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1.
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势方法,结合广义梯度近似(GGA)下的RPBE和局域密度近似(LDA)的CA-PZ交换-关联泛函对闪锌矿结构的GaN在高压的性质进行了系统研究. 计算结果表明:弹性常数、体模量、杨氏模量和能隙都具有明显的外压力效应,计算结果与实验值和理论值很好的符合. 同时利用计算的能带结构和态密度系统分析了GaN的介电函数、折射率、反射率、吸收系数和能量损失函数等光学性质及其外压力效应. 分析结果为GaN的设计与应用提供了理论依据.
关键词:
第一性原理计算
电子结构
光学性质
闪锌矿GaN 相似文献
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本文采用基于密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势从头算量子力学方法,对闪锌矿结构AlN、AlP、AlAs和AlSb的电子结构和光学性质进行了研究.分析比较了这些化合物的能带结构、态密度、介电函数及折射率等性质,总结Al与不同V族元素形成化合物时的性质变化规律.结果表明,四种材料有着相似的能带结构,都是间接带隙宽禁带半导体,但是在导带底AlN的能态结构与其它三种材料明显不同.随着从AlN到AlSb的变化,光学性质曲线向低能端移动(红移趋势). 相似文献
4.
选取密度泛函方法,采取6-311++G(2df,2pd)基组对单态HCl+2和HBr+2离子进行了理论计算.考虑到HF+2离子中D∞h结构可独立存在的事实,文中首次对HCl+2和HBr+2离子的包含D∞h在内的四种可能几何构型进行了优化计算;求得了Cl2与Br2的质子亲和能及Cl-ClH+与Br-BrH+的键分离能,丰富和完善了对HCl+2的理论计算,并对HBr+2离子存在的可能性进行了计算研究,结果预言HBr+2单态中Cs结构为其平衡结构.最后给出了HCl+2和HBr+2的热化学数据、力常数等数值,并给出了基态HBr+2离子的离解通道,从而给出其完全离解时的离解能,为该离子的分析势能函数的推导准备了必需的理论数据. 相似文献
5.
采用第一性原理方法模拟了覆盖度对S原子在Ir(001)表面吸附能和电子结构的影响。结果表明:在覆盖度0.50 ML以下,S原子吸附在Hollow空位最稳定,且吸附能几乎不随覆盖度变化;在覆盖度0.66 ML以上吸附能随覆盖度增加而减小。吸附体系金属表面d带电子结构随覆盖度变化与O/Pt(111)吸附体系相似。这些结果与Hammer-Nørskov模型吻合。 相似文献
6.
本文采用基于密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势从头算量子力学方法,对闪锌矿结构AlN、AlP、AlAs和AlSb的电子结构和光学性质进行了研究。分析比较了这些化合物的能带结构、态密度、介电函数及折射率等性质,总结Al与不同Ⅴ族元素形成化合物时的性质变化规律。结果表明,四种材料有着相似的能带结构,都是间接带隙宽禁带半导体,但是在导带底AlN的能态结构与其它三种材料明显不同。随着从AlN到AlSb的变化,光学性质曲线发生红移。 相似文献
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应用第一性原理对CO分子在Co(0001)表面( squar3× squar3)R30°−CO吸附结构进行不同形式的密度泛函计算研究. 结果表明:吸附能修正前,仅RPBE泛函预测CO顶位吸附;而修正后PW91、PBE和PKZB泛函结果也表明CO分子Top顶位吸附最稳定,与实验结果一致.对于吸附几何结构、吸附前后体系功函、C-O伸缩振动频率和CO分子态密度分布,所有泛函给出一致的结果,且与已有实验结果符合. 相似文献
8.
通过非线性变换技术和特殊设计的B样条基矢方法计算了囚禁于球壳势内任意位置的氢原子电子能级,以及能级在不同势阱深度随偏心距离的变化情况. 相似文献
9.
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,对宽带隙半导体Cd Al_2S_4的晶格结构、电学、弹性和光学性能进行了系统的研究.研究结果表明:Cd Al2S4为直接带隙的宽带隙半导体材料;是弹性稳定的具有各向异性的延展性材料;该晶体的光学性质在中能区(3.5~12.5 e V)具有较强的各向异性,其强反射峰处于紫外能量区域,因此其可用作紫外光探测或屏蔽材料. 相似文献
10.
通过非线性变换和特殊设计结点的B样条函数方法研究计算了囚禁于巴基球内的钠原子的里德堡能级结构和振子强度.计算结果表明,巴基球等效势阱深度可以有选择的影响和改变里德堡原子的特性. 相似文献