全文获取类型
收费全文 | 14931篇 |
免费 | 3570篇 |
国内免费 | 3648篇 |
专业分类
化学 | 4562篇 |
晶体学 | 170篇 |
力学 | 2006篇 |
综合类 | 633篇 |
数学 | 7034篇 |
物理学 | 7744篇 |
出版年
2024年 | 105篇 |
2023年 | 437篇 |
2022年 | 473篇 |
2021年 | 446篇 |
2020年 | 356篇 |
2019年 | 509篇 |
2018年 | 337篇 |
2017年 | 508篇 |
2016年 | 542篇 |
2015年 | 592篇 |
2014年 | 1200篇 |
2013年 | 901篇 |
2012年 | 881篇 |
2011年 | 1005篇 |
2010年 | 1079篇 |
2009年 | 1126篇 |
2008年 | 1149篇 |
2007年 | 1035篇 |
2006年 | 980篇 |
2005年 | 909篇 |
2004年 | 894篇 |
2003年 | 812篇 |
2002年 | 733篇 |
2001年 | 671篇 |
2000年 | 572篇 |
1999年 | 566篇 |
1998年 | 456篇 |
1997年 | 414篇 |
1996年 | 396篇 |
1995年 | 388篇 |
1994年 | 338篇 |
1993年 | 261篇 |
1992年 | 266篇 |
1991年 | 250篇 |
1990年 | 228篇 |
1989年 | 184篇 |
1988年 | 36篇 |
1987年 | 43篇 |
1986年 | 22篇 |
1985年 | 13篇 |
1984年 | 4篇 |
1983年 | 11篇 |
1982年 | 12篇 |
1980年 | 4篇 |
1959年 | 4篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
32.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.
关键词:
非弹性中子散射
填充式方钴矿
近藤绝缘体 相似文献
33.
在保持非负定性不变的前提下,本文对矩阵每一元素容许多大的扰动作了进一步的研究, 将本文的结论和C.R.Johnson提出的部分正定阵的正定完备化进行比较,容易发现对已知的正定矩阵求扰动,本文的结论比用C.R.Johnson的正定完备化计算扰动形式上更简单,同时也给出了不同于C.R.Johnson的部分正定阵的正定完备化表示的另外一个公式,推出了这些正定完备化矩阵应具有的若干性质. 相似文献
34.
非光滑非凸多目标规划解的充分条件 总被引:4,自引:0,他引:4
Kuhn-Tucker型条件的充分性一直是最优化理论中引人注意的一个问题.本文对非光滑函数提出了几个非凸概念,然后,讨论了非光滑非凸多目标规划中Kuhn-Tucker型条件和Fritz John型条件的充分性,在很弱的条件下,建立了一系列充分条件. 相似文献
35.
36.
37.
38.
根据递推最小二乘和图像配准原理,提出了基于递推最小二乘的红外焦平面非均匀校正算法(简称ILS算法),有效降低算法的时间和空间复杂度,使噪音图像的校正处理能够实时完成.ILS算法具有噪音参量估计准确度高、收敛速度快和计算复杂度低等优点.给出了算法的推导并用仿真数据对算法的有效性进行验证. 相似文献
39.
非傍轴平顶高斯光束M2因子两种定义的比较研究 总被引:3,自引:2,他引:1
基于功率密度的二阶矩方法,推导出了非傍轴平顶高斯(FG)光束束宽和远场发散角的解析表达式·研究表明,当w0/λ→0时,远场发散角趋于渐近值θmax=63.435°,与阶数无关·使用非傍轴高斯光束代替傍轴高斯光束作为理想光束,研究了非傍轴FG光束的M2因子,并与传统定义的M2因子作了比较·在非傍轴范畴,非傍轴FG光束的M2因子不仅与阶数N有关,而且与w0/λ有关·按照定义,当w0/λ→0时,非傍轴FG光束的M2因子不等于0,对阶数N=1,2,3时,M2因子分别趋于0.913,0.882和0.886·当N→∞时,M2因子取最小值M2min=0.816· 相似文献
40.
单甲基原位改性SiO2疏水减反膜的制备与性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在碱性条件下通过TEOS和MTES的共水解缩聚反应制备了单甲基原位改性的SiO2溶胶,并使用提拉法在K9玻璃基片上镀制了疏水减反膜。通过透射电镜(TEM)考察了镀膜溶胶的微结构,分别使用红外光谱(FTIR)分析了薄膜的组分,用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌和起伏状况,用紫外可见光谱(UV-vis)考察了薄膜的减反射性能,用接触角仪测量了薄膜对水的接触角。并使用“R-on-1”的方式测量了薄膜在Nd:YAG激光(1 064 nm,1 ns)作用下的损伤阈值。结果表明,通过共水解缩聚反应可以把甲基引入镀膜溶胶簇团中,改善了溶胶簇团的网络结构,使薄膜得到相当好的疏水性能和更好的抗激光损伤性能,同时薄膜能保持较好的减反射性能。 相似文献