对于分隔层Bi厚度的变化.发现随分隔层Bi厚度的增加,FeMn与NiFeⅠ间的交换偏置场Hex1几乎不变,FeMn与NiFeⅡ间的交换偏置场Hex2急剧减小.当Bi的厚度超过06nm时,FeMn与NiFeⅡ之间的交换偏置场从6925下降为0876kA·m-1.x射线光电子能谱(XPS)分析表明,沉积在FeMnNiFeⅡ界面的Bi并没有全部停留在界面处,至少有部分偏聚到Ni
关键词:
交换偏置
分隔层
织构
XPS 相似文献
10.
本文利用关联函数方法(久保理论)来讨论高功率下铁磁共振中的非线性过程。对通常的铁磁晶体,目前的理论包含了由H.Suhl所发展起来的半经典理论的结果。对含希土离子的石榴石型铁氧体,给出了希土离子引起的自旋波的频率移动,附加的损耗,以及所谓纵向注入和横向注入的一级二级的非线性过程的临阈场。希土离子的存在使临阈场增大。一般而言,这一关系是很复杂的,但当希土离子含量很少的情形下,对临阈场的影响可归结为自旋波的损耗的增加,临阈场随温度的改变及各向异性完全与低功率下铁磁共振线宽的情况相似。对于现有的一些实验结果,理论作了定性的解释。 相似文献