非对易克莱因-高登朗道问题的海森伯代数

文中我们在非对易量子力学(NCQM)的框架下讨论了克莱恩-高登朗道问题.分别在非对易空间(NCS)和非对易相空间(NCPS)中给出了海森伯代数和克莱恩-高登朗道能级.     

含磷酰杂菲侧基的苯乙烯衍生物聚集诱导发光特性及其在过渡金属离子检测中的应用

以2-(6-氧化-6-氢-二苯基(c,e)<1,2>氧杂磷酰基)-1,4-二羟基苯(ODOPB) 为中心结构单元, 通过两步酯化反应, 在两侧分别引入4-戊氧基苯甲酰基和4-乙烯基苯甲酰基, 得到苯乙烯衍生物(MED).由于磷酰杂菲基团的大π共轭结构和极性共同作用, 使得形成聚集体后分子内转动受到限制, 降低了非辐射去活效率, 使 MED在达到一定聚集程度时, 荧光强度成倍增加, 呈现出聚集诱导发光增强(AIEE) 特性. 同时, Pt²⁺, Ru³⁺, Fe³⁺的加入对MED有显著的猝灭效果; 而Fe²⁺只是在形成聚集体过程中才有猝灭效果.     

纳米二氧化钒薄膜的电学与光学相变特性

采用双离子束溅射氧化钒薄膜附加热处理的方式制备了纳米二氧化钒薄膜。在热驱动方式下,分别利用四探针测试技术和傅里叶变换红外光谱技术对纳米二氧化钒薄膜的电学与光学半导体-金属相变特性进行了测试与分析。实验结果表明,电学相变特性与光学相变特性之间存在明显的偏差,电学相变温度为63 ℃,高于光学相变温度,60 ℃;电学相变持续的温度宽度较光学相变持续温度宽度宽;在红外光波段,随着波长的增加,纳米二氧化钒薄膜的光学相变温度逐渐增大,由半导体相向金属相转变的初始温度逐渐升高,相变持续的温度宽度变窄。在红外光波段,纳米二氧化钒薄膜的光学相变特性可以通过光波波长进行调控,电学相变特性更适合表征纳米VO₂薄膜的半导体-金属相变特性。     

直观随机赋范空间中三次泛函方程的稳定性

先引入直观随机赋范空间的概念．然后,借助这一概念,然后对任意的三角范数在该空间的框架下,研究了三次泛函方程的稳定性．另外,还介绍了随机空间理论、直观空间理论及泛函方程理论间的密切关系．     

多孔压电线性理论中的唯一性定理、互易定理和特征值问题

假定弹性场和电场为正定,在多孔压电线性理论中建立起唯一性定理和互易定理．在准静态电场近似下,证明多孔压电材料线性理论中的一般性定理．利用弹性场的正定性,唯一性定理得到证明．在与多孔压电体自由振动相联系的特征值问题的研究中,给出了简明的公式．文中还研究了有关算子的某些特性．以简明公式为基础,利用变分法和算子法,研究了由于小扰动产生的频移问题．还给出了特殊情况下的扰动分析．     

宁波象山海域表层沉积物细菌群落季节性分布特征研究

分别在2013年夏季及2014年冬季采集宁波象山海域7个站位的表层沉积物样品, 利用16S rRNA基因扩增子MiSeq测序技术研究了沉积物细菌群落的季节性分布特征. 研究发现: 宁波象山海域海洋沉积物细菌群落主要由γ-变形菌纲、δ-变形菌纲、酸杆菌门、α-变形菌纲、绿弯菌门和拟杆菌门组成; 沉积物细菌群落的时空分布同时受地理距离、季节和环境理化因子等影响, 其中地理距离占主导地位, 且冬季地理距离对群落的影响更大.     

Gd~(3+)掺杂浓度对NaErF_4∶Yb纳米晶上转换荧光性能的影响

采用温和的溶剂热法制备较强红光发射的NaErF4∶Yb,Gd上转换纳米晶,控制Gd~(3+)的掺杂浓度实现了晶相和尺寸可控以及上转换荧光的增强。X射线衍射谱(XRD)、透射电子显微镜图像(TEM)和上转换发射光谱结果分析表明,Gd~(3+)掺杂可以有效地促进NaErF_4纳米晶的晶相由立方相向六角相转变,并且减小纳米粒子的尺寸。随着Gd~(3+)掺杂浓度的上升,上转换荧光强度明显增大。当Gd~(3+)摩尔分数为25%时,样品的上转换荧光强度达到最大。同时,研究了在980 nm近红外激光激发下,Yb~(3+)与Er~(3+)间有效的能量传递以及上转换发光机制。     

Total ionizing radiation-induced read bit-errors in toggle magnetoresistive random-access memory devices

The 1-Mb and 4-Mb commercial toggle magnetoresistive random-access memories(MRAMs) with 0.13 μm and 0.18-μm complementary metal–oxide–semiconductor(CMOS) process respectively and different magnetic tunneling junctions(MTJs) are irradiated with a Cobalt-60 gamma source. The electrical functions of devices during the irradiation and the room temperature annealing behavior are measured. Electrical failures are observed until the dose accumulates to 120-krad(Si) in 4-Mb MRAM while the 1-Mb MRAM keeps normal. Thus, the 0.13-μm process circuit exhibits better radiation tolerance than the 0.18-μm process circuit. However, a small quantity of read bit-errors randomly occurs only in 1-Mb MRAM during the irradiation while their electrical function is normal. It indicates that the store states of MTJ may be influenced by gamma radiation, although the electrical transport and magnetic properties are inherently immune to the radiation. We propose that the magnetic Compton scattering in the interaction of gamma ray with magnetic free layer may be the origin of the read bit-errors. Our results are useful for MRAM toward space application.     

不同排水条件下饱和软黏土动力特性试验研究

以宁波轨道交通1号线沿线软黏土为研究对象, 开展了不同动应力幅值下的循环动三轴试验, 研究了不排水和部分排水对饱和软黏土累积塑性应变、动孔压、动弹性模量及动阻尼比的影响. 结果表明: 在排水条件下对饱和软黏土的动力特性影响较大, 尤其是动孔压; 随着振动次数的增加, 部分排水条件下的动孔压存在一个峰值, 动孔压先增大后减小; 当动应力幅值较大时, 部分排水条件下累积塑性应变和动阻尼比小于不排水条件下的结果, 动弹性模量则大于不排水条件下的值; 对试验结果进行归一化处理后, 获得了动弹性模量、动阻尼比以及累积塑性应变的内在关系.     

Effect of cryogenic temperature characteristics on 0.18-μm silicon-on-insulator devices

The experimental results of the cryogenic temperature characteristics on 0.18-μm silicon-on-insulator(SOI) metaloxide-silicon(MOS) field-effect-transistors(FETs) were presented in detail. The current and capacitance characteristics for different operating conditions ranging from 300 K to 10 K were discussed. SOI MOSFETs at cryogenic temperature exhibit improved performance, as expected. Nevertheless, operation at cryogenic temperature also demonstrates abnormal behaviors, such as the impurity freeze-out and series resistance effects. In this paper, the critical parameters of the devices were extracted with a specific method from 300 K to 10 K. Accordingly, some temperature-dependent-parameter models were created to improve fitting precision at cryogenic temperature.